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mos管GS极被击穿了，求助

如图，KEY和V+同时上电大约50-70V，mos管后面的负载为开关电源。一上电mos管GS极就被击穿了，稳压管也被击穿了，谁能帮我分析下是什么原因呢？图中的GND1会晚于KEY和V+介入GND，GND1和GND之间有mos管，key上电后靠软件打开GND1和GND之间的mos管。求大神帮我分析下击穿的原因。

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417zhouge
2
2016-06-23 21:55

1 可能是C23的问题

2 可能是上电后，冲击电流太大把MOSFET冲坏了，过了安全工作区。

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js1008611
LV.2
3
2016-06-23 22:11
@417zhouge
1可能是C23的问题2可能是上电后，冲击电流太大把MOSFET冲坏了，过了安全工作区。
是gs击穿了
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417zhouge
4
2016-06-24 08:23
@js1008611
是gs击穿了

GS击穿就是GS电压问题，可以拿示波器挂下GS电压波形，不装MOSFET，用3个小电容代替MOSFET就可以看到了。

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电源网-fqd
5
2016-06-24 11:10
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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houran77
LV.6
6
2016-06-27 23:44

mos管放大区过度的时间太长了，过功率损坏了。

R39  5.1M对0.1uF充电，时间应该蛮长的。如果mos动作时间达到mS级，mos管很容易挂掉

如果动作时间控制在us级或者nS级，应该就没问题了

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js1008611
LV.2
7
2016-07-15 18:28
@houran77
mos管放大区过度的时间太长了，过功率损坏了。R39 5.1M对0.1uF充电，时间应该蛮长的。如果mos动作时间达到mS级，mos管很容易挂掉如果动作时间控制在us级或者nS级，应该就没问题了
你可能没理解我的问题，我也没说清楚，这里在补充下，这个V+和key都依靠大概60多V的电压供电，key和V+同时上电，key上电后GND1和电池负GND之间的mos管才打开，也就是说，gnd1可能会有短暂的悬空时间，那么在这种情况下，为啥图中的mos管会被击穿
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