请问推挽DC/DC电路中变压器单向磁饱和的问题!

采用SG3525A驱动开关管构成Push-Pull DC/DC电路,但是由于输出功率比较大,输入电压不太高从而需要较大的输入电流,在带大负载时变压器出现了单向磁饱和.当然,由于所用变压器体积较小,变压器工作时磁通密度Bmax较大,由于PWM在Push和Pull时的占空比有差异,占空比大的一边导通时,变压器磁饱和,另外一边导通时没有饱和现象,现在考虑在磁芯上加气隙,在同样的负载条件下使变压器不会饱和,请问有没有相关气隙宽度的计算方法?小弟谢过了

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乞力马扎罗的雪

LV.9

2004-11-15 22:12

加气隙没有用.你应该考虑采用峰值电流型控制IC.可以去TI的网站查到很多种相关的IC.

hcl57

LV.4

2004-11-15 22:32

我认为,这正是推挽电路的主要缺点,主要原因不在于SG3525占空比差异,而是变压器对称绕组参数差异,开馆管特性差异.这种情况下,加一点小气隙是可以改善的,但气隙不能大,否则会引起原边电感量减小或漏感增加,也是不利的.一般推挽变压器Bmax不易太大,应留有余量,优化变压器绕制方法,改善驱动电路特性,开关管及整流管配对,是解决此问题的最好途径.

yarnn

LV.4

2004-11-16 12:23

Lg=(0.4*Pi*L1*Ip1*Ip1)/Ac*B*B
AC为磁蕊面积
Ip1为磁化电流
Pi为输入功率
B为磁强差
我知道的就这些了

希望有用!

symbool

LV.2

2004-11-16 20:28

@yarnn

Lg=(0.4*Pi*L1*Ip1*Ip1)/Ac*B*BAC为磁蕊面积Ip1为磁化电流Pi为输入功率B为磁强差我知道的就这些了希望有用!

多谢各位建议,由于这个架构采用电压控制,PWM的绝对对称也是不可能的吧.再就是功率比较大,而变压器的体积又没有办法增加了,Bmax基本上工作到了极限.目前所做的工作就是改善了layout,变压器原边用双绕组并绕的,没有用三明治绕法,这样的效果还不错,漏感小,而且电流路径的电阻比较平衡.总之,我觉得是在push pull变压器中加气隙是弊大于利的,可是老大非要叫我计算这个东东带来的差异,sigh

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