请问如果不考虑成本，这两种防误导通电路各有什么优劣？

这应该是关断加速电路吧，第一个栅极放电速度会快一些。

都不行，都起不到任何防误通作用

已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

新手画的图吧，没有防误开通的作用。

在驱动电阻上反并联了一个二极管，当mos关断时，关断电流就会流经二极管Doff，这样mos管gs的电压就为二极管的导通压降，一般为0.7V，远小于mos的门槛电压(一般为2.5V以上)，有效地避免了mos的误开通。

在驱动电路上加入了一个开通二极管Don和关断三级管Qoff。当mos关断时，Qoff打开，关断电流就会流经该三极管Qoff，这样mos管gs的电压就被钳位至地电平附近，从而有效地避免了mos的误开通。

这是我在其他地方看来的....感觉说的有些道理....麻烦点拨一下吧

误导通是米勒效应引起的，首先，电路参数性能才至关重要的，否则，如果发生了，一点方法都没有了，这里不过加快了关断时间了，没有保护的作用，首先，环路不稳定才是真正的要害了，如何稳定可靠，这个还是技术层面的，否则无济于事的。

1，二极管压降0.7V，是指在额定电流下，瞬时脉冲大电流下，压降达到5V不是问题

 

2，三极管那个就不说了，完全起不到你想像的作用

 

两种方案都要依靠 driver，如果 driver 因故离了线，则干扰就会全部加到功率管的栅极去！

第一图如果三极管的基极对地加一电阻,效果会好些,这两个图,设计的初衷都是降低低电平时候的内阻,使MOS的米勒电容传递的电流被分流,从而防误导通.