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av-rgb：

巧妙的完成pcf和反激电路，可惜是两个mos中pmos贵切难选。

2023-12-26 17:04 回复

av-rgb：

是不对称半桥和llc对比？

2023-10-28 02:35 回复

av-rgb：

充电头网上似乎见过，没有精确效率测试，都是业余水平的测评。

2023-09-20 23:33 回复

av-rgb：

改sic吧，gan一般中小功率

2023-09-20 23:29 回复

av-rgb：

驱动看看？

2023-09-20 22:09 回复

av-rgb：

上兆的频率没有合适的磁性材料照样百搭，目前频率200k附近，效率提高有限，只能做噱头。

2022-07-03 00:49 回复

av-rgb：

这个帖子有点充电头网的风格。

2022-07-03 00:18 回复

av-rgb：

人家问的是氮化镓mos，不是充电头成品。

2022-07-03 00:03 回复

av-rgb：

有道理，说的天花乱坠，把igbt贬的一无是处，当初igbt取代达林顿时候可不是这么说的，2000w功率电源谁用igbt啊，mos管效率可以接近97，氮化镓、碳化硅高一个百分点，但成本与可靠性真的不不好说。

2022-07-02 23:59 回复

av-rgb：

l楼上答案等于没说

2022-05-12 16:29 回复