概述
TP5121是一款专用于LED非隔离降压型恒流驱动集成电路,系统工作在谷底开关模式,转换效率高, EMI低,输出电流自动适应电感的感量变化和输出电压的变化,从而真正实现了恒流驱动LED。TP5121采用 SOT23-5 封装,外围只需要很少的器件就可以达到优异的恒流输出。TP5121内部集成了丰富的保护功能,包括过压保护,短路保护,逐周期电流保护,温度保护和软启动等。TP5121采用智能热响应抑制技术,自动抑制LED灯的系统温升。TP5121具有极低的启动电流和工作电流,可在全电压交流输入(85VAC-265VAC)范围内高效驱动LED。
管脚排列
特点
无需辅助线圈供电,外围元件少
谷底开关,高效率,低 EMI
自动补偿电感的感量变化
自动适应输出电压变化
短路保护
温度保护
过压保护/开路保护
智能热响应抑制,自动抑制LED灯的系统温升
即开即亮启动技术
工作温度:- 40 ~ 100℃ 封装:SOT23-5
应用范围
LED日光灯
LED吸顶灯
典型应用图
应用信息
TP5121是非隔离降压型恒流控制集成电路,驱动外部集成高压500V的MOSFET,采用SOT23-5封装,TP5121采用谷底开关模式,自适应电感感量和输出电压的变化,只需要很少的外围器件来实现恒流驱动 LED。
芯片启动和供电
TP5121工作电流小,由母线通过启动电阻直接给芯片供电。
采样电阻
TP5121是一款专用于 LED非隔离降压型控制器,系统工作在谷底开关模式,只需要很少的外围器件即可实现高精度的恒流输出。芯片逐周期的检测电感上的峰值电流,CS端连接芯片内部,并与内部基准电压 REF V进行比较,当 CS达到内部阈值时,系统会关掉内部功率管。电感峰值电流的计算公式:REFpkVIRcs其中Rcs为电流检测电阻阻值, REF V 为内部电压基准LED平均电流为:0.5* PKLEDI I
电感设计
TP5121是采用谷底开关模式,系统上电后内部功率管导通,电感电流逐渐上升,当电感电流上升到 PK I 时,内部功率管关断。内部功率管的导通时间:* PKONIN LEDL ITV V其中, L 为电感的电感量, IN V 是输入交流整流后的直流电压, LED V 是输出 LED的正向压降当内部功率管关断后,电感上电流从峰值 PK I 开始逐渐下降,当电感上电流下降到 0 时,内部功率管开启。功率管的关断时间如下:* PKOFFLEDL ITV电感的计算公式如下:( )** *IN LED LEDIN PKV V VLf V I其中 f 为系统的工作频率,当 L 、LED V 、 PK I 一定时,工作频率随 IN V 的升高而升高。所以设计系统工作频率,在最小IN V 时,不能让系统进入音频范围内(一般不要低于 20K~25KHz),在最高 IN V 时又不能使系统的工作频率太高,不要高于 100KHz(频率太高,功率管功耗太大)。建议工作频率范围在30-100KHz,当输出大电流大功率时,频率尽量控制在 60KHz 以下。
ZCD 电压检测
ZCD端的电压决定了系统的工作状态,当ZCD端电压大于 2.2V(典型值),TP5121会自动判断为输出过压保护并锁死。
输出过压保护
TP5121内部集 成了输出开 路保护,TP5121一旦检测到输出开路,系统会关断内部高压MOS,并锁死,直到电源重启。输出短路保护TP5121内部集 成了输出短 路保护,TP5121一旦检测到输出短路,系统会自动进入绿色低频模式,直到短路保护条件除去。
过热保护
TP5121内部集成了过热保护功能,触发过热保护温度为典型140℃,当 TP5121被触发过热保护后,芯片只有降到 120℃之后,才能重新正常工作。
功率因数校正
当系统有功率因数要求时,可采用一个简单的无源功率因数校正电路(填谷式),该电路包含3个二极管 2个电容可将系统功率因数提高到 0.9以上。