一直在用SL的 平面MOS 5N65 做 5V 4.2A的 适配器，温升，效率都可以满足要求。
但2016年，6级能效开始实施，对温升和效率有了新的门槛，如果有COMOS，成本难以接受。 近来有供应商推荐苏州东微的GMOS，主芯片为SP6601 在使用时遇到这些问题。
1>直接替换，不做任何修改，板子不能启动。
2>直接替换，修改MOS驱动电阻，从10R 增加到390R，温升跟平面MOS一样，效率提升0.5%
3>直接替换，修改MOS驱动电阻，从10R 增加到470R，温升跟平面MOS相比下降5度，效率不变。
4>直接替换，驱动电阻选470R，但EMI比之前超出10DB。
5>直接替换，驱动电阻选470R，吸收回路 电容和电阻增大，加深。变压器EMI余量只有2DB。
后面会再发出相关测试图片，第一次发帖。
