明纬电源拆解后,同步整流求助
Q3,我把旁边元件拆掉后,用万用表的二极管档测试D到S两端,读数是0.6.所以判断是P沟道的MOS,不知道用的什么型号
我以前整流是用自驱,续流是用SP6019.老板嫌贵,所以希望大虾们能指点一下,这个自驱是如何实现的。
說實在, 這帖我看了兩天, 實在看不出這多出繞組與你的Q100的存在性與必要性...
但既然輔助繞組, 當然有其作用, 分析其動作方式:
1). 由於兩者極性相反, 所以當原邊MOSFET OFF時, 副邊續流MOSFET應該導通, 因此輔助端的極性剛好與續流
同向, 同GND, MOSFET內二極體為同向整成負, SR-DRI為正, 因此續流MOSFET剛好可導通.............
2). 當原邊MOSFET on 時, 輔助極性反轉, 變成正施加於MOSFET_S(Q100), 負施加於MOSFET_G(Q100)
MOSFET剛好導通, 此時原接地(續流MOSFET_S)為正, SR-DRI為負(續流MOSFET_G為負)..則MOSFET很快關掉...
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所以綜觀上述情形, 歸類可能原因:
1) 整流MOSFET_G透過電容交連, 所以上升緣與下降緣在推動過程中, 上下各有一點斜率, 那是因為電容充放電到
一定程度後呈現拋物線的結果, 所以為何使用電容交連?不解, 這用二極體整流加穩壓管速度快些..........
2). 利用P-POSFET在整流MOSFET打開前迅速將續流MOSFET關掉, 因為即使使用圖騰柱方式放電都沒有使用負壓
速度來的快, 這種瞬間摜負壓的方式是最快的, 而且呈直線性..........
你可以量一下續流MOSFET_G信號, 在原邊MOSFET ON時, 續流MOSFET_G信號應該是一個瞬間負壓..
所以猜測, 只是猜測喔.. 你可以驗證看看, 就是跑的頻率較高, 這樣電容交連與輔助就有意義, 不然跑個幾10K, 用交錯推動方式就夠了.....
看T1-D绕组的波形,和续流MOS Q1的驱动波形,显然不是简单的波形反向。因为复位平台那部分,就是波形红色标记处,对应的同步续流MOS,也还是有驱动的。
自激式的好處是線路簡單, 唯一缺點是在調適時要慎選MOSFET, 因為是利用副邊ON/OFF信號做整流與續流, 所以MOSFET挑的很嚴重, 所以多選幾款備用....
至於掉電過程中可能的交越那還算小Case, 因為一但交越則儲能電容很快就放電, 對MOSFET不會受傷, 反倒是以下幾點要注意
1). 使用自激雖可以增加效率, 但很容易使連波變大, 這是在兩個Mosfet在官段不完全所造成, 與驅動有關...
2). 動態響應會較差, 所以調適過程一定要做動態測試.....