我的开关电路的MOS管采用的是IR公司的IRF450,最近这个管子老是烧,在查资料时看到这样一段消息:
美国APT公司在1996年实现了第五代功率MOSFET的突破性发展.由于采用了三维设计完成了特殊的控槽工艺,实现了叉指式开胞沟槽设计.它扩大了芯片的有源面积,更好的抑制了寄生双极管的导通现象(这是烧毁MOSFET的主要原因),提高了雪崩能量的额定值Eas,并有效的减少了通态电阻值Rds(on),降低了双极管激活效应.
APT公司第五代MOSFET功率器件的雪崩能量额定值Eas在出厂前做100%的测试,使其有更高的可靠性.因为MOSFET烧毁的主要原因是寄生双极管导通,有两种可能:一是MOSFET体内二极管的反向恢复电流,它流经双极管基区使EB结正偏达0.7V而导通;二是出现雪崩击穿时MOSFET耗尽层内的电子空穴流向源极也使双极管激活导通.APT公司的全面测量Eas大大提高了新产品的可靠性.
请教各位高手谁能给我详细的解释一下上面的这段话,双极管是什么?Eas和双极管有什么关系?我用IRF450时,栅极脉冲电压13.6V,漏极电压380V.
MOS管烧坏原因分析!请各位大侠不吝赐教!!!
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通常来说,双极管是指有两种载流子同时参与导电,即电子和空穴同时参与导电.如双极晶体管,NPN或PNP.与双极晶体管相对应的是单极晶体管,如MOSFET.正如你所说的,MOSFET烧毁的主要原因是寄生双极管导通,理论上寄生双极管导通是可以避免的,因为在MOSFET制作过程中,已经将栅极、源极进行了短路,即MOSFET中只寄生一个体二极管,但当MOSFET管发生雪崩击穿时,将使得大量电流流过体二极管,电流流过双极管基区使EB结正偏电压达0.7V而导通,即寄生双极管导通,使MOSFET烧毁.Eas为单脉冲雪崩能量,Ear为可重复性雪崩能量,E＝BVdss*Id*t,BVdss为漏源击穿电压,Id为漏极电流额定值,t为时间,雪崩能量越大,管子所能承受的雪崩时间越长,可靠性越高.APT的MOSFET 100%经过雪崩测试,而且雪崩能量比较高,所以具有更高的可靠性.
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