反激电路，原边反馈的问题

给手机充电的电路，反激隔离电路，重点是原边反馈模式。如果反馈电阻生锈阻值变化，输出电压也会相应的增大或减小。减小没有关系，如果增大的话会烧坏负载。哪位有什么好的预防措施呢，从输出接一块输出过压切断保护，还是有什么别的方法预防，只要求不能超压就行，不充电没有关系。谁给分析一下。或者这种电阻变质的情况是不是基本不存在呢。

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zz052025

2017-04-19 22:02

1.一般地，電阻這种故障應當是極低的

2.再者，PSR的VCC一般都是有OVP保護功能，即當反饋電阻阻值變更導致輸出電壓升高，那麼VCC電壓也會升壓，會觸發IC的保護機制的

edie87@163.com

2017-04-19 23:07

电阻生锈还是第一听到

IC都有过压保护，电压增大就保护了，对手机没影响

juntion

2017-04-19 23:43

@edie87@163.com

电阻生锈还是第一听到IC都有过压保护，电压增大就保护了，对手机没影响

輸出加個6V穩壓管, 讓電壓超過穩壓管擊穿, 造成短路打嗝就好了......

恒雪

LV.3

2017-04-20 08:44

@zz052025

1.一般地，電阻這种故障應當是極低的2.再者，PSR的VCC一般都是有OVP保護功能，即當反饋電阻阻值變更導致輸出電壓升高，那麼VCC電壓也會升壓，會觸發IC的保護機制的

我现在用的这款ic，应该没有过压保护功能。即使反馈电阻异常时，输出还是过压而且具有带载能力。我测试的时候是将R5阻值更换成24K以上，输出会过压。 U1的3脚是原边反馈管脚。如果说不好避免这个问题的话，将反馈电阻打上环氧树脂胶会不会避免电阻变质的可能性。

恒雪

LV.3

2017-04-20 08:49

@juntion

輸出加個6V穩壓管,讓電壓超過穩壓管擊穿,造成短路打嗝就好了......

我试过了，用的一个5V6的稳压管，超压后输出为打嗝状态。可以输出波形每次约有200ms的高压状态。这个时间对手机会不会影响比较大。

boy59

2017-04-20 09:27

@恒雪

我试过了，用的一个5V6的稳压管，超压后输出为打嗝状态。可以输出波形每次约有200ms的高压状态。这个时间对手机会不会影响比较大。

可在电阻R5上并联一个稳压二极管，当R5失效时（>24K）稳压管工作起双保险作用。不过电阻变质还真没听说过······

恒雪

LV.3

2017-04-20 09:46

@boy59

可在电阻R5上并联一个稳压二极管，当R5失效时（>24K）稳压管工作起双保险作用。不过电阻变质还真没听说过······

你的意思是在U1的3脚和地线间放一个稳压二极管吗。还是并在R5上。我测试了一下3脚的波形用正常的24K电阻和30K电阻，ic的3脚波形压降没什么变化，主要变化的是频率。 1图是24K 2图是30K

boy59

2017-04-20 10:13

@恒雪

你的意思是在U1的3脚和地线间放一个稳压二极管吗。还是并在R5上。我测试了一下3脚的波形用正常的24K电阻和30K电阻，ic的3脚波形压降没什么变化，主要变化的是频率。1图是24K 2图是30K[图片][图片]

稳压二极管并在R5上，IC的3脚VSE相当于参考电压基本不变，输出电压=n*2.32*(R5+R6)/R6。稳压二极管的结电容不知是否会带来不利影响，实测一下。

juntion

2017-04-20 11:09

@恒雪

我试过了，用的一个5V6的稳压管，超压后输出为打嗝状态。可以输出波形每次约有200ms的高压状态。这个时间对手机会不会影响比较大。

是200mS間隔打一次高壓? 還是高壓保持200mS的寬度才掉下來?

前者調整高壓啟動電阻讓啟動變慢, 則打嗝時間自然變慢

後者是與你的ISE頂到位置有關, 所以

1), 你先在滿載*150%負載下, 看看電源是否可以進OPP模式(開始打嗝)

2). 若不可以, 負載需要到180%, 那就先調回來, 那只要增大R7或R8就可以

3). 調回來後, 看過電壓穩壓管擊穿後, 打嗝的週期寬度為多少

4). 若還有100mS, 那就把OPP調到130%區間........

一般半導體Over Spec 測定值為600uS , 但你從手機u-Usb進入, 內有電容還有充電電路, 預估應該壓在50mS以下才安全....

juntion

2017-04-20 11:12

@恒雪

這已經壓在5V以下了, 對手機沒影響, 只對電源有影響, 讓他短路個一天, 看IC與輸出二極體會不會發燙, ....

恒雪

LV.3

2017-04-20 11:31

@juntion

這已經壓在5V以下了,對手機沒影響,只對電源有影響,讓他短路個一天,看IC與輸出二極體會不會發燙,....

这是ic的反馈脚波形，输出已经6V以上了

电源网-fqd

2017-04-20 13:59

已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

恒雪

LV.3

2017-04-20 14:15

@电源网-fqd

已经被添加到社区经典图库喽http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

谢谢各位前辈们提的意见，给分析一下我的担心有没有必要。我担心的就是R5阻值变质，实测增大后输出电压也会增大。加一个过压保护功能，或者做一个过压钳位什么的。都有什么方式，要求只要不会烧手机就行，异常了损坏电路没有关系。成本不能太高。

恒雪

LV.3

2017-04-20 14:16

@juntion

是200mS間隔打一次高壓?還是高壓保持200mS的寬度才掉下來?前者調整高壓啟動電阻讓啟動變慢,則打嗝時間自然變慢後者是與你的ISE頂到位置有關,所以1),你先在滿載*150%負載下,看看電源是否可以進OPP模式(開始打嗝)2).若不可以,負載需要到180%,那就先調回來,那只要增大R7或R8就可以3).調回來後,看過電壓穩壓管擊穿後,打嗝的週期寬度為多少4).若還有100mS,那就把OPP調到130%區間........一般半導體OverSpec測定值為600uS,但你從手機u-Usb進入,內有電容還有充電電路,預估應該壓在50mS以下才安全....

属于后者