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超大电流短路保护MOS老烧?求指导！！！

超大电流短路保护MOS老烧?求指导！！！

我搭的一个短路保护板，主要是用来启动小车！我的MOS管是一个auirfs8409-7p ，当把短路保护电路去掉且G极保持12V电压，启动汽车 MOS没问题，当有短路保护电路，短路动作MOS-G极关断瞬间MOS就烧了，搞不明白，原来以为是反向尖峰击穿，后来DS间加了TVS 还是一样！求各位大神解答。不胜感激

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LV.2

2

2015-11-26 16:13

G极关断过快是不是也会烧呢，我知道过慢也会烧，我的G极是用SI2300下来至地的过流检测IC用的是DW01

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3

2015-11-26 18:17

@KalLian

G极关断过快是不是也会烧呢，我知道过慢也会烧，我的G极是用SI2300下来至地的过流检测IC用的是DW01

是不是保护的时候，已经超出MOSFET的安全工作区了？看下电压电流波形对照SOA的图看看。

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LV.2

4

2015-11-26 18:50

@417zhouge

是不是保护的时候，已经超出MOSFET的安全工作区了？看下电压电流波形对照SOA的图看看。

我对SOA不了解！你的意思是保护关断时G极电压有个下降的过程，这个过程MOS管的内阻变大，I2*R ?瞬间过热烧毁MOS？是这样理解么？

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LV.2

5

2015-11-26 19:23

@KalLian

我对SOA不了解！你的意思是保护关断时G极电压有个下降的过程，这个过程MOS管的内阻变大，I2*R?瞬间过热烧毁MOS？是这样理解么？

你这思维有问题，是关闭之前已经过流烧了，反过来说是关闭动作过慢或短路瞬间电流已超管子极限

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6

2015-11-26 19:25

@KalLian

我对SOA不了解！你的意思是保护关断时G极电压有个下降的过程，这个过程MOS管的内阻变大，I2*R?瞬间过热烧毁MOS？是这样理解么？

可以这么理解。顺便测试下波形，对应下SOA的图看看。

楼上兄弟的意思是，MOSFET已经挂了，才给出的关断信号？

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LV.2

7

2015-11-26 19:47

@KalLian

我对SOA不了解！你的意思是保护关断时G极电压有个下降的过程，这个过程MOS管的内阻变大，I2*R?瞬间过热烧毁MOS？是这样理解么？

soa是这个图吗

VDS 实际导通时的电压只有0.1v 我的想法是，关断的过程RDS(no)逐渐变大，VDS也逐渐变大，但是ID也很大，一旦超出SOA图的安全区域必烧，是吗

从这个情况看，有什么解决的办法呢，是加速关断G极，或是延时，或是并联多个MOS?

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LV.2

8

2015-11-26 19:52

@yinweini123

你这思维有问题，是关闭之前已经过流烧了，反过来说是关闭动作过慢或短路瞬间电流已超管子极限

不对啊！如果我不去关断这个MOS管，启动汽车正常，并没有烧毁！但是加了短路保护之后，就烧MOS了，关断G极我是采用SI2300小MOS下拉主MOS-G极到S极！应该够快的了吧！

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LV.2

9

2015-11-26 19:54

@417zhouge

可以这么理解。顺便测试下波形，对应下SOA的图看看。楼上兄弟的意思是，MOSFET已经挂了，才给出的关断信号？[图片]

多谢417兄弟指点，自己研究了一下应该是超出了安全工作区，回头用示波器看看，这边条件不好，没示波器！

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LV.2

10

2015-11-26 19:57

@417zhouge

可以这么理解。顺便测试下波形，对应下SOA的图看看。楼上兄弟的意思是，MOSFET已经挂了，才给出的关断信号？[图片]

顺便问一下TC，Tj是什么温度？英文盲！求指导

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11

2015-11-26 20:13

@KalLian

soa是这个图吗[图片]VDS实际导通时的电压只有0.1v 我的想法是，关断的过程RDS(no)逐渐变大，VDS也逐渐变大，但是ID也很大，一旦超出SOA图的安全区域必烧，是吗从这个情况看，有什么解决的办法呢，是加速关断G极，或是延时，或是并联多个MOS?

不知电路中是否允许加大电流的PTC电阻保险丝。

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LV.2

12

2015-11-26 20:48

@417zhouge

不知电路中是否允许加大电流的PTC电阻保险丝。

启动汽车的瞬间电流有300-500A哦！能加吗？

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LV.2

13

2015-11-26 20:54

@KalLian

启动汽车的瞬间电流有300-500A哦！能加吗？

我看了SUNsigns的 SOA注意事项，使Vgs下降时间长于Vdd，对我的电路应用来说好像没办法实现！难道要启动完在关断Vgs？那短路就没意义了！417兄你看有什么好办法吗？

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LV.2

14

2015-11-26 21:08

我想了想能不能在DS间加个大电容，当Vgs瞬间下降为0的时候，DS电容分流一部分Ids！！！不至于超出SOA安全区！不知可行。

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15

2015-11-26 21:26

@KalLian

[图片]我看了SUNsigns的SOA注意事项，使Vgs下降时间长于Vdd，对我的电路应用来说好像没办法实现！难道要启动完在关断Vgs？那短路就没意义了！417兄你看有什么好办法吗？

太大了，不能加。

有没有参考电路呢？这么大的电流MOSFET是不是不太合适呢？

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LV.2

16

2015-11-26 21:45

@417zhouge

太大了，不能加。有没有参考电路呢？这么大的电流MOSFET是不是不太合适呢？

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LV.2

17

2015-11-26 21:48

@417zhouge

太大了，不能加。有没有参考电路呢？这么大的电流MOSFET是不是不太合适呢？

我也不知道适不适合，但是可以肯定的是保持G极12v 能启动汽车而没有损坏！！

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LV.2

18

2015-11-26 22:38

@KalLian

[图片]

你是进入恒流状态了吧？单次关断soa不用管

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LV.2

19

2015-11-26 22:53

@yinweini123

你是进入恒流状态了吧？单次关断soa不用管

电路随手画的，画简单了应该是这样电路带短路自锁，需要把VCC断开才能恢复

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LV.2

20

2015-11-26 23:16

我又做了个实验，当输出4.2V时，故意短路，短路保护电路自锁关断MOS，MOS没烧，当我输出12.6V时，故意短路，短路保护电路自锁关断MOS，MOS烧了！我看了下这个MOS管的SOA图 DS在4V时允许的ID也有250A上，1ms。

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LV.8

21

2015-11-27 07:55

是不是MOS管没有选择合适

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LV.2

22

2015-11-27 08:36

@wj_12691495

是不是MOS管没有选择合适

最大电流就这个了240A的ID，还有其他的大电流MOS吗？

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23

2015-11-27 12:43

@KalLian

电路随手画的，画简单了应该是这样电路带短路自锁，需要把VCC断开才能恢复[图片]

如果是这个原理图的话，关断MOSFET的时候，Q2的CE是不是要在MOSFET的GS两端。

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LV.2

24

2015-11-27 12:50

@417zhouge

如果是这个原理图的话，关断MOSFET的时候，Q2的CE是不是要在MOSFET的GS两端。

是的

加速关断！

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25

2015-11-27 14:28

@KalLian

是的加速关断！

用几个管子并联，R1用100k试试。

Q3的VCC放到电池的“+”上。

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LV.1

26

2016-02-04 16:51

学习一下什么原因

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LV.1

27

2016-02-04 17:00

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LV.5

28

2016-02-08 11:01

来看看！

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LV.2

29

2016-02-08 12:20

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LV.6

30

2016-02-08 12:50

看看什么原因

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LV.4

31

2016-02-11 14:19

路过

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