0

回复
收藏
点赞
分享
发新帖

论坛首页
TI论坛
uc2842带载严重不足!急...

uc2842带载严重不足!急...

上图是我做的反激电源,频率是110KHz(示波器测),率功率是41W的.变压器是专业做变压器公司定做的.匝数分别是“初级:12V:5V:辅助=22:14:6:18”.
刚开始通电后,输出电压都正常,但当我在5V加10欧电阻,就带不起来了.后来我把限流电阻改成0.51欧可以带动,但TVS4特别烫,跟本无法拿手碰.这是为什么呀?
限流电阻怎么计算?我是这样算的(输出41W/效率90%)/24V=1.9A,所以取(3脚)1V/1.9A=0.51欧.对不对?还有就是电路目前无法输出41W,实验测也就是10W左右.
做一个项目,自已做电源,刚做就出问题,急呀.大家提提议建,谢谢啊!!

全部回复(33)

只看楼主

正序查看

倒序查看

LV.3

2

2007-05-22 11:38

555~~~自已顶

0

回复

LV.3

3

2007-05-22 13:17

@czhlcai

555~~~自已顶

无原边电感量,鉴定完毕

0

回复

LV.3

4

2007-05-22 16:46

@math_power

无原边电感量,鉴定完毕

原边电感是32uH,漏感是4.1uH.这是变压器厂家给的参数.还有用的是EFD25的磁芯.

0

回复

LV.6

5

2007-05-22 18:28

2842的3PIN对4PIN加一个很小的电容!R15可调限流点,R12也可以减小点!R14实在是太大了,相应调小,0.47R左右!

0

回复

LV.4

6

2007-05-22 19:57

1,R1阻值太大了.
2,你的MOS的驱动波形怎样?开关损耗大不大?漏极峰值是否高于100V?
3,PCB电磁兼容性怎样?电源是否自激了?
4,你的MOS管的散热怎样?

0

回复

LV.3

7

2007-05-23 08:34

@amingda

1,R1阻值太大了.2,你的MOS的驱动波形怎样?开关损耗大不大?漏极峰值是否高于100V?3,PCB电磁兼容性怎样?电源是否自激了?4,你的MOS管的散热怎样?

1.R14阻值是大了,但如何计算呢?
2.MOS管驱动波形挺好的,轻载时占空比很低,重载时会变大,小于50%
3.布线应没什么问题,什么是电源自激?
4.MOS管散热还可以.
还有为什么重载时TVS4很烫,我选的是SMCJ20A,20V的.

0

回复

LV.4

8

2007-05-23 09:34

@czhlcai

1.R14阻值是大了,但如何计算呢?2.MOS管驱动波形挺好的,轻载时占空比很低,重载时会变大,小于50%3.布线应没什么问题,什么是电源自激?4.MOS管散热还可以.还有为什么重载时TVS4很烫,我选的是SMCJ20A,20V的.

取样电阻的设计你可以调整后确定.
MOS管的波形,我说的是波形的上升,下降时间,还有上升下降时,是否有阻尼振荡现象.
TVS4 钳位电压低了点,最低也要36A.

0

回复

LV.4

9

2007-05-23 09:39

@czhlcai

1.R14阻值是大了,但如何计算呢?2.MOS管驱动波形挺好的,轻载时占空比很低,重载时会变大,小于50%3.布线应没什么问题,什么是电源自激?4.MOS管散热还可以.还有为什么重载时TVS4很烫,我选的是SMCJ20A,20V的.

TVS4上并一个102的电容试一下!

0

回复

LV.3

10

2007-05-23 09:53

@amingda

TVS4上并一个102的电容试一下!

MOS管的波形,上升,下降时间,都很小,看上去跟方波一样,无阻尼振荡现象.
“TVS4 钳位电压低了点,最低也要36A”还是36V呀.低是低,但是有D5-SK310反向,在MOS管导通时,由于D5,TVS4应该是不通的,MOS管关断时,由于变压器漏感产生的尖峰电压通过,D5,TVS4来释放.SMCJ20A,是20V的,钳位在42.8V(8/20uS).而F7473的VDSS为100V,钳位在42.8V不是挺好的吗?

0

回复

LV.6

11

2007-05-23 10:22

@czhlcai

原边电感是32uH,漏感是4.1uH.这是变压器厂家给的参数.还有用的是EFD25的磁芯.

原边电感量太小了,重新计算变压器.

0

回复

LV.5

12

2007-05-23 10:38

@czhlcai

MOS管的波形,上升,下降时间,都很小,看上去跟方波一样,无阻尼振荡现象.“TVS4钳位电压低了点,最低也要36A”还是36V呀.低是低,但是有D5-SK310反向,在MOS管导通时,由于D5,TVS4应该是不通的,MOS管关断时,由于变压器漏感产生的尖峰电压通过,D5,TVS4来释放.SMCJ20A,是20V的,钳位在42.8V(8/20uS).而F7473的VDSS为100V,钳位在42.8V不是挺好的吗?

反馈取12V,R14减小,频率减小,TVS增大电压试试或则用RCD好了

0

回复

LV.3

13

2007-05-23 13:16

@czhlcai

MOS管的波形,上升,下降时间,都很小,看上去跟方波一样,无阻尼振荡现象.“TVS4钳位电压低了点,最低也要36A”还是36V呀.低是低,但是有D5-SK310反向,在MOS管导通时,由于D5,TVS4应该是不通的,MOS管关断时,由于变压器漏感产生的尖峰电压通过,D5,TVS4来释放.SMCJ20A,是20V的,钳位在42.8V(8/20uS).而F7473的VDSS为100V,钳位在42.8V不是挺好的吗?

我参照王宁的“瞬态电压抑制器的应用”文章,选TVS看看对不对
TVS管的选择如下:
24V交流整流滤波为直流供给开关变压器,电压直流变化范围是24V~37V.选用Vwm(关断电压)等于36V的TVS,这样VBR(雪崩)电压控制在36*1.3=47V以内,加上电源电压,功率开关管F7473耐压为100V足以.
估算一下TVS管的PM值:
TVS管所耗散的功率也就是电路杂散电感(漏感吧)所存储的功率,故而转求杂散电感存储功率即可.
PM=PL=E/t=0.5*L*I^2/t
杂散电感一般为几个μH,这里取4.1μH;
41W的开关电源原边平均电流I=P/U=(41/70%)/30=2A,设占空比D为0.5,则最大电流=I/D=2/0.5=4A,取I=6A;
功率开关器件关断时间一般在几十纳秒,取t=10ns,于是有:
PM=0.5×4×10^(-6)×6^2/10×(10^-9)=7200W,由于开关电源开关频率很高,达到了100kHz以上,考虑脉冲功率的累计,PM应成倍扩大.我取PM值15000W.
这样的话,TVS有400W、500W、600W、1500W,5000W和15000W.我要选36V/15000W的TVS管可以吗?才区区41W就用这么大的TVS是不是不合适啊.
还有各位高手是如何计算的?

0

回复

LV.3

14

2007-05-23 13:30

@寻找真理

反馈取12V,R14减小,频率减小,TVS增大电压试试或则用RCD好了

频率不能减小了,变压器厂家说用EFD25做41W的已经差不多了.频率越高同样的磁芯做的功率越大.由于结构只能选EFD25的磁芯.

0

回复

LV.3

15

2007-05-23 14:04

@czhlcai

我参照王宁的“瞬态电压抑制器的应用”文章,选TVS看看对不对TVS管的选择如下:24V交流整流滤波为直流供给开关变压器,电压直流变化范围是24V~37V.选用Vwm(关断电压)等于36V的TVS,这样VBR(雪崩)电压控制在36*1.3=47V以内,加上电源电压,功率开关管F7473耐压为100V足以.估算一下TVS管的PM值:TVS管所耗散的功率也就是电路杂散电感(漏感吧)所存储的功率,故而转求杂散电感存储功率即可.PM=PL=E/t=0.5*L*I^2/t杂散电感一般为几个μH,这里取4.1μH;41W的开关电源原边平均电流I=P/U=(41/70%)/30=2A,设占空比D为0.5,则最大电流=I/D=2/0.5=4A,取I=6A;功率开关器件关断时间一般在几十纳秒,取t=10ns,于是有:PM=0.5×4×10^(-6)×6^2/10×(10^-9)=7200W,由于开关电源开关频率很高,达到了100kHz以上,考虑脉冲功率的累计,PM应成倍扩大.我取PM值15000W.这样的话,TVS有400W、500W、600W、1500W,5000W和15000W.我要选36V/15000W的TVS管可以吗?才区区41W就用这么大的TVS是不是不合适啊.还有各位高手是如何计算的?

36V/15000W听说要10块钱一个,太贵了!我是用不起了.

0

回复

LV.3

16

2007-05-23 15:58

@amingda

TVS4上并一个102的电容试一下!

并102电容了,还是很发烫

0

回复

LV.3

17

2007-05-23 17:01

@寻找真理

反馈取12V,R14减小,频率减小,TVS增大电压试试或则用RCD好了

R14我换成0.17欧,原边峰值电流=5.9A,带载明显增加.TVS4换成RCD的吸收网络,发热量就小多了,但F7473发热很大,3842的6脚输出居然达25V.加一级15V稳压管,稳压管发热很严重.是不是这时我的F7473选的太小了?
F7473,Id=6.9A@25度,5.5A@70度,Vgs=20V(MAX).

0

回复

LV.6

18

2007-05-23 17:12

@czhlcai

并102电容了,还是很发烫

用RC电路吸收试试怎么样.

0

回复

LV.4

19

2007-05-23 17:21

留个脚印

0

回复

LV.3

20

2007-05-23 17:57

@大成电子

用RC电路吸收试试怎么样.

“原边电感量太小了,重新计算变压器”这个我不知道呀,因为变压器我不懂,是找专业公司给绕的.能给个建议吗?
重复第17贴.
R14我换成0.17欧,原边峰值电流=5.9A,带载明显增加.TVS4换成RCD的吸收网络,发热量就小多了,但F7473发热很大,在5V输出1A时,3842的6脚输出居然达30V(示波器测),电源也飕升到30V.我想是次级绕组太重时,轻载的辅助电源电压发飘,如何解决这个问题呢?.

0

回复

LV.3

21

2007-05-24 12:00

@czhlcai

“原边电感量太小了,重新计算变压器”这个我不知道呀,因为变压器我不懂,是找专业公司给绕的.能给个建议吗?重复第17贴.R14我换成0.17欧,原边峰值电流=5.9A,带载明显增加.TVS4换成RCD的吸收网络,发热量就小多了,但F7473发热很大,在5V输出1A时,3842的6脚输出居然达30V(示波器测),电源也飕升到30V.我想是次级绕组太重时,轻载的辅助电源电压发飘,如何解决这个问题呢?.

我在辅助电源D6输出前串了一个200欧的电阻,再接一个18V的稳压管,能控制在18V以下,起动也没什么问题.这样可以吗?

0

回复

LV.5

22

2007-05-24 12:05

@czhlcai

我在辅助电源D6输出前串了一个200欧的电阻,再接一个18V的稳压管,能控制在18V以下,起动也没什么问题.这样可以吗?

200欧欧太大了点

0

回复

LV.3

23

2007-05-25 08:15

@hepeng

200欧欧太大了点

兄弟,就是说这么做没问题吧.那我就改成100欧1W的.200欧0.25W还真有点烫.

0

回复

LV.4

24

2007-05-25 16:33

@czhlcai

“原边电感量太小了,重新计算变压器”这个我不知道呀,因为变压器我不懂,是找专业公司给绕的.能给个建议吗?重复第17贴.R14我换成0.17欧,原边峰值电流=5.9A,带载明显增加.TVS4换成RCD的吸收网络,发热量就小多了,但F7473发热很大,在5V输出1A时,3842的6脚输出居然达30V(示波器测),电源也飕升到30V.我想是次级绕组太重时,轻载的辅助电源电压发飘,如何解决这个问题呢?.

你的变压器热不热?上升下降时间是好多?
MOS管的波形可以上传吗?

1

0

回复

LV.4

25

2007-05-26 17:01

建议:
(1)反激变压器的原边电感量是非常关键的参数,是在设计之初根据电源要求计算确定的,为了得到较大的电感量,通常需要在磁芯增加气息
(2)给芯片供电的辅助绕组匝比不合适,否则不会高达25V.
(3)TVS一般不应用在开关电源的功率级尖峰吸收,建议使用RCD或RC吸收
(4)芯片的4与3脚的斜坡补偿应该接成射级跟随器的形式,如果工作时的占空比不超过0.6,也可以只接一只100p~200P的电容.
(5)电流采样电阻R14的设计计算首先应根据输出电流、占空比、效率、变压器匝比折算出原边的峰值电流,而芯片的3脚一般大于0.9V就开始减小输出脉冲宽度进行限流,因此3脚电压一般选择0.6V左右,由原边峰值电流和0.6V的电压就可计算采样电阻值,在根据工作时的平均功率确定电阻功率.
(6)反馈应该从输出功率较大的路进行采样或同时采样,且采样点最好接在输出滤波电感前.
(7)建议在设计电源前多看看相关书籍和资料.

0

回复

LV.4

26

2007-05-27 08:48

你这张图太多问题了,就目前来看,你要走的路还很长很长.我也刚刚完成一个用此IC的项目,24VAC输入,5路输出,输出总功率60W.就我个人认为,你的频率取80K就好了,电感量25左右,电流取样电阻改小,改变次级线圈的绕法和电压取样点.

0

回复

LV.3

27

2007-05-30 11:19

@lkpn

你这张图太多问题了,就目前来看,你要走的路还很长很长.我也刚刚完成一个用此IC的项目,24VAC输入,5路输出,输出总功率60W.就我个人认为,你的频率取80K就好了,电感量25左右,电流取样电阻改小,改变次级线圈的绕法和电压取样点.

TVS4-SMCJ20A很烫找到原因了.
因为SMCJ20A钳位电位过低,导致钳位时间过长,损耗过大所致.
那我这么选大家看行不行,不考虑漏感,24V整流滤波后最大35V,MOS关断后,由次级感应到初级电压Vor=(5+0.8肖特基压降)V*(22/6匝比)=21.5V,取22V.
VDS=22+35=57V,所以选TVS的VBR(雪崩电压)=62V(比57V大一些),Vwm(关断电压)=62V/1.3V=48V
.
由于F7473的VDS最大=100V,选TVS的VBR(雪崩电压)=90V(比100V小一些),Vwm(关断电压)=90V/1.3V=69V.
综上选TVS在SMCJ48A--SMCJ70A之间.所以我选SMCJ60A.
这样可以吗?

0

回复

LV.3

28

2007-05-30 13:17

@amingda

你的变压器热不热?上升下降时间是好多?MOS管的波形可以上传吗?1

没相机呀

0

回复

LV.8

29

2007-05-30 15:45

你的图看不清楚啊

0

回复

LV.3

30

2007-05-30 17:23

@computerpower

你的图看不清楚啊

....
楼上,你在图下点一下,不就行了.

0

回复

LV.3

31

2007-05-31 15:55

@czhlcai

....楼上,你在图下点一下,不就行了.

把初级电感量32uH变到100uH(减小气隙),带载量比以前提高很多,但30多W下,变压器发出吱吱声.今天试了试SMCJ60A,30W下没什么发热,但是F7473发热严重.示波器测量发现,轻载时,电路处在DCM(不连续模式)下,重载时,变成CCM(连续模式),电路出现振荡.
有什么解决办法,设计是41W呀,才30W就不行了.

0

回复

立

即

发

帖