谢谢，那也就是书中讲的MKS单位制的如下方程描述是不够的准确的，分子应该是E*t*10^-6（伏秒数）,或者说公式t的单位应该是秒（Et书中定义为伏微秒，说明这里公式引用的有问题，分子应该是MKS单位制的伏秒数），然后到了CGS单位制又把Et引用成伏微秒数[图片]

楼主找到答案没

冠坤也不错

什么芯片，上原理图看看。空载半载满载有些芯片工作频率是变的，你同步测下这里的和主MOS波形应该有关系

有点像MOS管的波形，应该适合主MOS开关波形同步的

triac调光吗？还是0-10V或PWM原理图放全点，CY1接法貌似有问题，只见过初级高-->次级地，初级地-->次级地，没见过初级地-->次级高30M-50M多是由于MOS管高速开关引起的，建议从如下几个地方试试：1.改变变压器绕法，采用三明治绕法，从内到外，NP1-->NA-->NS-->铜箔0.9T屏蔽接地-->NP2，或者再加外屏蔽接地2.RCD吸收部分，R阻值小一点，二极管换个FR107或者换个慢管试试，MOS管换个型号也许有意想不到的效果3.看了下，DS电容已经加到101/1KV了，实在不行稍微再大一点点，毕竟这里对30-50M是有奇效的,但是代价也很高总之，这个频段，要从变压器、MOS管、RCD这块下手多想想办法，多调调吧，祝你好运

是的，谢谢修提醒

工作温度要求不高的话，可以

TVS管，顾名思义：TransientVoltageSuppressorDiode，主要用于surge测试和ESD喽，选型有问题吧，如下供参考首先要对TVS管特性和参数有一定了解。  Vc、Ipp反映了TVS器件的浪涌抑制能力。当TVS承受额定的瞬时峰值脉冲电流Ipp时，可能在器件上的瞬时最大电压值即最大箝位电压为Vc。此时，如果脉冲时间为规定的标准值，则TVS的最大峰值脉冲功率为：Ppp=Vc*Ipp。因此在选用TVS前，最好对线路中产生的脉冲类型有大致的了解，是单脉冲，还是复脉冲，脉冲的上升时间，脉宽，峰值等，以便确定Vc，Ipp，PM。VC不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则器件面临被损伤的危险。   VRWM应等于或略高于电路的正常工作电压，确保TVS的接入不会影响到正常的工作。在交流线路，则需要根据正常工作电压的squar（2）（即1.414）倍，也就是峰值来确定。  VBR不能小于电路的最大允许工作电压。否则TVS进入雪崩，漏电流增大，影响电路工作。如果作为IO脚保护，需要认真研究Cj和insertloss，会改变信号的相位和强度，可能造成工作不稳定。另外，还有双向的TVS管，双向的参数同样适用。

次级短路怎么180v以下可以工作，像是变压器设计有问题，先确认下变压器设计是否合理吧，不然前面调的再多没用，变压器一改，全部重调