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MOS管驱动波形和导通波形不对 ，还有尖峰

到驱动波形Vgs关闭的时候Vds仍然导通导致，没有死区时间 下面是波形 我母线通电30V电压来测试的

 

CH1是Vgs导通波形 CH2是 Vds波形  中间有一段VGS下降了 MOS管还导通

这是测两个低端MOS管Vds的波形 没有死区时间 

另外我的尖峰脉冲是不是太高了 我上电300V的话会炸管吗

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ymyangyong
2
2017-08-02 23:48
做的什么电源？有电路图吗？
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zhangyiping
LV.9
3
2017-08-03 02:11
@ymyangyong
做的什么电源？有电路图吗？
你的占空比太小了，要爆管的，占空比必须达到0,46左右，爆管是因为电感能量产生了高电压电流变化率，所以就发生了米勒电容效应产生了共态导通了。
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电源网-fqd
4
2017-08-03 11:24
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
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yangjinxiaoy
LV.2
5
2017-08-03 14:28
@zhangyiping
你的占空比太小了，要爆管的，占空比必须达到0,46左右，爆管是因为电感能量产生了高电压电流变化率，所以就发生了米勒电容效应产生了共态导通了。

明白了那我是不是将占空比提高 VDS就不会发生这种依旧导通的现象了

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yangjinxiaoy
LV.2
6
2017-08-03 21:24
@zhangyiping
你的占空比太小了，要爆管的，占空比必须达到0,46左右，爆管是因为电感能量产生了高电压电流变化率，所以就发生了米勒电容效应产生了共态导通了。
我把占空比设置成了0.45可还是这样 VDS的占空比永远是百分之50
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zhangyiping
LV.9
7
2017-08-04 00:58
@电源网-fqd
已经被添加到社区经典图库喽http://www.dianyuan.com/bbs/classic/
你的波形显示占空比就是低吗，不知道哪里搞错了，仔细检查检查一下。
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yangjinxiaoy
LV.2
8
2017-08-04 15:30
@zhangyiping
你的波形显示占空比就是低吗，不知道哪里搞错了，仔细检查检查一下。
这我知道 我后来修改了占空比 将占空比改到0.45 这应该不低了吧
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yangjinxiaoy
LV.2
9
2017-08-04 17:14
用的mos管时IRFR460 无论我怎么跳输入占空比  VDS占空比都是50％ 没有死区
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zhangyiping
LV.9
10
2017-08-05 14:31
@yangjinxiaoy
用的mos管时IRFR460无论我怎么跳输入占空比 VDS占空比都是50％没有死区
哎呀，不能看DS波形，必须驱动波形，开关管因为存在电感能量当然变成了没有死区了，必须驱动电压占空比了。
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yangjinxiaoy
LV.2
11
2017-08-07 16:25
@zhangyiping
哎呀，不能看DS波形，必须驱动波形，开关管因为存在电感能量当然变成了没有死区了，必须驱动电压占空比了。
您的意思是我只要关注VGS的波形就行了吗
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zhangyiping
LV.9
12
2017-08-08 01:33
@yangjinxiaoy
您的意思是我只要关注VGS的波形就行了吗
对了，只要关注开关管驱动波形的占空比，不要看DS的波形，你这里占空比非常明显的小了，提高到0,45,46只要就可以了。
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yangjinxiaoy
LV.2
13
2017-08-10 17:06
@zhangyiping
对了，只要关注开关管驱动波形的占空比，不要看DS的波形，你这里占空比非常明显的小了，提高到0,45,46只要就可以了。
嗯，明白了谢谢
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