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帮忙给看一下这个过压保护有缺陷吗

图中的电路为USB的输出过压保护，大家帮忙给看一下有没有什么缺陷。还有加上这一块对手机有没有损害或风险。 D3位置为输出位置。      坐等回复

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juntion
2
2016-11-28 20:25

這當然有缺陷, D1使用4.7V穩壓管, Q1,Q2組成達靈頓, 可能你的目的是要讓Q2快速導通史Q3 off, 但卻讓保護電壓往上升

穩壓管4.7V+Q1_Vbe+Q2_Vbe, 少說也要5.9V, 且過電壓保護通常要用自閉鎖, 就是一觸發就要關斷直到輸入移除, 不然後面負載都死一堆了

電壓還在跳動.....

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电源网-fqd
3
2016-11-29 10:12
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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恒雪
LV.3
4
2016-11-29 14:17
@juntion
這當然有缺陷,D1使用4.7V穩壓管,Q1,Q2組成達靈頓,可能你的目的是要讓Q2快速導通史Q3off,但卻讓保護電壓往上升穩壓管4.7V+Q1_Vbe+Q2_Vbe,少說也要5.9V,且過電壓保護通常要用自閉鎖,就是一觸發就要關斷直到輸入移除,不然後面負載都死一堆了電壓還在跳動.....
现在需要的就是，超过5.5V或者6.0V就切断输出，这是打算用在USB充电上的，芯片本身过流保护，短路保护。 自锁必须要加上吗，不加上有什么影响。
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yaojinc1962
LV.6
5
2016-11-29 15:06
电路原理根本就不对！
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恒雪
LV.3
6
2016-11-29 15:14
@yaojinc1962
电路原理根本就不对！
哦 还有一个用P沟道mos管的电路图你给看一下方便吗？
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恒雪
LV.3
7
2016-11-29 15:17
@恒雪
哦还有一个用P沟道mos管的电路图你给看一下方便吗？

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yaojinc1962
LV.6
8
2016-11-29 15:38
@恒雪
[图片]
这个原理没问题! 需要注意：稳压管要用5.1V0.5W的，设计好R3R4的取值使DZ1至少要有3毫安的电流，否则电压偏低，PMOS管要选低导通电阻的，如SI2301。该电路为限压保护电路。
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恒雪
LV.3
9
2016-11-29 15:53
@yaojinc1962
这个原理没问题!需要注意：稳压管要用5.1V0.5W的，设计好R3R4的取值使DZ1至少要有3毫安的电流，否则电压偏低，PMOS管要选低导通电阻的，如SI2301。该电路为限压保护电路。
用si2301 是不是会有些发热，规格书上写的最大2.3A。这个电路可以达到1.8A的输出
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sdhuazhong
LV.1
10
2016-11-29 16:04
表示看不懂  
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yaojinc1962
LV.6
11
2016-11-29 16:19
@恒雪
用si2301是不是会有些发热，规格书上写的最大2.3A。这个电路可以达到1.8A的输出
电流是有点小，那就SI2307吧，因为内阻很小，不会太热。
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juntion
12
2016-11-29 17:48
@恒雪
现在需要的就是，超过5.5V或者6.0V就切断输出，这是打算用在USB充电上的，芯片本身过流保护，短路保护。自锁必须要加上吗，不加上有什么影响。
若下圖用P-MOSFET 當開關瞬間關斷, 則不必加自鎖, 若你原先是一個信號源, 則自鎖是必須的..
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