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想做一个120V 10A 1200W的电子负载,原本想用5个IRFP4568 5个管子分开控制也就是每个2A 但是后来发现老是烧管子,求各位大神指导!

电压低的时候不会,但是超过60V后  就会经常烧管子。但是管子承载的功率60V*2A=120W远远没有达到规格书上所说的PD 517W,这是为什么,不应该是驱动导致的吧?求大神们解惑!
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2015-09-11 19:38

517W,不能这样理解的!

517W的前提它的金属头时刻保持在25度!

这个517W也是他们的理论值!

(175℃-25℃)/(0.29℃/W)=517W

需要加强散热,搞个散热器加高速风扇对着直吹!

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2015-09-12 01:28
@gnaijnaoul
517W,不能这样理解的!517W的前提它的金属头时刻保持在25度!这个517W也是他们的理论值!(175℃-25℃)/(0.29℃/W)=517W需要加强散热,搞个散热器加高速风扇对着直吹!

用了个大散热片,后面加了三个10W的风扇,温度可以控只在70度以下,这么来换算的话 (150℃-70℃)/(0.29℃/W)=275W    也没有超出Pd范围啊。。。有点疑惑, 是不是还和SOA有关?  对MOS不是太了解 还望前辈们多多解惑

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2015-09-12 08:55
@BOREAS2015
用了个大散热片,后面加了三个10W的风扇,温度可以控只在70度以下,这么来换算的话(150℃-70℃)/(0.29℃/W)=275W   也没有超出Pd范围啊。。。有点疑惑,是不是还和SOA有关? 对MOS不是太了解还望前辈们多多解惑[图片]

120V 1200W的负载用32只IRFP260吧,

32只MOS分4个散热片,4个风扇,每个散热片8只MOS,

5V时可以拉到240A没问题,120V可以拉到12A,最大功率1500W

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2015-09-12 20:05
@BOREAS2015
用了个大散热片,后面加了三个10W的风扇,温度可以控只在70度以下,这么来换算的话(150℃-70℃)/(0.29℃/W)=275W   也没有超出Pd范围啊。。。有点疑惑,是不是还和SOA有关? 对MOS不是太了解还望前辈们多多解惑[图片]

你做到一个管子120W的耗散功率,也能工作,只是可靠性不高!

要提高可靠性都是要留裕量的!

你需要检查:

1、MOS的驱动信号有没有过冲,如果有过冲可能MOS的瞬时功率就超标,导致MOS局部过热损坏;

2、启动停止时MOS的DS是否有过压,导致MOS雪崩击穿,如果雪崩能量过大也会导致MOS损坏

3、在IRFP4568的安全工作区图表里只允许到0.1A/40V

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2015-09-12 23:08
@水乡电源
120V1200W的负载用32只IRFP260吧,32只MOS分4个散热片,4个风扇,每个散热片8只MOS,5V时可以拉到240A没问题,120V可以拉到12A,最大功率1500W
前辈有没有推荐的原理图啊 ?  求指导
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2015-09-13 15:57
@水乡电源
120V1200W的负载用32只IRFP260吧,32只MOS分4个散热片,4个风扇,每个散热片8只MOS,5V时可以拉到240A没问题,120V可以拉到12A,最大功率1500W
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2015-09-13 15:59
@水乡电源
120V1200W的负载用32只IRFP260吧,32只MOS分4个散热片,4个风扇,每个散热片8只MOS,5V时可以拉到240A没问题,120V可以拉到12A,最大功率1500W
前辈麻烦帮我看看我画的这个原理图可不可行
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2015-09-13 16:01
@gnaijnaoul
你做到一个管子120W的耗散功率,也能工作,只是可靠性不高!要提高可靠性都是要留裕量的!你需要检查:1、MOS的驱动信号有没有过冲,如果有过冲可能MOS的瞬时功率就超标,导致MOS局部过热损坏;2、启动停止时MOS的DS是否有过压,导致MOS雪崩击穿,如果雪崩能量过大也会导致MOS损坏3、在IRFP4568的安全工作区图表里只允许到0.1A/40V

麻烦前辈帮指点指点我画的这份原理图驱动MOS可行吗?

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gnaijnaoul
LV.6
10
2015-09-13 20:20
@BOREAS2015
麻烦前辈帮指点指点我画的这份原理图驱动MOS可行吗?

你的电流设定电路有点复杂,可以使用运算放大器的加法电路实现!也可以用单片机输出PWM再二阶低通滤波得到直流电平!

电流反馈后面的RC滤波时间常数是0.47mS,在电流值达到设定值后延时2~3个时间常数RC后面才输出那个电平,因此MOS有可能因延时

完全开通,在高压时扛不住就挂掉了!

另外恒流反馈环不应该接成比较器模式,需要使用PI反馈。

不知道你有没有看过你的恒流输出的波形,是不是一直在波动的,有一定的纹波!

要把恒流环做的比较好,最好能建个数学模型在Matlab上仿真一下!

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BOREAS2015
LV.2
11
2015-09-13 22:41
@gnaijnaoul
你的电流设定电路有点复杂,可以使用运算放大器的加法电路实现!也可以用单片机输出PWM再二阶低通滤波得到直流电平!电流反馈后面的RC滤波时间常数是0.47mS,在电流值达到设定值后延时2~3个时间常数RC后面才输出那个电平,因此MOS有可能因延时完全开通,在高压时扛不住就挂掉了!另外恒流反馈环不应该接成比较器模式,需要使用PI反馈。不知道你有没有看过你的恒流输出的波形,是不是一直在波动的,有一定的纹波!要把恒流环做的比较好,最好能建个数学模型在Matlab上仿真一下!
挂上示波器,输出的波形确实一直是波动的
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BOREAS2015
LV.2
12
2015-09-30 12:05
@水乡电源
120V1200W的负载用32只IRFP260吧,32只MOS分4个散热片,4个风扇,每个散热片8只MOS,5V时可以拉到240A没问题,120V可以拉到12A,最大功率1500W
前辈帮我指点指点这份原理图,放大部分有问题和比较处理部分有问题,PWM根本无法调节Sheet1.pdf
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zhangyiping
LV.9
13
2015-09-30 18:46
@BOREAS2015
挂上示波器,输出的波形确实一直是波动的

电子负载其实非常好做,就是输出电压负端与输入负端连接,输输出电压一定低于输入电压,就是采用升压器了,与pfc原理其实差不多,就是升压电感,调占空比变化,电流表显示电流,占空比小的输出电流小,占空比大的输出的电流大,这个是非常好做的,电子负载可以调节电流大小的变化,把输出电流功率回馈到输入端了,如120伏电压比较高的电流小了,如果电压低的电流大了,一般输入的电压是220伏交流,那么,直流就是300伏左右,如果pfc的电压那就是400伏左右,可以用500伏的开关管,如460的管子,20安500伏,如果三相电就用到我采用的是600伏,当然,也可以27安800伏的,选择电流看一下平均输出电流是多少,按实际需要选择吧。

    电子负载的好处就是,比如,输出效率是90,升压器的效率是95,那么,损耗应当是15%的输入总功率了,如果在家里做实验,3000瓦功率太大了,如果是三相电380伏,家里没有三相电,但可以二倍压整流,3000瓦的百分之15就是450瓦,用1000瓦单相电自耦变压器这个非常容易了吗,还有,老化要长时间工作,3000瓦只要实际消耗功率450瓦以下就可以了,实际就是这个道理,所以还是非常实用的,这个老早就有了,我就有这个东西,调试看变压器电感器开关管整流管温度,这个可以知道损耗大小了,然后实际输入220伏或380伏就完了。

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2015-10-06 21:27
做好了吗?我的电子负载也是高压烧管子,电流才调一点点就烧了,低压时候非常稳定
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zhangyiping
LV.9
15
2015-10-07 11:59
@zhiyiyunmeng
做好了吗?我的电子负载也是高压烧管子,电流才调一点点就烧了,低压时候非常稳定
低电压可以,高电压不行,为什么,其实,这个非常好做的,不是难,高电压老烧管子,电流才调一点就烧了,恐怕是磁芯饱和了,电流非常大,所以坏了,你是用什么材料的呀,是不是用铁氧体,还是铁硅捛,而且电感量是否太小了,小了的低电压可以,高电压就不行了,看一下吧,你一定搞错了。
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2015-10-08 10:15
@zhangyiping
低电压可以,高电压不行,为什么,其实,这个非常好做的,不是难,高电压老烧管子,电流才调一点就烧了,恐怕是磁芯饱和了,电流非常大,所以坏了,你是用什么材料的呀,是不是用铁氧体,还是铁硅捛,而且电感量是否太小了,小了的低电压可以,高电压就不行了,看一下吧,你一定搞错了。

电子负载不需要磁芯也不需要电感,

MOS工作在放大状态,

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dy-pbSlEURt
LV.1
17
2023-07-14 17:15
@水乡电源
120V1200W的负载用32只IRFP260吧,32只MOS分4个散热片,4个风扇,每个散热片8只MOS,5V时可以拉到240A没问题,120V可以拉到12A,最大功率1500W

为什么需要32只呢,如果要设置冗余的话应该如何确定呢?

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