如题 碰到一个难题
客户用内置MOS 2N60的 PSR的芯片 DIP-8的 EE19的做5V1.5A 在老化的时候1000个里面有17个 IC坏的 IC都是MOS击穿或体二极管阻值不对 开路 在这1000个老化OK的 里面再拿200个老化 还是有7个IC不良的
测试其VDS在245V输入输出5V1.5A的时候有570V左右 怀疑MOS耐压不足
没有仪器 只能用高压仪测试耐压 其他PIN短路 高压正接D 高压负接S
电压为DC 1KV 电流设定为1MA 时间5S 发现IC大部分都有640V左右的耐压 一部分IC耐压只有540V 比例有3%左右
如果把电流设定为500UA 测试的话都是在380V左右
这个怎么解释
是MOS不良吗 还是?
请大侠解释一下
谢谢