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传统MOSFET和超结MOSFET

     在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有着比普通MOSFET低得多的Rdson而得到普及。然而,普通sJ器件的一个缺点就是它的体二极管的反向恢复特性较差。早期的sJ器件有着较大的反向恢复电流,并且在某些反向恢复的情况下易于失效。尽管后来它的体二极管特性有了一定改善,但还是不能像传统MOSFET的体二极管那样耐用。我们示出即使施加缓和上升的di/dt,普通SJ器件的体二极管也还会失效。

     超结MOSFET的特点1. 极低的传导损耗2. 极大的电流能力3. 极低的栅极电荷Qg4. 低的开启电压5. 极快的开关速度6. 出色的UIS能力7. 百分百的雪崩能量击穿测试。

QQ截图20150908094205

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q若不弃永相惜q
LV.7
2
2015-09-08 09:50
超结（Super Junction）功率MOSFET系列产品采用先进的超结技术理论并引入创新设计，极大的降低了产品的特征导通电阻，突破了“硅限”限制。
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q若不弃永相惜q
LV.7
3
2015-09-08 09:50
@q若不弃永相惜q
超结（SuperJunction）功率MOSFET系列产品采用先进的超结技术理论并引入创新设计，极大的降低了产品的特征导通电阻，突破了“硅限”限制。
其中650V 20A产品的10V栅压下典型导通电阻仅为160毫欧。
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bbs一哥
LV.5
4
2015-09-08 10:02
早期的sJ器件有着较大的反向恢复电流,并且在某些反向恢复的情况下易于失效。
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bbs一哥
LV.5
5
2015-09-08 10:02
@q若不弃永相惜q
其中650V20A产品的10V栅压下典型导通电阻仅为160毫欧。
为了让MOS用起来更简单，就出现了驱动电路这类东西。
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几代人的成功
LV.5
6
2015-09-08 10:07
工作关系用不起，所以就木有去详细了解。。。应该是制造工艺上的不同导致该种mos具有某方面特有的特性。
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捷达小布点
LV.5
7
2015-09-08 10:11
MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压的原理？
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冰山一
LV.5
8
2015-09-08 10:11
@捷达小布点
MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压的原理？
就是脉宽调制技术（PWM）。百度一下就有了。
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冰山一
LV.5
9
2015-09-08 10:11
@bbs一哥
为了让MOS用起来更简单，就出现了驱动电路这类东西。
普通sJ器件的一个缺点就是它的体二极管的反向恢复特性较差。
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冰山一
LV.5
10
2015-09-08 10:12
@bbs一哥
早期的sJ器件有着较大的反向恢复电流,并且在某些反向恢复的情况下易于失效。
Mos管在开关电路中是怎么工作的？
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捷达小布点
LV.5
11
2015-09-08 10:19
@冰山一
Mos管在开关电路中是怎么工作的？
在给源极和漏极之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给G极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极
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捷达小布点
LV.5
12
2015-09-08 10:19
@捷达小布点
在给源极和漏极之间加上正确极性和大小的电压（因为管型而异）后，再给G极和源极之间加上控制电压，就会有相应大小的电流从源极流向漏极
如果信号电压够大，这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了。
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陌路绝途
LV.8
13
2015-09-08 10:24
超结mos据说EMI方面表现优越，具体可以到芯派官网找点资料仔细研究一下。
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evilwater
LV.1
14
2015-09-10 10:19
@陌路绝途
超结mos据说EMI方面表现优越，具体可以到芯派官网找点资料仔细研究一下。
芯派的超结MOSFET是用深沟槽工艺还是Muti-EPI工艺做的?
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陌路绝途
LV.8
15
2015-10-09 18:20
为了让MOS用起来更简单，就出现了驱动电路这类东西。
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得意的小女生
LV.8
16
2015-10-09 18:47
@bbs一哥
为了让MOS用起来更简单，就出现了驱动电路这类东西。
其中650V 20A产品的10V栅压下典型导通电阻仅为160毫欧。
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flowerhuanghua1
LV.7
17
2015-10-09 18:59
@陌路绝途
为了让MOS用起来更简单，就出现了驱动电路这类东西。
超结（Super Junction）功率MOSFET系列产品采用先进的超结技术理论并引入创新设计，极大的降低了产品的特征导通电阻，突破了“硅限”限制。价格也更好。这个对于产品来说也是技术突破。
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q若不弃永相惜q
LV.7
18
2015-10-09 19:23
@bbs一哥
早期的sJ器件有着较大的反向恢复电流,并且在某些反向恢复的情况下易于失效。
其中650V 20A产品的10V栅压下典型导通电阻仅为160毫欧。
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极大爱立信
LV.7
19
2015-10-10 08:56
为了让MOS用起来更简单，就出现了驱动电路这类东西。
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dakjncdc
LV.7
20
2015-10-10 09:25
其中650V 20A产品的10V栅压下典型导通电阻仅为160毫欧。
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捷达小布点
LV.5
21
2015-10-14 14:10
@q若不弃永相惜q
超结（SuperJunction）功率MOSFET系列产品采用先进的超结技术理论并引入创新设计，极大的降低了产品的特征导通电阻，突破了“硅限”限制。
都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。
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陌路绝途
LV.8
22
2015-11-03 16:41
早期的sJ器件有着较大的反向恢复电流,并且在某些反向恢复的情况下易于失效。
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得意的小女生
LV.8
23
2015-11-03 16:54
普通sJ器件的一个缺点就是它的体二极管的反向恢复特性较差。
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q若不弃永相惜q
LV.7
24
2015-11-03 17:23
依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有着比普通MOSFET低得多的Rdson而得到普及。
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得意的小女生
LV.8
25
2015-11-03 17:42
还是不能像传统MOSFET的体二极管那样耐用
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极大爱立信
LV.7
26
2015-11-03 18:45
@q若不弃永相惜q
超结（SuperJunction）功率MOSFET系列产品采用先进的超结技术理论并引入创新设计，极大的降低了产品的特征导通电阻，突破了“硅限”限制。
超结MOSFET的特点1. 极低的传导损耗2. 极大的电流能力
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dakjncdc
LV.7
27
2015-11-03 18:59
普通sJ器件的一个缺点就是它的体二极管的反向恢复特性较差。
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