采用固定关断时间的控制方式，其关断时间可通过外部电阻设定，采用内置补偿技术，无需外部补偿电容，且内置输出过压保护功能，其过压保护点可通过外部电阻设定。
MOS
首先要考虑MOS管的耐压，一般要求MOS管的耐压高过最大输出电压的1.5 倍以上。其次，根据驱动LED电流的大小以及电感最大峰值电流来选择MOS管的IDS电流。一般MOS管的IDS最大电流应是电感最大峰值电流的2 倍以上。此外，MOS管的导通电阻RDSON要小，RDSON越小，损耗在MOS管上的功率也越小，系统转换效率就越高。另外，高压应用时应注意选择低阈值电压VTH的MOS管。芯片的工作电源电压决定了DRV驱动电压。通常芯片的驱动电压为5V，所以应保证MOS管在VGS电压等于5V时导通内阻足够低。
