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低压输入时开关管关断时电压往上翘起

附件是MOSFET Vds波形。
低压输入90Vac及110VAC输入时, MOSFET Vds波形(工作于QR模式开关管关断时电压往上翘起).
高压输入220Vac及264VAC输入时, MOSFET Vds波形(工作于QR模式开关管关断时电压比较平)。
在低压输入时开关管关断时电压往上翘起是什么原因?
这个是应用在单级PFC恒流输出应用中,工作于QR模式。
谢谢!
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sonny9665
LV.4
2
2015-10-08 16:57

输入90Vac VDS

输入220Vac VDS

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2015-10-08 18:03

低压时候电流大,漏感的能量大,尖峰比较高。

可能吧。

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2015-10-09 09:50
@sonny9665
输入90VacVDS输入220VacVDS
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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2015-10-10 10:34
@sonny9665
输入90VacVDS输入220VacVDS

因为单极线路你整流以后的薄膜电容小了。这里电容不能过小,改大会有明显改善。

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sonny9665
LV.4
6
2015-10-12 15:41
@417zhouge
低压时候电流大,漏感的能量大,尖峰比较高。可能吧。

薄膜电容加大,90VAC 低压关断后电压往上斜消除了,是什么原因呢?

难道是输入电流不行由畸形,把薄膜电容加大让它平滑些。谢谢

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2015-10-12 17:24
@sonny9665
薄膜电容加大,90VAC低压关断后电压往上斜消除了,是什么原因呢?难道是输入电流不行由畸形,把薄膜电容加大让它平滑些。谢谢

如果有CLC做PFC的MOSFET前的滤波会比较理想。

L和N输入端有差模电感的话,波形也会好看些。

你的薄膜电容的大小应该对应了你的PF值有差异。

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sonny9665
LV.4
8
2015-10-13 09:37
@417zhouge
如果有CLC做PFC的MOSFET前的滤波会比较理想。L和N输入端有差模电感的话,波形也会好看些。你的薄膜电容的大小应该对应了你的PF值有差异。

7贴,回答得很对,试验下来确实是这样的。我觉得低压输入时,开关管关断时电压往上斜,

不会影响电气特性,没有什么弊端,是吗?

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2015-10-13 12:32
@sonny9665
7贴,回答得很对,试验下来确实是这样的。我觉得低压输入时,开关管关断时电压往上斜,不会影响电气特性,没有什么弊端,是吗?

是这样的,MOSFET都关闭了,电压变化不是MOSFET能控制的,是输入电压,寄生振荡电压,或者LC什么的振荡电压影响。

电气特性影响无非就是开关损耗了,一点点的损耗没有什么关系的。

管子的应力不超过就可以了。

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sonny9665
LV.4
10
2015-10-13 15:35
@417zhouge
是这样的,MOSFET都关闭了,电压变化不是MOSFET能控制的,是输入电压,寄生振荡电压,或者LC什么的振荡电压影响。电气特性影响无非就是开关损耗了,一点点的损耗没有什么关系的。管子的应力不超过就可以了。
感谢417zhougeyingwenself的回答,非常满意。谢谢
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