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单片机I/O脚能这样驱动MOS管吗

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MOS管是DC TO DC 升压的开关管。做50W.

我想问的是

1.单片机低电平输出时是一种什么状态????是接地吗?用的是STM系列的单片机

2.图中10K电阻连接的三级管可以省掉么?省掉会有什么问题。我之前用的电源IC来做的,当驱动能力不够的时候会用到这个图腾线路,但是这个三级管都没加。

3.并在10K电阻上的电容有什么作用。是加快MOS开通吗?

4.这个线路使用的时候有频率要求吧,比如200KHZ,500KHZ.

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下面这种驱动方式和上面那种有什么不同。哪种更好?

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2017-05-04 18:39

两种驱动都不能用,距离实用还差太多,还是用专门的驱动吧,如TC4427,MCP1402等。

不要在驱动这种基础的电路上浪费时间。

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2017-05-04 19:46
单片机低电平输出是单片机的地电位,上面的图腾柱输出的驱动电路,可以试试,10K接的三极管不能要,画蛇添足,追求最简单又价格低的电路是工程师的目标,支持你!二楼的观点我不同意
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2017-05-05 09:01
@lingyan
单片机低电平输出是单片机的地电位,上面的图腾柱输出的驱动电路,可以试试,10K接的三极管不能要,画蛇添足,追求最简单又价格低的电路是工程师的目标,支持你!二楼的观点我不同意

好吧,说的也对。

对这两种驱动而言,上图有明显的灌电流和下拉电流,接近图腾柱效果。下图完全起不到电流主动驱动,只能被动控制,时间响应达不到要求,不讨论。

 

上图中,单片机复位期间,单片机输出端口初始化未完成,输出端状态不确定,在这个图中会造成MOS误导通一段时间。

 

另外,B的基极上拉电阻4.7K,太大了,流经B的基极电流最大约3mA,B的输出驱动电流一般不会超过300mA,即使用放大倍数大的晶体管,但响应速度会相应变慢,结果是MOS的驱动波形上升很不理想,即使把B的基极上拉电阻降为1K,驱动波形上升沿仍很差。

 

如果把B接成达林顿结构,就能很好的保证上升沿了。但是,达林顿的压降又过大,电源利用效率低。

 

这个电路距离实用,还需要很多改进。另外,它最多只能工作到15KHZ左右。

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2017-05-05 10:25
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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2017-05-05 11:38
@米山人家
好吧,说的也对。对这两种驱动而言,上图有明显的灌电流和下拉电流,接近图腾柱效果。下图完全起不到电流主动驱动,只能被动控制,时间响应达不到要求,不讨论。 上图中,单片机复位期间,单片机输出端口初始化未完成,输出端状态不确定,在这个图中会造成MOS误导通一段时间。 另外,B的基极上拉电阻4.7K,太大了,流经B的基极电流最大约3mA,B的输出驱动电流一般不会超过300mA,即使用放大倍数大的晶体管,但响应速度会相应变慢,结果是MOS的驱动波形上升很不理想,即使把B的基极上拉电阻降为1K,驱动波形上升沿仍很差。 如果把B接成达林顿结构,就能很好的保证上升沿了。但是,达林顿的压降又过大,电源利用效率低。 这个电路距离实用,还需要很多改进。另外,它最多只能工作到15KHZ左右。

这个电路是深圳一家知名企业的图。都批量了的。2种驱动方式他们都用。

单片机初始化的问题不用担心,复位器件他有个待机几十秒的设置。

10K上并的电容作用很大,能大大缩短三极管高频下开通和关闭的时间。

4.7K取值应该是有考量的。太大会加长B管的开通时间,太小会使B管进入深度饱和状态,会加长B管的关闭时间。

频率绝对超过100K了。

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2017-05-05 11:42
@lingyan
单片机低电平输出是单片机的地电位,上面的图腾柱输出的驱动电路,可以试试,10K接的三极管不能要,画蛇添足,追求最简单又价格低的电路是工程师的目标,支持你!二楼的观点我不同意
三极管A不能省哦。省了就会导致B管射极跟随了,单片机VCC才5V,图中VDD是12V
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2017-05-05 11:59
@trappedwolf
三极管A不能省哦。省了就会导致B管射极跟随了,单片机VCC才5V,图中VDD是12V

我只考虑到IGBT这样的大容量结电容的驱动状况了,要求较大的灌电流能力。

 

确实,在深度饱和状态下,是做不到高频率的。如果需要较高频率,常规的图腾柱需要重新设计一下了。

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2017-05-05 12:18
@米山人家
我只考虑到IGBT这样的大容量结电容的驱动状况了,要求较大的灌电流能力。 确实,在深度饱和状态下,是做不到高频率的。如果需要较高频率,常规的图腾柱需要重新设计一下了。

PIC单片机老兄清楚么?

28脚的单片机,5脚22脚接地 ,6脚VDD。丝印磨掉了最后一个字是6.我推测是PIC的,但是找不到具体型号

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2017-05-05 13:01
@trappedwolf
PIC单片机老兄清楚么?28脚的单片机,5脚22脚接地,6脚VDD。丝印磨掉了最后一个字是6.我推测是PIC的,但是找不到具体型号

没用过PIC单片机,不太清楚。

这个电路给了我很多启发,可能我以前考虑问题太多了,设计出的电路冗余保护太多,过于复杂,现在尝试改变一下。

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2017-05-05 15:46
@lingyan
单片机低电平输出是单片机的地电位,上面的图腾柱输出的驱动电路,可以试试,10K接的三极管不能要,画蛇添足,追求最简单又价格低的电路是工程师的目标,支持你!二楼的观点我不同意
说得对,接10K的三极管去掉,如果不去掉很容易烧掉的,10K的三极管是一级放大,后面的NPN和PNP互补对称在构成一级放大,MOS管是第三级放大,三级放大很容易烧掉第一级的放大,所以要去掉第一级。
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2017-05-08 17:08
@米山人家
两种驱动都不能用,距离实用还差太多,还是用专门的驱动吧,如TC4427,MCP1402等。不要在驱动这种基础的电路上浪费时间。
艾默生一款3KW通信电源的PFC部分MOS管驱动电路就是用的楼住上图那个驱动,你如果觉得这种基础的电路都不愿花时间分析弄懂清楚,那难的问题能处理好么
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2017-05-08 17:12
@lingyan
单片机低电平输出是单片机的地电位,上面的图腾柱输出的驱动电路,可以试试,10K接的三极管不能要,画蛇添足,追求最简单又价格低的电路是工程师的目标,支持你!二楼的观点我不同意
请问10K的电阻不要单片机输出高电平怎么限流,直接给三极管的基级会怎么样?  不过那个电容加在那真的没必要,10K电阻大了是真

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2017-05-08 17:21
@空军通信兵
说得对,接10K的三极管去掉,如果不去掉很容易烧掉的,10K的三极管是一级放大,后面的NPN和PNP互补对称在构成一级放大,MOS管是第三级放大,三级放大很容易烧掉第一级的放大,所以要去掉第一级。
接10K的三极管驱动,后面一级就是推挽跟随,单片机才输出个5V电压,怎么去驱动MOS管呢,还有为什么说是三极放大呢? 就第一级是反向放大,第二级是跟随,吧、、还有为什么三级放大就容易烧第一级? 
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2017-05-09 08:40
@电源技术砖家
请问10K的电阻不要单片机输出高电平怎么限流,直接给三极管的基级会怎么样? 不过那个电容加在那真的没必要,10K电阻大了是真

不讨论这些无聊的问题,三极管组成的复合管为什么只能是两级,如果你读过大学,大学老师肯定会告诉你的为什么不能超过两级。假如三极管的发达系数是100(现在很多管子发达系数都可以做到100),两级三极管组成的复合管就是100*100=10000,如果是3个三极管组成的复合管就是100*100*100=?,如果第一级三极管基级10mA,三级复合管第三个三极管电流就是10mA*100*100*100=?,你自己去做实验看会不会烧三极管。除非你的第一级三极管基级输入时微安级别的。毫安级别的必烧三极管。所以复合管不能无限组合的。组合三级已经很危险了。

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2017-05-09 12:51
@空军通信兵
不讨论这些无聊的问题,三极管组成的复合管为什么只能是两级,如果你读过大学,大学老师肯定会告诉你的为什么不能超过两级。假如三极管的发达系数是100(现在很多管子发达系数都可以做到100),两级三极管组成的复合管就是100*100=10000,如果是3个三极管组成的复合管就是100*100*100=?,如果第一级三极管基级10mA,三级复合管第三个三极管电流就是10mA*100*100*100=?,你自己去做实验看会不会烧三极管。除非你的第一级三极管基级输入时微安级别的。毫安级别的必烧三极管。所以复合管不能无限组合的。组合三级已经很危险了。
你这样的回复真的是让我大跌眼镜  可以说你充分的展示了电子技术技术的基本功不扎实, 就电路而言,第一级三极管共射级接法,起到一个电平转换和反向的作用,工作在截止区和饱和区,根本不会让它工作在放大区,何来放大倍数一说? 第2级是PNP和NPN三极管组成的电压跟随器,也是工作在开关状态,通常也成为图腾柱,只起到电流放大作用,又怎么说又被放大100呢?第三极已经是MOS管,就不必多说了,还有这个电阻在艾默生的一款通信电源上有应用。  ,按你所说 难道我这样接一个三极放大电路电流就是10ma*100*100*100=10000A?  哇撒,那世界上还要建什么发电站!!笑话。 如果你觉得弄得这最基本的东西都觉得浪费时间的话,那还能做什么呢
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2017-05-09 13:51
@电源技术砖家
你这样的回复真的是让我大跌眼镜 可以说你充分的展示了电子技术技术的基本功不扎实,就电路而言,第一级三极管共射级接法,起到一个电平转换和反向的作用,工作在截止区和饱和区,根本不会让它工作在放大区,何来放大倍数一说?第2级是PNP和NPN三极管组成的电压跟随器,也是工作在开关状态,通常也成为图腾柱,只起到电流放大作用,又怎么说又被放大100呢?第三极已经是MOS管,就不必多说了,还有这个电阻在艾默生的一款通信电源上有应用。 ,按你所说 难道我这样接一个三极放大电路电流就是10ma*100*100*100=10000A? 哇撒,那世界上还要建什么发电站!!笑话。如果你觉得弄得这最基本的东西都觉得浪费时间的话,那还能做什么呢
扎不扎实都没关系,中国赚钱最多的不是搞技术的,赚钱最多的是贪官,再下来是歌星影星。这些人有的干一年比做技术的干一辈子拿的钱都多。我没必要去学什么技术,这是中国不是欧美国家,中国技术不值钱的。
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2017-05-10 10:42
@电源技术砖家
请问10K的电阻不要单片机输出高电平怎么限流,直接给三极管的基级会怎么样? 不过那个电容加在那真的没必要,10K电阻大了是真
其实这个帖子里很多人都认为这个电路有问题的,所以没必要去讲什么理论,相信很多人都是根据理论来判断电路的,没有实际搭这个电路去验证。
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2017-05-10 10:57
这个电路能满足基础应用,但是在大功率的重要场合,不适合。
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2017-05-10 12:16
@米山人家
这个电路能满足基础应用,但是在大功率的重要场合,不适合。

討論那的久沒發現MOS是畫反的? 那樣的電路不用驅動內部二極體自己就順向通了...

這樣

標準推法.......參考吧...下次MOSFET不要畫反.....

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2017-05-10 12:31
@juntion
討論那的久沒發現MOS是畫反的?那樣的電路不用驅動內部二極體自己就順向通了...這樣[图片]標準推法.......參考吧...下次MOSFET不要畫反.....
应该是楼主笔误。
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2017-05-10 13:31
@电源技术砖家
应该是楼主笔误。

筆誤還可以討論那麼多貼才神勒....原驅動就可以了, 有啥好討論?

MCU 的IO 最高也5V, 若直接推圖騰柱則提升電阻電壓至少12V, 會把IO灌死, 所以要另推一顆NPN當OC結構

以隔開VDD與MCU電位, 才可以確保MCU是安全的.............

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2017-05-10 13:34
@米山人家
这个电路能满足基础应用,但是在大功率的重要场合,不适合。
说的很对,我用TL494做的逆变器,开始用的就是第一种电路,TL494莫名其妙的烧掉,刚开始不会烧,开关几次就烧掉了,494外面的那些三极管不会烧,去掉一级就好了,494内部有一级三极管,外面加一级NPN和PNP管就够了,如果在PNP和NPN前再加一级的话就会烧494内部的三极管。
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2017-05-10 13:35
@空军通信兵
说的很对,我用TL494做的逆变器,开始用的就是第一种电路,TL494莫名其妙的烧掉,刚开始不会烧,开关几次就烧掉了,494外面的那些三极管不会烧,去掉一级就好了,494内部有一级三极管,外面加一级NPN和PNP管就够了,如果在PNP和NPN前再加一级的话就会烧494内部的三极管。

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2017-05-10 13:35
@空军通信兵
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2017-05-10 13:48
@juntion
筆誤還可以討論那麼多貼才神勒....原驅動就可以了,有啥好討論?MCU的IO最高也5V,若直接推圖騰柱則提升電阻電壓至少12V,會把IO灌死,所以要另推一顆NPN當OC結構以隔開VDD與MCU電位,才可以確保MCU是安全的.............
我说的楼主MOS管画反有什么不对吗,谁会把MOS管那样接? 你说的原驱动就是可以只怕大家都不知道你在表达什么意思吧,哪来的原? 之所以讨论就是有人在误人子弟
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2017-05-10 13:49
@空军通信兵
扎不扎实都没关系,中国赚钱最多的不是搞技术的,赚钱最多的是贪官,再下来是歌星影星。这些人有的干一年比做技术的干一辈子拿的钱都多。我没必要去学什么技术,这是中国不是欧美国家,中国技术不值钱的。
怎么转移话题了~
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trappedwolf
LV.4
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2017-05-11 14:30
@电源技术砖家
你这样的回复真的是让我大跌眼镜 可以说你充分的展示了电子技术技术的基本功不扎实,就电路而言,第一级三极管共射级接法,起到一个电平转换和反向的作用,工作在截止区和饱和区,根本不会让它工作在放大区,何来放大倍数一说?第2级是PNP和NPN三极管组成的电压跟随器,也是工作在开关状态,通常也成为图腾柱,只起到电流放大作用,又怎么说又被放大100呢?第三极已经是MOS管,就不必多说了,还有这个电阻在艾默生的一款通信电源上有应用。 ,按你所说 难道我这样接一个三极放大电路电流就是10ma*100*100*100=10000A? 哇撒,那世界上还要建什么发电站!!笑话。如果你觉得弄得这最基本的东西都觉得浪费时间的话,那还能做什么呢
你说的对,而且10K电阻下的小电容作用也很大。
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trappedwolf
LV.4
29
2017-05-11 14:32
@juntion
討論那的久沒發現MOS是畫反的?那樣的電路不用驅動內部二極體自己就順向通了...這樣[图片]標準推法.......參考吧...下次MOSFET不要畫反.....
哈哈,笔误。谢谢指出
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A1300811688
LV.4
30
2017-05-11 22:39
@juntion
筆誤還可以討論那麼多貼才神勒....原驅動就可以了,有啥好討論?MCU的IO最高也5V,若直接推圖騰柱則提升電阻電壓至少12V,會把IO灌死,所以要另推一顆NPN當OC結構以隔開VDD與MCU電位,才可以確保MCU是安全的.............
我支持juntion的说法,做工程技术一定要尽量少出现错误,哪怕是笔误。
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