可增加次级吸收会有效果。
MOS管D加磁珠损耗较大,可加在GS极上。
适当加大驱动电阻会有一点点改善。
这个跟PCB布线也比较大关系
triac调光吗?还是0-10V或PWM
原理图放全点,CY1接法貌似有问题,只见过初级高-->次级地,初级地-->次级地,没见过初级地-->次级高
30M-50M多是由于MOS管高速开关引起的,建议从如下几个地方试试:
1. 改变变压器绕法,采用三明治绕法,从内到外,NP1-->NA-->NS-->铜箔0.9T屏蔽接地-->NP2,或者再加外屏蔽接地
2. RCD吸收部分,R阻值小一点,二极管换个FR107或者换个慢管试试,MOS管换个型号也许有意想不到的效果
3. 看了下,DS电容已经加到101/1KV了,实在不行稍微再大一点点,毕竟这里对30-50M是有奇效的,但是代价也很高
总之,这个频段,要从变压器、MOS管、RCD这块下手多想想办法,多调调吧,祝你好运
是0-10V模拟调光的.昨天出去测试,测试时的参数:CY1拿掉,CY2用222 ,整流管阴极套磁珠,MOS管 G和S套磁珠,CY2、CY3两端套磁珠 R13减小到10R 如图:
整改:1.只改RCD吸收100K减小为50K,30-50M部分全部超约5DB 2.只改输出正、负极串联30M 0805 贴片磁珠,无效 3.只改输出线套磁环,OK,余量3DB 4.只改输入线套磁环,30M到35M超约4个DC,35M 后全部OK 5.DC-DC部分去除,用AC-DC PSR 恒流输出不变,OK,余量6DB 6.只改DC-DCmos 驱动极限流电阻从300R减小到47R,30-50M部分辐射都会有上升,约3DB 7.只改输出整流管阴极磁珠去除,30-50M部分全部超约5DB
整改:1.只改RCD吸收100K减小为50K,30-50M部分全部超约5DB
2.只改输出正、负极串联30M 0805 贴片磁珠,无效
3.只改输出线套磁环,OK,余量3DB
4.只改输入线套磁环,30M到35M超约4个DC,35M 后全部OK
5.DC-DC部分去除,用AC-DC PSR 恒流输出不变,OK,余量6DB
6.只改DC-DCmos 驱动极限流电阻从300R减小到47R,30-50M部分辐射都会有上升,约3DB
7.只改输出整流管阴极磁珠去除,30-50M部分全部超约5DB