电子负载CC,CR,CV模式的区别？

除了知道基本的各模式簡稱的全名以外，了解各模式的V-I特性曲線才算真正了解各模式的意義。

再來測試容性負載，並不是使用CR模式(參考特性曲線)，其特性曲線與電容充電曲線完全不同(充電暫態趨近於短路)，故CR模式甚至CC、CV都無法完全模擬測試容性負載。

實際上要模擬容性負載需要控制多種模式來模擬不同容值所需的電流曲線，以下為Chroma 63600系列可模擬容性負載的"CZ mode".

CRCV什么的，只是为了针对不同类型的电源产品，模拟不同的使用环境而已，本质上都是通过CC模式再换算为其他参数实现的。

CP模式是怎么设计的

。

这几个图相当有用。但是对于容性负载的回答，我想，这不是楼主所要的答案。

楼主并非要用这几种模式来模拟容性负载。Rory_DG理解的测试拓扑是：电源(适配器)DC输出————DC Load。

楼主的测试拓扑应该是：

电源(适配器)DC输出——电容(能加多少，就是容性负载的值)——DC Load。至于这里DC Load应该选择什么模式呢？这才是楼主想问的。

先说一下大家都知道的：不同的模式，尤其是我们常用的恒压输出电源，一般多选择DC Load的CC模式或CR模式来做负载，调试测试过程中经常直接用CC模式，因为直观，要多少A就多少A，省去选择CR模式的换算。

但这两个模式下，拉电流的情况完全不一样，如Rory_DG所提供的图可见。这对容性负载，即所能带的电容量是有影响的，影响非常大，那到底测试容性负载应该使用哪种模式呢？

光说无益， 实测一下。取9VDC0.6A电源适配器为例，输入90Vac，使用Chroma6314。抱歉，不方面上图，只能说了。

一、测试拓扑“电源(适配器)DC输出————DC Load。”下不同模式时的输出电压和电流。

1、CCH模式时，输出电压爬升时间为13.77ms；输出电流基本不需要爬升时间，直接直线飙升至最大值928mA，然后再很快回到0.6A，这也就是CC模式了。

2、CCL模式时，输出电压爬升时间为10.37ms；一开始的2.48ms内，电流最大值180mA，均值持续为90mA，电压则由0V上升至4.04V；2.48ms后，电流突变为最大值748mA，均值持续为600mA左右。

3、  CR模式时，输出电压爬升时间为7.109ms；电流基本随电压的斜率上升。

二、测试拓扑“电源(适配器)DC输出——并联电容(2200uF)——DC Load”下不同模式时的输出电压和电流。

1、CCL、CCH模式时，输出电压爬升时间都为51ms左右；电流直接上升至840mA，均值持续为800mA，10ms后，再上升至均值900mA，直到输出电压正常才恢复正常输出电流。

2、CR模式时，输出电压爬升时间都为35.76ms左右；电流一开始就突升至最大值940mA，然后均值800mA持续到电压正常为止。

好，以上可以看到：输出电压爬升时间在每个模式下都不同，不带电容时的爬升时间，CCH>CCL>CR。带电容时的爬升时间，CCH=CCL。

对比爬升时间有什么用？很多芯片在启动开始的一小段时间内，可能100ms以内，是没有检测输出电流及电压的，我们称为“软启动”时间，过了这个时间，检测才开始，这时如果发现电压还未上升至额定输出值，那么就有可能进入保护状态；当然也有检测输出电流的。

以上可见，加电容会使输出电压爬升时间延长，CCH和CCL模式也会延长爬升时间，所以CC模式相对CR模式在测试容性负载时，要求更加严苛。换句话说，如果CC模式下的容性负载都能达到要求，那么CR模式下绝对OK，反之则不然。

针对楼主的问题，回答：一般选择CR模式，因为这种得到的容性负载值更准确，CC模式其实相当于预叠加了一部分容性负载在里面了。