为什么InnoSwitch-CH在SR FET上并联肖特基二极管会提升效率?以INN2023K设计的10 W恒压/恒流USB充电器为例子,实验采用了没有并联肖特基二极管和并联肖特基二极管两种测试,可以看到效率在并联肖特基二极管时候明显提升了,这是什么原因?是不是设计时候在SR FET上都最好并联上肖特基二极管,但是我看参考设计上都没有这个二极管啊,怎么回事?可加可不加么?