MOS管是DC TO DC 升压的开关管。做50W.
我想问的是
1.单片机低电平输出时是一种什么状态????是接地吗?用的是STM系列的单片机
2.图中10K电阻连接的三级管可以省掉么?省掉会有什么问题。我之前用的电源IC来做的,当驱动能力不够的时候会用到这个图腾线路,但是这个三级管都没加。
3.并在10K电阻上的电容有什么作用。是加快MOS开通吗?
4.这个线路使用的时候有频率要求吧,比如200KHZ,500KHZ.
下面这种驱动方式和上面那种有什么不同。哪种更好?
好吧,说的也对。
对这两种驱动而言,上图有明显的灌电流和下拉电流,接近图腾柱效果。下图完全起不到电流主动驱动,只能被动控制,时间响应达不到要求,不讨论。
上图中,单片机复位期间,单片机输出端口初始化未完成,输出端状态不确定,在这个图中会造成MOS误导通一段时间。
另外,B的基极上拉电阻4.7K,太大了,流经B的基极电流最大约3mA,B的输出驱动电流一般不会超过300mA,即使用放大倍数大的晶体管,但响应速度会相应变慢,结果是MOS的驱动波形上升很不理想,即使把B的基极上拉电阻降为1K,驱动波形上升沿仍很差。
如果把B接成达林顿结构,就能很好的保证上升沿了。但是,达林顿的压降又过大,电源利用效率低。
这个电路距离实用,还需要很多改进。另外,它最多只能工作到15KHZ左右。
这个电路是深圳一家知名企业的图。都批量了的。2种驱动方式他们都用。
单片机初始化的问题不用担心,复位器件他有个待机几十秒的设置。
10K上并的电容作用很大,能大大缩短三极管高频下开通和关闭的时间。
4.7K取值应该是有考量的。太大会加长B管的开通时间,太小会使B管进入深度饱和状态,会加长B管的关闭时间。
频率绝对超过100K了。
不讨论这些无聊的问题,三极管组成的复合管为什么只能是两级,如果你读过大学,大学老师肯定会告诉你的为什么不能超过两级。假如三极管的发达系数是100(现在很多管子发达系数都可以做到100),两级三极管组成的复合管就是100*100=10000,如果是3个三极管组成的复合管就是100*100*100=?,如果第一级三极管基级10mA,三级复合管第三个三极管电流就是10mA*100*100*100=?,你自己去做实验看会不会烧三极管。除非你的第一级三极管基级输入时微安级别的。毫安级别的必烧三极管。所以复合管不能无限组合的。组合三级已经很危险了。