来啦来啦 帮你顶
等着好心人来解答
1.和EMI的关系比较大。
一般我们设计变压器的时候,都是将同名端放在同一边,只要计算好圈数,绕组之间的电势差就会相互抵消,那么变压器产生的EMI就不会跑出去。这相当于在初次级之间加Y-cap,就是给变压器初次级间的EMI噪音提供回路。
2.和工艺有关系。
有时候我们因为PCB layout的关系,脚位已经定死了,如果顺绕出现了绕组交叉的情况,那么我们就需要考虑反绕。
以上是我的个人理解!
在反激中,变压器从MOS D 极起绕和从大电解电解端起绕有什么好处呢,
有没有人试验过。。
根据我的经验来看,从MOS D极开始绕对EMI会好,因为MOS D极是动点(电压一直在变化),EMI的根源之一,要将它埋在里边。
大电解端是定点(电压很稳定),放在外面,将动点屏蔽住,防止它耦合EMI到次级去。
当然,动点放在里面,也有可能会对磁芯产生干扰,偶尔在EMI搞不定的时候,也会考虑最开始先绕上一层屏蔽绕组,一头接辅助的GND,一头悬空,用来屏蔽动点对磁芯的干扰。。
目的是减少绕组间耦合电流,通常是共模。这个处理方法一般有点理论水平的才能够用好,例如用绕组代替法拉第屏蔽就是应用之一。
另外,并不是所有情况都需要减小。