ST L6562D 200W APFC 低压输入效率低

PQ2625改PQ3225或者PQ3230。

线径改小，采用0.1*100或者0.1*X的绞合线。

感谢你回复，我现在用的是0.15*20的线。

斑竹：我换了0.1*80的线绕了个，效率还是没上去，实在想不通还有哪里有问题。

原理图

  ZCD电阻是82K   ，供电是外接直流电源15V

效率跟好几个因素有关。

1、低压时，电流大，桥堆，线损，二极管和MOSFET对应的压降高，损耗大。

2、因为峰值电流大，电感的△B会变大，但是热主要还是在线上，所以，可以改大些的磁芯，能绕粗线。

3、如果磁芯温度还好，可以改变感量，让MOSFET的频率稍微变化点，看看效率是否有提升。

4、桥堆后面增加474电容试试效率是否有区别。

我手上有个产品，用的别的芯片，也是200W左右，我用同样的方法把热敏、共模都短路掉，100VAC 效率93.6%，90VAC效率92.3%。

更换过这个产品的整流桥和二极管，PFC电感，MOS管（更换MOS效率还低了点，样是18N50，我的是龙腾20N60的酷MOS），效率都没改善，我现在开始怀疑L6562D做这么大功率效率做不了这么高。这个IC应该只适合做100W左右的PFC。

还有一个值得注意的是，我的PF值一直都很高，用2uF的电容，264V PF仍有0.97，3uF  有0.96，没有象资料所说的0.9左右。这个一直搞不清楚为什么会这样？电路和PCB也没发现有什么问题。

是不是你现在90V输入的时候，PWM的频率比较高，可以加大感量，频率就降低了，可以试试。

驱动电路用是直接驱动MOSFET还是采用三极管扩流实现驱动MOSFET的，可以减小驱动电阻来加快驱动速度试试。

电感改为40.5：3T，电感量改为260uH，  驱动三极管改成MMBT491/591（原来是MMBT4401/4403），sense电阻改为0.05R。现在效率90VAC 91.4%，100VAC  92.5%。

有效果，再看看开关频率，能否把感量再改大点试试。

MOSFET可以换电流更大的不？降低Rdson。

变压器用多股线,效果会好很多.

我现在用的是龙腾的20N60酷MOS，内阻0.15欧姆，已经很奢侈了。别个的产品才用18N50的普通管子，内阻0.24欧。有点怀疑是不是电感的问题了，我BW选的是320，可能太高了。

军长，线已经是多股线了，现在是用0.1*80的线，自己绞的。

那就换大一号的磁芯,气隙大了也容易热.