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boost升压问题

右端的boost_pwm口输出的是单片机控制的33khz，占空比2/3的pwm信号,高电平为3.3v，mos管是bs107a，输入电压是5v，实测升到了100v，mos管d级电压如图，为什么mos管的占空比会变这么低，怎么升到100v的

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电源网-fqd
2
2015-10-15 09:36
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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javike
3
2015-10-15 12:33
电感带抽头吗？ 不然升不到这么高哦
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edie87@163.com
4
2015-10-15 14:38

你看反了，

MOS管导通时，其D极电压为零。

就是，他的占空比很大，而不是很小

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UP徐
LV.3
5
2015-10-15 14:47
很明显，驱动电压过低，看了安森美的datasheet，bs107a的极限驱动电压（1V-3V),考虑参数差异，以及分布电容的影响，有可能要高于3V，还要考虑你控制器出来的信号的驱动能力，也就是说考虑上升时间与下降时间。至于电压为什么升到那么高，你可以参考boost输出开路去考虑。
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dlcnight
LV.2
6
2015-10-15 15:21
@javike
电感带抽头吗？不然升不到这么高哦
就是直插式的电感，没抽头，很好买的那种
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dlcnight
LV.2
7
2015-10-15 15:22
@edie87@163.com
你看反了，MOS管导通时，其D极电压为零。就是，他的占空比很大，而不是很小

恩，是的，但是关键是我给的pwm信号占空比是2/3，为什么到mos管这就变成0.95左右了，这是为什么呢

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dlcnight
LV.2
8
2015-10-15 15:24
@UP徐
很明显，驱动电压过低，看了安森美的datasheet，bs107a的极限驱动电压（1V-3V),考虑参数差异，以及分布电容的影响，有可能要高于3V，还要考虑你控制器出来的信号的驱动能力，也就是说考虑上升时间与下降时间。至于电压为什么升到那么高，你可以参考boost输出开路去考虑。
不是，我是想问为什么导通时间占总周期的0.95以上呢？我看了这个管子的datasheet，开启时间和关断时间大约都是在10ns左右的
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edie87@163.com
9
2015-10-15 15:35
@dlcnight
恩，是的，但是关键是我给的pwm信号占空比是2/3，为什么到mos管这就变成0.95左右了，这是为什么呢
拿两个探头，一个看单片机的输出驱动信号，一个看MOS管G极的驱动信号
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dlcnight
LV.2
10
2015-10-15 15:39
@UP徐
很明显，驱动电压过低，看了安森美的datasheet，bs107a的极限驱动电压（1V-3V),考虑参数差异，以及分布电容的影响，有可能要高于3V，还要考虑你控制器出来的信号的驱动能力，也就是说考虑上升时间与下降时间。至于电压为什么升到那么高，你可以参考boost输出开路去考虑。
我给的信号是3.3v的，实测是完全可以使mos管导通的
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dlcnight
LV.2
11
2015-10-15 16:11

这个是pwm信号（ch1）和mos管d级电压信号（ch2）

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edie87@163.com
12
2015-10-15 16:25
@dlcnight
[图片]这个是pwm信号（ch1）和mos管d级电压信号（ch2）
你这是4通道的示波器，加多一路看mos管G极的波形，肯定是驱动哪里有问题
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dlcnight
LV.2
13
2015-10-15 16:41
@edie87@163.com
你这是4通道的示波器，加多一路看mos管G极的波形，肯定是驱动哪里有问题
pwm信号就是g级波形了
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dlcnight
LV.2
14
2015-10-15 16:42

d极波形

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417zhouge
15
2015-10-15 17:29
@dlcnight
[图片]d极波形
把DS之间的测试用1V/格，占空比应该就差不多了。
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dlcnight
LV.2
16
2015-10-15 17:29
@dlcnight
pwm信号就是g级波形了
看楼下，我觉得是mos管的开断时间比确实是2：1，主要是二极管的漏电流造成了反向电压的形成，但是这个和boost升压的原理不一样，boost升压的vo：vi=1/（1-d），d是占空比
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UP徐
LV.3
17
2015-10-15 17:55
@417zhouge
把DS之间的测试用1V/格，占空比应该就差不多了。
还要看一下电感电流是否连续，对不？
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UP徐
LV.3
18
2015-10-15 18:52
找到原因了，是由你后级电路引起的，相当于boost开路，开关管关断后，再较短的时间内1uF电容充电完成，二极管关断，在关断过程中开关管D端的电压降到0V，这个降低到0V是怎样理解呢？为什么不是与输入相等的5V？应该与二极管的恢复有关。明天面试，本人愚钝，先到这里了
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dlcnight
LV.2
19
2015-10-15 19:32
@UP徐
找到原因了，是由你后级电路引起的，相当于boost开路，开关管关断后，再较短的时间内1uF电容充电完成，二极管关断，在关断过程中开关管D端的电压降到0V，这个降低到0V是怎样理解呢？为什么不是与输入相等的5V？应该与二极管的恢复有关。明天面试，本人愚钝，先到这里了
是啊，我也是这么想的，电压不等于5是因为二极管的漏电流造成的，关键是这个和boost升压的原理对不上了，boost升压的vo：vi=1/（1-d），d是占空比
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UP徐
LV.3
20
2015-10-15 19:39
@dlcnight
是啊，我也是这么想的，电压不等于5是因为二极管的漏电流造成的，关键是这个和boost升压的原理对不上了，boost升压的vo：vi=1/（1-d），d是占空比
，电容具有隔直作用，你那个C40相当于把boost电路开路了，你得按照开路去想
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dlcnight
LV.2
21
2015-10-15 20:54
@UP徐
[图片][图片][图片]，电容具有隔直作用，你那个C40相当于把boost电路开路了，你得按照开路去想
那也不该是100多v啊，能解释下或有相关理论计算依据么
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恒流王
LV.5
22
2015-10-17 21:59
@dlcnight
那也不该是100多v啊，能解释下或有相关理论计算依据么
鳖说100v ，放电时间短的话200v都能嘚瑟出来
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417zhouge
23
2015-10-18 21:43
@dlcnight
那也不该是100多v啊，能解释下或有相关理论计算依据么
电感在有电流的情况下，在uS,nS级别的时间里面可以看成是理想的，当MOSFET关断，电感的电流未变，但是电阻值从0变为N大，欧姆定律即可得出电压值。
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dlcnight
LV.2
24
2015-10-18 21:52
@恒流王
鳖说100v，放电时间短的话200v都能嘚瑟出来
什么意思？能详细解释下么？在mos管关断的时间里，电感在很短的时间内就放点完毕了，怎么能通过相关计算得到升高到的电压值？
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dlcnight
LV.2
25
2015-10-18 21:53
@417zhouge
电感在有电流的情况下，在uS,nS级别的时间里面可以看成是理想的，当MOSFET关断，电感的电流未变，但是电阻值从0变为N大，欧姆定律即可得出电压值。
怎么得？N大？我后级没接负载，能计算下么
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417zhouge
26
2015-10-18 22:10
@dlcnight
怎么得？N大？我后级没接负载，能计算下么
你就假设电流1A,输出电阻，100欧姆。或者电感的能量转换成电容能量，1/2I2L=1/2CU2。验证这个说法，加大电容就可以得出来。
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