产品EMI还是不过，想动变压器，高手移步指点下

手上有个案子，90V-265Vac输入,5Vdc-12A多USB输出，产品老化温度高，常温下高压MOS 125度，变压器118度，超标了. EMI测试效果也不尽人意（效果详见附件图）。综合总体情况评估应该是变压器没设计好，所以在此征集各位高手建议，帮忙看看要怎么修改，附上原理图、变压器绕线。还望个各位不吝赐教！谢谢

经过两天的大家积极的解答，总的来说还是变压器和MOS问题，用平面MOS EMI 是OK的，但是温升又是一旦难题，所以还是希望大家给出变压器的整改意见！谢谢~！

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417zhouge

2016-01-25 12:39

输出是否有共模电感，可以试试改输出共模电感。

xiecaijin

LV.2

2016-01-25 13:38

@417zhouge

输出是否有共模电感，可以试试改输出共模电感。

输出板面限制，加上是6USB输出。所以没有放地共模电感！

假专家

LV.3

2016-01-25 14:41

@xiecaijin

输出板面限制，加上是6USB输出。所以没有放地共模电感！

从辐射的波形上看加共模也解决不了150-200M频段超标的问题（需要调整一下变压器绕线方式），当然和你的PCB布局有一定的关联，变压器温度也高，这个案子基本可以判定FAIL了，需要重新开始，变压器至少在40度环境下测试满足105才能说是正常范围（90VAC输入），变压器可以选择PQ2620 初级36 次级3T 电感量600-650uH之间是比较合理，输出铜箔整流可以用MPS6901 6902都可以。辐射这一块需要注意PCB布局

旧时光丶少年

LV.4

2016-01-25 14:49

LZ 这是用的哪家的方案？

443233785

LV.6

2016-01-25 17:04

以下三个思路，望对楼主有用：

1.加大MOS散热面积 2..R17用47R，R18用0R ；/D7二极管恢复时间用快一点的

2..变压器温度高，初级改成0.3*2的漆包线，辐射问题，N2改成线屏蔽

3..调整Y电容走线

hh918

LV.6

2016-01-25 17:24

@443233785

以下三个思路，望对楼主有用：1.加大MOS散热面积 2..R17用47R，R18用0R；/D7二极管恢复时间用快一点的2..变压器温度高，初级改成0.3*2的漆包线，辐射问题，N2改成线屏蔽 3..调整Y电容走线

温度那么高效率是多少？

xiecaijin

LV.2

2016-01-25 20:06

@假专家

从辐射的波形上看加共模也解决不了150-200M频段超标的问题（需要调整一下变压器绕线方式），当然和你的PCB布局有一定的关联，变压器温度也高，这个案子基本可以判定FAIL了，需要重新开始，变压器至少在40度环境下测试满足105才能说是正常范围（90VAC输入），变压器可以选择PQ2620初级36次级3T电感量600-650uH之间是比较合理，输出铜箔整流可以用MPS69016902都可以。辐射这一块需要注意PCB布局

修改变压器事小，要大动板就麻烦了，现在变压器用的是PQ3220了，不知您建议的“ 初级36 次级3T 电感量600-650uH之间”要怎么个绕法对辐射和温升好，还望指点。现在后端用的是MPS的6902同步整流，效率不是很高，90V-87.2% 264-88.7%。

xiecaijin

LV.2

2016-01-25 20:08

@443233785

谢谢你的关注：MOS驱动电阻R17改47R有试过，没什么效果。R18放电电阻改0R没有试过哎，放0R可以吗？

xiecaijin

LV.2

2016-01-25 20:08

@443233785

谢谢你的关注：MOS驱动电阻R17改47R有试过，没什么效果。R18放电电阻改0R没有试过哎，放0R可以吗？

hwx-555

LV.8

2016-01-26 08:12

N7移动N3与N4之间

电源网-fqd

2016-01-26 10:01

加个头条，大家一起来帮帮楼主哦

mht820413

LV.6

2016-01-26 10:25

@电源网-fqd

加个头条，大家一起来帮帮楼主哦

判断为开关过快引起的。

1 Vds加 10-100PF/1000V电容。

2 改动驱动电路。

3 VCC电压做到11-14V。

4 外置MOS的话D脚可以接磁珠。

5搞变压器吧，共模搞搞。还不行找IC厂家搞吧，还不行换方案吧，前提是你PCB搞的也没有问题。

xiecaijin

LV.2

2016-01-26 10:56

@mht820413

判断为开关过快引起的。1Vds加 10-100PF/1000V电容。2改动驱动电路。3VCC电压做到11-14V。4外置MOS的话D脚可以接磁珠。5搞变压器吧，共模搞搞。还不行找IC厂家搞吧，还不行换方案吧，前提是你PCB搞的也没有问题。

谢谢你的关注，正愁变压器要怎么改呢？

xiecaijin

LV.2

2016-01-26 10:56

@电源网-fqd

加个头条，大家一起来帮帮楼主哦

谢谢司令！

假专家

LV.3

2016-01-26 13:31

@xiecaijin

谢谢司令！

不是驱动引起的，DS之间加电容，应该能解决，但是会损失很大一部分效率，把PCB图放上来

Rachelmi

LV.9

2016-01-26 13:44

@假专家

不是驱动引起的，DS之间加电容，应该能解决，但是会损失很大一部分效率，把PCB图放上来

对呀，还行

liu_yaer

LV.6

2016-01-26 15:14

@Rachelmi

对呀，还行

HFC0500+MP6902 5V12A: 改变压器为主，MPS有5V-10A的变压器参考绕法可以试试，次级同步整流换颗MOS试试，PDP4960：40V 3.8毫欧 150A（我司有），MP6902一定要注意放在VSS-PGND主环路之外，否则Vg和Vd会受到影响导致Vgs波形异常，效率低，海翼有给ANKER用MP6901做过一款5V-12A，MP6902 EN脚可悬空，比MP6901多了空载休眠模式，空载电流小于300uA，非常适用于超低功耗，并兼容全球能效标准。

Rachelmi

LV.9

2016-01-26 15:41

@liu_yaer

HFC0500+MP69025V12A:改变压器为主，MPS有5V-10A的变压器参考绕法可以试试，次级同步整流换颗MOS试试，PDP4960：40V3.8毫欧150A（我司有），MP6902一定要注意放在VSS-PGND主环路之外，否则Vg和Vd会受到影响导致Vgs波形异常，效率低，海翼有给ANKER用MP6901做过一款5V-12A，MP6902EN脚可悬空，比MP6901多了空载休眠模式，空载电流小于300uA，非常适用于超低功耗，并兼容全球能效标准。

有道理

xiecaijin

LV.2

2016-01-26 16:06

@liu_yaer

HFC0500+MP69025V12A:改变压器为主，MPS有5V-10A的变压器参考绕法可以试试，次级同步整流换颗MOS试试，PDP4960：40V3.8毫欧150A（我司有），MP6902一定要注意放在VSS-PGND主环路之外，否则Vg和Vd会受到影响导致Vgs波形异常，效率低，海翼有给ANKER用MP6901做过一款5V-12A，MP6902EN脚可悬空，比MP6901多了空载休眠模式，空载电流小于300uA，非常适用于超低功耗，并兼容全球能效标准。

变压器就是MPS工程提供的，现在他们自己都解决不了！

PS：我用的是11N65的COOL MOS

hwx-555

LV.8

2016-01-26 16:29

@xiecaijin

变压器就是MPS工程提供的，现在他们自己都解决不了！PS：我用的是11N65的COOLMOS

N7这个次级你弄到后面绕，前面加了屏蔽也没多大用处

liu_yaer

LV.6

2016-01-26 17:09

@xiecaijin

变压器就是MPS工程提供的，现在他们自己都解决不了！PS：我用的是11N65的COOLMOS

尽量用普通MOS，我司有10N65的，COOL Qg很大吧，变压器试一试次级反打

覃工2008

LV.2

2016-01-26 17:48

@假专家

从辐射的波形上看加共模也解决不了150-200M频段超标的问题（需要调整一下变压器绕线方式），当然和你的PCB布局有一定的关联，变压器温度也高，这个案子基本可以判定FAIL了，需要重新开始，变压器至少在40度环境下测试满足105才能说是正常范围（90VAC输入），变压器可以选择PQ2620初级36次级3T电感量600-650uH之间是比较合理，输出铜箔整流可以用MPS69016902都可以。辐射这一块需要注意PCB布局

变压器NP/NS=75/6, 36/3=75/6,这位兄台的扎比可以拭一下，用初次初屏蔽反馈的层次方法绕，调试磁芯外层加屏蔽试试，这没有一定的算法，加大共差模X电容，减小驱动，调低频率。关键你这个变压器我不明拍为什么分这么多层，藕合性会下降很多，VCC电压要控制在11-15V内。VCC供电用慢管，75nS-以上的。