1. MOS管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
2.要考虑二极管的单向导通性,主要是其保护作用,G,S间的寄生电容较小,通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压,所以通常会在G-S之间加上TVS,防止G-S击穿.
这个二级管是个寄生二极管,就是说,MOSFET从娘胎出来,天生就带这个东西,并非刻意所为。不过,实际应用中,该二极管有潜在的好处----续流!
场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域,用P+表示,形成两个P+N结。