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VGS=0，但MOS管电流IDS并没马上降为0

如题求助，最近在做一个BOOST，测量了MOS管的VGS=0时，IDS还在上升，大约200ns后才降为0，引起MOS管发热得很快。

请问这是什么原因造成的？

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paodeng
LV.1
2
2017-07-31 11:16

绿色为VGS，黄色为IDS

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paodeng
LV.1
3
2017-07-31 11:20
@paodeng
[图片]绿色为VGS，黄色为IDS
Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf 这是用到的开关管，为单管IGBT
0
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paodeng
LV.1
4
2017-07-31 13:57
@paodeng
[图片]绿色为VGS，黄色为IDS

改善后的VGS波形

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ymyangyong
5
2017-07-31 19:03
IGBT有电流拖尾现象，MOS会好一些。
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jjhkm163505
LV.1
6
2017-09-13 10:36
@ymyangyong
IGBT有电流拖尾现象，MOS会好一些。
明显是电流滞后，电感作用，再观察一下Vds波形
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