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反激+同步整流 效率提不上来

做的5V5A的一个电源,用的是LD7575+SP6018,原理图如下:

原边开关管用的是12N65(12A650V),同步MOS是ST的P75NF75。

带满负载5V5A时,输入功率33W,板边效率才75.7%,和我之前用肖特基整流相比没提高多少。

然后我怀疑同步MOS没有正常驱动,就把SP6018的驱动输出先断开,再测,发现输入功率多了差不多3W左右。证明MOS应该被驱动了。

为了再进一步确认驱动是否正常,用示波器看了波形,图如下:

这个是220V输入,轻负载时的波形。黄色 是驱动波形,蓝色是D-S波形。

下面这个是220V输入,满负载(5V5A)时的波形。黄色Vgs , 蓝色Vds

下面这个是110V输入,满载5V5A时的波形。蓝色Vgs, 紫色Vds。

从波形上看同步MOS应该是被驱动了的呀,那么为什么效率却还是没提高到理想的高度。是MOS选的不合适还我的电路其它地方还有问题。

请大神解惑,成分感谢。

以下是5月8号添加

重新计算变压器如下,公式是论坛里总结的那个《反激-技术攻略》上的。

功率不大,想直接用不连续模式做不知道怎么样。

若是做成跨模式工作的话,要怎么去确定参数呢?

请大神赐教。

全部回复(29)
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2015-04-27 10:09
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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2015-04-27 10:44
看你这个  波形好像不对  在同步整流的时候
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2015-04-27 12:05
@攻城人员
看你这个 波形好像不对 在同步整流的时候
能否指出是什么地方不对呀,我第一次做同步整流,不怎么清楚
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2015-04-27 13:51
@那个谁200
能否指出是什么地方不对呀,我第一次做同步整流,不怎么清楚
我给你看下我做的  
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jianyedin
LV.9
6
2015-04-27 15:17
IR没有75N75的管子,你买到假货了吧
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2015-04-27 15:38
@攻城人员
我给你看下我做的 
怎么看呀,贴几个图上来吧。
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2015-04-27 15:43
@jianyedin
IR没有75N75的管子,你买到假货了吧
看错了,是ST的P75NF75,另外的机子上用了IR的管子,搞混了
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2015-04-28 09:29
5V输出用75V13m欧的管子,耐压选高了,内阻选高了
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2015-04-28 09:40
@qinzutaim
5V输出用75V13m欧的管子,耐压选高了,内阻选高了[图片]
刚好有现成的,就用上去了,内阻不是越低越好的么?还是有什么别的讲究呀?
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2015-04-28 09:47
@那个谁200
刚好有现成的,就用上去了,内阻不是越低越好的么?还是有什么别的讲究呀?
搞错了,已经改过来,应该是内阻也选高了
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2015-04-28 10:15
@qinzutaim
搞错了,已经改过来,应该是内阻也选高了[图片]
那一般做5V的电源,同步整流的MOS导通内阻是要用多大的比较合适呀。通常是怎么选同步整流MOS的,真心请教。
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2015-04-28 10:35
@那个谁200
怎么看呀,贴几个图上来吧。
怎么我回复你的帖子老是被删掉?
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2015-04-28 11:04
@攻城人员
怎么我回复你的帖子老是被删掉?
不知道哦,是不是你的回复内容里有敏感内容发不出来啊
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2015-04-28 13:58
@那个谁200
那一般做5V的电源,同步整流的MOS导通内阻是要用多大的比较合适呀。通常是怎么选同步整流MOS的,真心请教。

同步整流的损耗是相对于其他二极管整流而言的,这就要求整流MOS两端电压降不能高于其他整流用的二极管.

比如你用0.5V压降的肖特基,要想改用同步整流,MOS损耗要比它低,必须要求整流期间MOS的电压降(=通过MOS的电流有效值*MOS的导通内阻*温度系数)小于0.5V,才有提高整流效率的作用.

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jianyedin
LV.9
16
2015-04-28 14:06
@那个谁200
刚好有现成的,就用上去了,内阻不是越低越好的么?还是有什么别的讲究呀?
ST的75N75不适合做同步整流,体内二极管太慢了。
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2015-04-28 15:31
@jianyedin
ST的75N75不适合做同步整流,体内二极管太慢了。
嗯,正在找别的管子来试。谢谢了。
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2015-04-28 15:32
@qinzutaim
同步整流的损耗是相对于其他二极管整流而言的,这就要求整流MOS两端电压降不能高于其他整流用的二极管.比如你用0.5V压降的肖特基,要想改用同步整流,MOS损耗要比它低,必须要求整流期间MOS的电压降(=通过MOS的电流有效值*MOS的导通内阻*温度系数)小于0.5V,才有提高整流效率的作用.
我去找别的管子来再测试。谢谢了。
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2015-04-29 08:34

昨天换了MOS SPN80T06 再次测试,这个是供应商给的DEMO电路中用的,这个内阻比ST 的75NF75小了几mR,发现效率也就只是高了零点几而已。

波形和之前的基本一样。

难道不是MOS上的损耗?还是因为MOS关断之后那个振荡的损耗?

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2015-04-29 08:38
@那个谁200
不知道哦,是不是你的回复内容里有敏感内容发不出来啊
你直接私信我
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2015-04-29 08:38
@那个谁200
昨天换了MOSSPN80T06再次测试,这个是供应商给的DEMO电路中用的,这个内阻比ST的75NF75小了几mR,发现效率也就只是高了零点几而已。波形和之前的基本一样。难道不是MOS上的损耗?还是因为MOS关断之后那个振荡的损耗?
调整一下死区时间看看.
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2015-04-29 09:53
@qinzutaim
调整一下死区时间看看.
是说同步MOS驱动提前关断的那个时间么?我去试试
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2015-04-29 10:23
@qinzutaim
调整一下死区时间看看.
加大死区的话,效率又降了一点,减小死区可以提高一点点,现在用来调节死区的那个电容只用33pF的了,再小的话怕会出问题,小得太极限了也不适合量产。
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2015-04-30 09:05
@那个谁200
加大死区的话,效率又降了一点,减小死区可以提高一点点,现在用来调节死区的那个电容只用33pF的了,再小的话怕会出问题,小得太极限了也不适合量产。
能看看你的实物吗?
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2015-04-30 19:18
@攻城人员
能看看你的实物吗?
昨天寄过去给芯片技术支持的帮调了,东西没在手上了。不好意思,不过等东西回来了可以拍照发上来。
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洪七公
LV.9
26
2015-05-04 21:39

还可以改版不?找我们吧,效率 89%左右电源,变压器PQ2016或RM8,初级mosfet 用到8N60就差不多了。

你这要重新设计,你这变压器都用PQ3220,mosfet 用12N65,这么高成本做5V10A都够了,完全可以做出89%左右的电源,。

5V5A 你要的高低压输入OCP恒流点要控制在多少以内?如果要求500mA以内,估计运放电路都可以给你省了。

现在留个联系方法都被删贴,很少来逛了,若有需要测试样机 demo,可以短信联系。su

有测试报告,不过贴上来估计就会被删,所以私下联系吧。

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ke可可
LV.5
27
2015-07-14 19:27
反激做低压大电流的同步整流有点不合适,我之前和同学也做了一个反激同步整流,电压电流等级差不多,电路图比这个简单,效率也上不去。之后用正激同步整流做6V 5A 的效率达到91%
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chuangmao
LV.7
28
2015-11-17 18:46
@ke可可
反激做低压大电流的同步整流有点不合适,我之前和同学也做了一个反激同步整流,电压电流等级差不多,电路图比这个简单,效率也上不去。之后用正激同步整流做6V5A的效率达到91%
9V 12A 全电压输入,PQ3220磁芯,高压220V做到12A输出,满载91.0%,半载92.0%。低压110V做到11A输出,满载89.5%,半载91.5%。
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2016-03-17 21:11
@chuangmao
9V12A全电压输入,PQ3220磁芯,高压220V做到12A输出,满载91.0%,半载92.0%。低压110V做到11A输出,满载89.5%,半载91.5%。
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赵隆宇
LV.3
30
2016-05-20 20:59
考虑下芯片是不是正品,尤其是同步整流的MOS质量是非常重要的。我年初调试了个PI INN2005K 5V4.5A开始效率怎么都只有82~84%最后把MOS换成正品厂家的。效率90%
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