反激式电源 MOS最高开关频率

这是说什么啊?

讨论单端反激式电源开关频率

我的意思是说你在乱讲!
我有下列疑问:
1,关于变压器:MOS关断时,是工作在变压器状态下.这是什么意思啊?
2,按你上面的推断,是因为频率高了变压器的损耗会增大、效率会降低,才不把MOS开关频率定太高的.是这样的吗?

如果您知道的话,可以指出?让不清楚得人提高一下

关于反激变压器说明如下:
1,变压器不存储能量.
2,反激变压器,首先存储能量(用主绕组电感)——电能转化为磁能;再释放能量(通过输出绕组释放)——磁能转化为电能传输出去.
3,转换时满足安培定律:Np*Ip=Ns*Is.
关于MOSFET说明如下:
1,影响MOSFET损耗大小的本身因素,主要由Rds(on)和开关特性.
2,开关频率升高后,开关特性对损耗的影响越来越显著.

最高开关频率的确定,是变压器铁损和铜损,MOSFET开关损耗和Rds(on)损耗,经过不断优化的结果(效率和EMI特性的实现成本达到平衡).如果不采用特殊的铁芯(比PC47更好)和特殊的MOS(CoolMOS),反激式开关电源的最高开关频率应该不会超过100KHz.

说得不好,请各抒己见!

反激电源开关频率一般不大于100KHz?不会吧,象用TOP247YN芯片做到132K是很平常的事情,也没有见到变压器需要特殊的材料的呀.

就是嘛 TOP起码都是100KHZ

MOS开关频率越高当然损耗就越大了,频率PI的EN封装都可以达到132KHZ,不知阁下的结论是怎么定下的?

支持楼上的说法

PI的东西,是集成MOS的!那个是不是性能特别好(Ciss、Crss和Coss)呢?或者,是不是内部对集成MOS的驱动能力很强呢?我们不得而知.
我们是用普通的PWM IC加一般的MOS做过实验的!开关频率高于86KHz(因为电阻阻值的不连续性,所以大致是这么多),效率就会变低.不相信的话,你自己可以做实验.

没有啊,我这里有成熟的用UC3843做的60W电源,上边也是独立MOS管,我们的频率也能上100K啊,所以,我认为你所谓的频率不能高于100K有些欠稳妥,呵呵.对了,朋友,你可不可以去看看我的另一个提问,帮我参考一下,因为这是我第一次设计主变.http://bbs.dianyuan.com/topic/494137 ,特别关注23 贴,谢谢了.

你频率做再高,没人说你

呵呵,谢谢你的指点,可以帮我看看我的问题吗,我现在也有个问题想请教下你,我的模块是:输出为 600V5A  ,主变温度在老化稳定后磁芯和线包稳定在110度,我的模块参数是这样的:380VAC输入,全桥拓扑,开关频率20K,整机效率0.87,输出用全桥整流.主变为EE55/28/21双磁芯.以前的主变是初次级为:3*1mm*30T:1*1mm*50T,而我现在重新设计的参数是这样的,电流密度取400,Bm =2000 GS ,Dmax =0.8  ,主变原边电压为400~600V,最大输出600V,5A,用双EE55/28/25 ,初次为:3*0.9mm*32T:2*0.9mm*54T,不知道这样行不行,现在准备做样,希望好心人快帮帮我,谢谢了

楼上说得好!你频率再高,没有人说你.你想高就高吧!

你有没有尝试过,频率低一点,反而整机性能会好一些呢?
折衷,是开关电源设计的灵魂!开关频率,两三百KHz也很多(反激式较少),几MHz的,也很多.要的是,各种拓扑结构及零件选择后,选多大频率才是比较优化的“折衷”.

就是所谓找个平衡点....

不同应用的话频率选择不同吧.
AC/DC里面的Flyback可能频率底一点.我碰过Delta有款电源100K以下频率,所以很容易过CE测试(150k~30M).
但是在小功率DC/DC电源模块里,我接触到的Ericsson的Flyback就有510K Hz.

510K是不是用硬开关的呀,应该是用软开关的吧!

DC-DC过的认证标准不同啊,肯定测试方法也不同咯,不可同日而语矣....