概述
TP5128是一款专用于LED非隔离降压型恒流驱动集成电路，系统工作在谷底开关模式，转换效率高，EMI低，输出电流自动适应电感的感量变化和输出电压的变化，从而真正实现了恒流驱动LED。TP5128内部集成500V功率的MOSFET ， 采用DIP 8封装，输出高达300mA的电流 ， 外围只需要很少的器件就可以达到优异的恒流输出。TP5128内部集成了丰富的保护功能，包括过压保护，短路保护，逐周期电流保护，温度保护和软启动等。TP5128采用智能热响应抑制技术，自动抑制LED灯的系统温升。TP5128具有极低的启动电流和工作电流，可在全电压交流输入（85VAC-265VAC）范围内高效驱动LED。
管脚排列
特点
内置500V功率MOSFET
无需辅助线圈供电，外围元件少
DIP8封装，输出电流可高达300mA
谷底开关，高效率，低 EMI
自动补偿电感的感量变化
自动适应输出电压变化
短路保护
温度保护
过压保护/开路保护
智能热响应抑制，自动抑制LED灯的系统温升
即开即亮启动技术 工作温度：- 40 ~ 100℃
封装：DIP8
应用范围
LED照明
应用信息
TP5128是非隔离降压型恒流驱动集成电路，内部集成高压500V的MOSFET，采用DIP8封装，LED电流可以输出高达300mA，TP5128采用谷底开关模式，自适应电感感量和输出电压的变化，只需要很少的外围器件来实现恒流驱动 LED。
芯片启动和供电
TP5128工作电流小，由母线通过启动电阻直接给芯片供电。
采样电阻
TP5128是一款专用于 LED非隔离降压型控制器，系统工作在谷底开关模式，只需要很少的外围器件即可实现高精度的恒流输出。芯片逐周期的检测电感上的峰值电流，CS端连接芯片内部，并与内部基准电压 REF V进行比较，当 CS达到内部阈值时，系统会关掉内部功率管。电感峰值电流的计算公式：REFpkVIRcs其中Rcs为电流检测电阻阻值， REF V 为内部电压基准LED平均电流为：0.5* PKLEDI I
电感设计
TP5128是采用谷底开关模式，系统上电后内部功率管导通，电感电流逐渐上升，当电感电流上升到 PK I 时，内部功率管关断。内部功率管的导通时间：* PKONIN LEDL ITV V其中， L 为电感的电感量， IN V 是输入交流整流后的直流电压， LED V 是输出 LED的正向压降当内部功率管关断后，电感上电流从峰值 PK I 开始逐渐下降，当电感上电流下降到 0 时，内部功率管开启。功率管的关断时间如下：* PKOFFLEDL ITV电感的计算公式如下：( )** *IN LED LEDIN PKV V VLf V I其中 f 为系统的工作频率，当 L 、LED V 、 PK I 一定时，工作频率随 IN V 的升高而升高。所以设计系统工作频率，在最小IN V 时，不能让系统进入音频范围内(一般不要低于 20K~25KHz)，在最高 IN V 时又不能使系统的工作频率太高，不要高于 100KHz（频率太高，功率管功耗太大）。建议工作频率范围在30-100KHz，当输出大电流大功率时，频率尽量控制在 60KHz 以下。
ZCD电压检测
ZCD端的电压决定了系统的工作状态，当ZCD端电压大于2.2V(典型值)，TP5128会自动判断为输出过压保护并锁死。
输出过压保护
TP5128内部集 成了输出开 路保护，TP5128一旦检测到输出开路，系统会关断内部高压MOS，并锁死，直到电源重启。
输出短路保护
TP5128内部集 成了输出短 路保护，TP5128一旦检测到输出短路，系统会自动进入绿色低频模式，直到短路保护条件除去。
过热保护
TP5128内部集成了过热保护功能，触发过热保护温度为典型 140℃，当TP5128被触发过热保护后，芯片只有降到 120℃之后，才能重新正常工作。
功率因数校正
当系统有功率因数要求时，可采用一个简单的无源功率因数校正电路(填谷式)，该电路包含3个二极管 2个电容可将系统功率因数提高到 0.9以上。
