关于MOS VDS尖峰请教!
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@guduyuanyuai
C1:222 R53/R55100R
我确实是不上QQ,有电子邮箱就可以了,原来,是反激的,怎么低电压反激,通常推挽的,要知道,低电压的而且,输出才12伏,这么低电压的的漏电感一定非常非常的大了,首先,就是漏电感引起的,这样做的效率也一定非常的低了,即开关管存在的环流也非常大,管子会发热的,反压也非常高了,就是这里出现的尖峰电压非常高的由来了,那么,应当怎么做的呢,首先,就是必须减小漏电感了,变压器初级多少匝数,一层正好绕下去,二层次级,也是一层正好,一层一层单数初级,双数次级,一概这个直到绕满,一概初级次级分别的并联,但是,这样削不注意匝数搞错就不行了, 即不是什么三明治了,而是非常多明治了,这样的漏电感一定非常小了,也就不存在尖峰电压,环流问题,效率也一下子就提高了,即漏电感必须减小的,否则,就是出现这种情况了。
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@zhangyiping
我确实是不上QQ,有电子邮箱就可以了,原来,是反激的,怎么低电压反激,通常推挽的,要知道,低电压的而且,输出才12伏,这么低电压的的漏电感一定非常非常的大了,首先,就是漏电感引起的,这样做的效率也一定非常的低了,即开关管存在的环流也非常大,管子会发热的,反压也非常高了,就是这里出现的尖峰电压非常高的由来了,那么,应当怎么做的呢,首先,就是必须减小漏电感了,变压器初级多少匝数,一层正好绕下去,二层次级,也是一层正好,一层一层单数初级,双数次级,一概这个直到绕满,一概初级次级分别的并联,但是,这样削不注意匝数搞错就不行了, 即不是什么三明治了,而是非常多明治了,这样的漏电感一定非常小了,也就不存在尖峰电压,环流问题,效率也一下子就提高了,即漏电感必须减小的,否则,就是出现这种情况了。
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@guduyuanyuai
不懂哎,帮忙改改~!发出去打样再试试!~
其实,这个非常好理解的吗,就是多多明治,其实,我九十年代末那时都是硬开关,移相的还很少,听说清华大学的那一帮人做开关电源就是搞了这个花招,据说连RC吸收器也可以不要了,老早就有人知道这个办法了,二十年前就有人知道这样的漏电感非常小了,但20年前我还没有干电源呢。
其实,也就是这么简单,就是搞了一层初一层次级,好多层,一排就是头尾端了,然后一概并联,这样的漏电感非常小了,所以,吸收器也可以不要了,就没有什么峰值电压,否则一定要加吸收器,漏电感越大的吸收器也必须越大,否则,要爆管的,这个其实也就是这么简单了,也好理解的东西。
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@zhangyiping
其实,这个非常好理解的吗,就是多多明治,其实,我九十年代末那时都是硬开关,移相的还很少,听说清华大学的那一帮人做开关电源就是搞了这个花招,据说连RC吸收器也可以不要了,老早就有人知道这个办法了,二十年前就有人知道这样的漏电感非常小了,但20年前我还没有干电源呢。 其实,也就是这么简单,就是搞了一层初一层次级,好多层,一排就是头尾端了,然后一概并联,这样的漏电感非常小了,所以,吸收器也可以不要了,就没有什么峰值电压,否则一定要加吸收器,漏电感越大的吸收器也必须越大,否则,要爆管的,这个其实也就是这么简单了,也好理解的东西。
理解绕法,不解变压器参数要怎么设计啊
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@zhangyiping
顶
变压器的参数确实有书本资料,看看一些,开关电源丛书都有介绍,我推荐简单的计算方法,以220伏最低直流是230伏,最大占空比是0,3,峰值电流,频率,就是电感=230*0,3/峰值电流*频率=,,,,注意,频率选择兆赫,如68千赫就是0,068,匝数怎么计算,指初级=【电感值*峰值电流*10/磁芯中间面积*特斯拉,,说明一下,电感采用哼单位,即100微哼就是负六次方哼,就是0,0001哼,下面,面积采用厘米单位,,特斯拉单位,比如,一特斯拉=10000高斯,如1200高斯就是0,12特斯拉了,当然,线谈到这里,还有不明白的下一帖提问。
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@zhangyiping
我确实是不上QQ,有电子邮箱就可以了,原来,是反激的,怎么低电压反激,通常推挽的,要知道,低电压的而且,输出才12伏,这么低电压的的漏电感一定非常非常的大了,首先,就是漏电感引起的,这样做的效率也一定非常的低了,即开关管存在的环流也非常大,管子会发热的,反压也非常高了,就是这里出现的尖峰电压非常高的由来了,那么,应当怎么做的呢,首先,就是必须减小漏电感了,变压器初级多少匝数,一层正好绕下去,二层次级,也是一层正好,一层一层单数初级,双数次级,一概这个直到绕满,一概初级次级分别的并联,但是,这样削不注意匝数搞错就不行了, 即不是什么三明治了,而是非常多明治了,这样的漏电感一定非常小了,也就不存在尖峰电压,环流问题,效率也一下子就提高了,即漏电感必须减小的,否则,就是出现这种情况了。
借贴问一下张大师,听你的意思这种电源通常要用推挽的,如果没搞过推挽用半桥行吗?印象中半桥的磁偏问题比较容易处理
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