我是电力电子这个领域的新手,也在积极地学习中,最近把有关电容器件的学习知识总结给大家共享,也同时希望大家能够指正,给与我更多地帮助.我的目标是一名优秀的电源工程师.
一 薄膜电容器
在电子线路中的应用
1. 在振荡电路,定时电路,延迟电路和滤波器中的应用.
在这几种电路中,要求电容器的电容量具有良好的温度稳定性,保证振荡频率,定时时间,延迟时间具有良好的温度稳定性,此时选用温度系数低的聚碳酸酯介质电容为首选,其温度系数可以接近于零.其次应选用的是复合膜电容器,在国家标准中以CH表示,如国产的CH11复合膜电容器的电容量可以从1nF—0.47uF,在市场上很容易找到,采用黄色树脂封装.
如果在温度几乎不变的情况下电容器的选择无特殊的要求,但是一定不能选用第二类陶瓷介质(其电容量随电容器的温度变化太大).
2. 在积分电路中的应用
在积分电路中,积分时间常数是由积分电容器和电阻决定的,通常电阻有良好的温度特性,所以最关键的是要保证电容量的稳定,这一点与前面所述电路没有区别,与它们不同的是,积分电路具有保持功能,因而要电容器的绝缘电阻越高越好,同时要保持积分的准确性,电容器的介质吸收要低.所以,通常积分电路的积分电容器应选择介质吸收低的,然后考虑的是温度系数,绝缘电阻.综合考虑应首选介质吸收最低的聚苯乙丙烯介质电容器.
电容器的选择和注意事项(1)
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@雪山无痕
有道理,在开关电源中用到的电容有:陶瓷,MYLAR,金属,积层,电解等,而开关电源所设计的电路不谓乎以下几种:吸收回路,输出反馈回路,过压/过载/过温回路/风扇控制等,所以不同的电路,需要不同的电容,在吸收回路里我们常用陶瓷电容,其温度特性要好,输出反馈回路也会用到陶瓷电容,斜坡补偿需要金属电容,因其温度特性更好,延时电路常用MYLAR电容,输出滤波当然要用电解,输入对地间电容要用高压环氧树脂电容.
3. 在采样-保持电路中的应用
在这种电路中的最关键的是电容器的绝缘电阻,应以选择绝缘电阻最高的介质为首选.如果频率较高,还应考虑损耗因数,通常在薄膜电容中,损耗因数均可以满足要求.
4. 作为耦合电容器
既要将交流或脉冲信号“无衰减”的耦合到后级,同时又不能影响后级的直流工作点,因而需要电容器的绝缘电阻要高,通常的聚酯薄膜电容即可满足要求.
5. 作为MOSFET开关与IGBT开关的缓冲电容器
通常的IGBT缓冲电路主要有三种形式
二 陶瓷介质电容器
1. I类陶瓷电容器
过去称高频陶瓷电容器,是指介质损耗小,绝缘电阻高,介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器.它特别适用于谐振回路,以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿.
2. II类陶瓷电容器
过去被称作低频陶瓷电容器,这类电容的比电容大,容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常用在电子设备中用于旁路,耦合或用于其他对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中.
陶瓷电容的基本特性:具有较高甚至非常高的介电常数.I类超稳定介质用于高频,但电容量作的不可能很大,通常1206SMD封装的电容从0.5pF到0.01uF.而II类稳定介质对应的电容则可做到2.2uF或再高一些.II类的可用级陶瓷介质材料可达到100uF.
在这种电路中的最关键的是电容器的绝缘电阻,应以选择绝缘电阻最高的介质为首选.如果频率较高,还应考虑损耗因数,通常在薄膜电容中,损耗因数均可以满足要求.
4. 作为耦合电容器
既要将交流或脉冲信号“无衰减”的耦合到后级,同时又不能影响后级的直流工作点,因而需要电容器的绝缘电阻要高,通常的聚酯薄膜电容即可满足要求.
5. 作为MOSFET开关与IGBT开关的缓冲电容器
通常的IGBT缓冲电路主要有三种形式
二 陶瓷介质电容器
1. I类陶瓷电容器
过去称高频陶瓷电容器,是指介质损耗小,绝缘电阻高,介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器.它特别适用于谐振回路,以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿.
2. II类陶瓷电容器
过去被称作低频陶瓷电容器,这类电容的比电容大,容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常用在电子设备中用于旁路,耦合或用于其他对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中.
陶瓷电容的基本特性:具有较高甚至非常高的介电常数.I类超稳定介质用于高频,但电容量作的不可能很大,通常1206SMD封装的电容从0.5pF到0.01uF.而II类稳定介质对应的电容则可做到2.2uF或再高一些.II类的可用级陶瓷介质材料可达到100uF.
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@pioneerlxf
3.在采样-保持电路中的应用在这种电路中的最关键的是电容器的绝缘电阻,应以选择绝缘电阻最高的介质为首选.如果频率较高,还应考虑损耗因数,通常在薄膜电容中,损耗因数均可以满足要求.4.作为耦合电容器既要将交流或脉冲信号“无衰减”的耦合到后级,同时又不能影响后级的直流工作点,因而需要电容器的绝缘电阻要高,通常的聚酯薄膜电容即可满足要求.5.作为MOSFET开关与IGBT开关的缓冲电容器通常的IGBT缓冲电路主要有三种形式二陶瓷介质电容器1.I类陶瓷电容器过去称高频陶瓷电容器,是指介质损耗小,绝缘电阻高,介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器.它特别适用于谐振回路,以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿.2.II类陶瓷电容器过去被称作低频陶瓷电容器,这类电容的比电容大,容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常用在电子设备中用于旁路,耦合或用于其他对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中.陶瓷电容的基本特性:具有较高甚至非常高的介电常数.I类超稳定介质用于高频,但电容量作的不可能很大,通常1206SMD封装的电容从0.5pF到0.01uF.而II类稳定介质对应的电容则可做到2.2uF或再高一些.II类的可用级陶瓷介质材料可达到100uF.
不错,顶起!!!!!
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@pioneerlxf
3.在采样-保持电路中的应用在这种电路中的最关键的是电容器的绝缘电阻,应以选择绝缘电阻最高的介质为首选.如果频率较高,还应考虑损耗因数,通常在薄膜电容中,损耗因数均可以满足要求.4.作为耦合电容器既要将交流或脉冲信号“无衰减”的耦合到后级,同时又不能影响后级的直流工作点,因而需要电容器的绝缘电阻要高,通常的聚酯薄膜电容即可满足要求.5.作为MOSFET开关与IGBT开关的缓冲电容器通常的IGBT缓冲电路主要有三种形式二陶瓷介质电容器1.I类陶瓷电容器过去称高频陶瓷电容器,是指介质损耗小,绝缘电阻高,介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器.它特别适用于谐振回路,以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿.2.II类陶瓷电容器过去被称作低频陶瓷电容器,这类电容的比电容大,容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常用在电子设备中用于旁路,耦合或用于其他对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中.陶瓷电容的基本特性:具有较高甚至非常高的介电常数.I类超稳定介质用于高频,但电容量作的不可能很大,通常1206SMD封装的电容从0.5pF到0.01uF.而II类稳定介质对应的电容则可做到2.2uF或再高一些.II类的可用级陶瓷介质材料可达到100uF.
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