同样的电感量,将圈数增加一倍会有什么影响?

圈数都加了一倍了,电感量还会一样吗?
难怪做电源的对学历要求不高.

我猜测你的输出大概是5V6A,增加线圈电感不变,就要加大气隙,漏感变大,EMI会变大,线圈电阻也增大,损耗增大.

你看清楚了,那是反激的变压器有气息的,你这样说会伤害很多人的.

你这个说法基本上是对的,但我有不同的观点.关于EMI是否变差这个不一定,你说的只是一个经验,因为你还有SNUBBER等可以去改善..,在铜损加大的同时,磁芯的损耗是减小的,具体哪一个更好要看试验了.

瞎講

你是哪来的个家伙,谁说做电源对学历要求不高?说话打击一片.我看到很多低学历的做的电源比我做的好得多,虽然他们说不出原因.你又怎么知道楼主的学历?自己没搞清楚不要乱讲.
楼主你改后是可以用的,只要你的BOBBIN绕得下,线径可流过工作电流,就可以,只是注意线包温度,影响EMI不大,除非你的气隙在两边.
我有时BOBBIN绕不满就增加绕组,这是一个工艺和经验问题.

我主要考虑的是软件计算的结果Ns＝2有些不合适,我的输出5V,Ns＝2T,相当于每圈2.5V.看很多资料都介绍说每圈0.6V时比较合适.所以才考虑增加Np.

还有一个问题再向大家请教一下,同样的功率,为何输出不同时Lp和Np也不一样.如12V/2.5A和5V/6A计算的参数就不一样.
还有当输出为5V/3A+12V/0.5A+7V/0.8A+12V/0.05A四路输出时,差异更大.谢谢!

还不知道自己是不是大炮,就开始轰人了!

软件往往模糊了工程师之间的水平差异,你没真正弄懂,因为瓦数虽一样,但输出电流不一样,那初级电流峰值就不一样,输出电压不一样,反激电压也不一样,这在算初级电感时都要用到,你想想看还会一样吗?

设计变压器不是靠蒙的!
你计算一个变压器要顾及好多参数:
1.占空比,匝比不能太大,否则占空比也很大;
2.mosfet和dio的耐压,两者要兼顾;
3.工作模式的选择,连续的程度;
4.气隙最好在0.3~1mm,你的原边匝数一下子翻了一倍,你知道你的气隙要变化多大吗?
5.变压器损耗,最好让铜损和磁损基本相等,这样最好.
6.防止饱和;
7.尽量完全利用变压器,让线包充满窗口.
要自己计算变压器,好多软件计算的不一定ok!
记住:反激变压器是耦合电感,不是唯一的,主要看你要兼顾什么参数了.给我你的参数,我帮你计算一个变压器.

其它几条我支持,但“气隙最好在0.3~1mm”,这可不一定了哦.

你知道为什么吗?
但气隙很小的时候,误差就会对感量有很大影响,这主要是考虑批量生产,另外,气息过大,漏感也大,EMc呢?不说也知道了吧?

5V 2T可以的,没有问题

我只是觉得这是很基本的问题.
连这个都没搞懂就用软件代劳,你是在帮他还是在害他哦?我只是说话重了点而已,初衷也是希望他能把原理搞懂.
不要来不来什么大炮不大炮的.电源的对学历要求不高是事实,但我没有说做电源的学历就不高.

圈数加一倍,电感量要大1.4倍,要维持电感量不变,老兄你要磨多少气息哦?

讲不出原因的就算做好了又有什么用?
如果你觉得自己是个合格的工程技术人员,那么请知其然的同时也要知其所以然,否则与剽窃无异.
你说对EMI影响不大,完全误人子弟.

不能不承认你说的有道理,但现实中有很多时候气隙是大于1的,一个电源它的空间定死了,那磁芯也就定死了,只可小不可大,因为电流线包绕得满满的,这时恐怕只能用增加气隙来增加储能空间,我曾见过气隙达3MM的变压器,我原来公司的反激电源气隙均大于1,但就像你说的,看你偏重于哪一点.

我几次碰到怪问题是人家用经验告诉我怎么解决,说实在的,有些经验我根本想不到那里去,然后我问为什么,他们往往说不出个原因,就只有自己去研究了.
我的本意是你要尊重低学历者,你的话里有瞧不起学历低的人.话又说回来,什么叫高学历什么叫低学历有一个绝对的界限吗?你敢说你比楼主的学历高吗?假若人家是从其它专业转行做电源的呢?说不定学历比你高很多.你不回答人家也就罢了,还断定人家是低学历,现在好多刚毕业的高学历者什么都不懂.
做学问是要刨根问底,但你敢说电源每个环节你都知其然也知其所以然吗?那你把每种电源环路的传递函数或模型分析讲出个所以然来听听,好多东西研究了但不一定讲得出个所以然来.

有道理.

受教

你觉得楼主的这种精神值得学习吗?
就是有太多的拿来主义,什么都是现成的,当然要落后于人了,像楼主这样的简单问题你说是不是应该先自己查书呢?我是在批评楼主,也是在唤醒仍然半睡半醒的人,不是要伤害某些人.

你不同意这个做法就不要回答就好了.

我所设计的变压器的气隙都在范围以内,没有那么大的,如果有大气隙出现我会调整的,记住反激变压器设计是一个反复的过程.

1176429223.doc
反激变压器设计指导

话讲到这个份上,我也不好再说什么了.
拿来主义是一个现状,也是没办法,毕竟我们不是专搞科研的,有自己的实验室,再说就算有自己的实验室知识也不够,我为什么这样说呢,我在美国的大学同学讲,美国的博士有经费,失败了政府也不会追责任,他们每天就是把各个变量的可能性加以运算形成理论,我自认为我的高等数学学的还不错,但看了他们的计算方法我感觉在看天书,不信你把华罗庚的《堆垒素数论》相关书籍找来看一下,看你能看懂多少,你用的工具软件PROTEL,AUTOCAD,PROE/,MASTERCAM哪一样不是国外的,仿真软件SABER等又哪一样不是国外的.电源的拓扑结构没一样是亚洲人发明的,更没有中国人的份,近年来日本还算小有作为,几乎全是美国麻省理工学院等几个学校出来的.
以PROE/来说,美国原来是用来设计飞机的,根本不外传,十几年前他们有了更好的软件才把PROE/推向市场,而这么多年了,我们连人家用的是什么都不知道,中国现在推出了几样三维软件,但都比不上PROE/.

增加线圈电感不变,GAP加大了,漏感会变大,EMI会变大,线圈电阻也增大,铜损增大,但铁损会小点．要看你的具体电路跟BBN大小,还有变压器工法等,并不是NP越大越好的．

很好的资料.非常感谢!

他讲的是同样的感量,那么f不会变,铁损就不会变;匝比不变,那么初次级电流就不会变,整个损耗随铜损加大.

1.4倍是怎么算的?

兄弟,铁损和dB是有关系的,你在好好想想,写下公式就知道了.