各位前辈,晚生请教1000W-HID灯用电子镇流器方案
各位前辈,晚生虚心请教1000W-HID灯用电子镇流器方案,请帮忙,谢谢!
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1000W, 从拓扑结构的设计阶段就应慎重, 转换效率即使很高, 哪怕90%, 它也有100W
的热耗.
铜损, 可以靠加粗铜线的代价降低它; 铁损,可以用加大磁芯来补偿它; 哪开关损耗呢
?
同样的拓扑结构, 同样的开关管, 它的开关损耗不会有大的出入. 做1000W, 同样的拓
扑结构, 做出来的结果无非是比250W的散热铝材大一点厚一些, 按这种量化差异的方式
处理真的可行吗? 结果好吗? 毕竟半导体的工作环境温度是有极限的.
何不突破外国专用IC给我们设的拓扑框框? 有时我都觉得那是个专利陷井.
PFC+高频调制+全桥调相, 三段论! 高频调制和全桥调相环节
的热耗.
铜损, 可以靠加粗铜线的代价降低它; 铁损,可以用加大磁芯来补偿它; 哪开关损耗呢
?
同样的拓扑结构, 同样的开关管, 它的开关损耗不会有大的出入. 做1000W, 同样的拓
扑结构, 做出来的结果无非是比250W的散热铝材大一点厚一些, 按这种量化差异的方式
处理真的可行吗? 结果好吗? 毕竟半导体的工作环境温度是有极限的.
何不突破外国专用IC给我们设的拓扑框框? 有时我都觉得那是个专利陷井.
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@周凯
加我吧QQ:458595958
我有一个客户已经在批量生产1000W HID灯了,关于发热问题,我想比好解决,我们有一款快恢复二极管LQA05TC600可以有效减低MOS温度,而且我们客户原来设计的电路上是用IXYS的15A 600V 的二极管,该设计要用4颗FQA28N50,我们给客户建议我们的LQA05TC600,同时把4颗28N50改为2颗24N50和2颗28N50,成本降了差不多1.5美金,同时MOS的温度降了15-20度.目前该客户已经在大批量生产了.有兴趣请和我联系.许生13332922814,(我们可以提供技术上的支持与交流!)
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@mysky1314520
我有一个客户已经在批量生产1000WHID灯了,关于发热问题,我想比好解决,我们有一款快恢复二极管LQA05TC600可以有效减低MOS温度,而且我们客户原来设计的电路上是用IXYS的15A600V的二极管,该设计要用4颗FQA28N50,我们给客户建议我们的LQA05TC600,同时把4颗28N50改为2颗24N50和2颗28N50,成本降了差不多1.5美金,同时MOS的温度降了15-20度.目前该客户已经在大批量生产了.有兴趣请和我联系.许生13332922814,(我们可以提供技术上的支持与交流!)
能否提供点资料看看,知道你们方案的好处,便于决策.
我的邮箱:wxy0712@126.com
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@mysky1314520
我有一个客户已经在批量生产1000WHID灯了,关于发热问题,我想比好解决,我们有一款快恢复二极管LQA05TC600可以有效减低MOS温度,而且我们客户原来设计的电路上是用IXYS的15A600V的二极管,该设计要用4颗FQA28N50,我们给客户建议我们的LQA05TC600,同时把4颗28N50改为2颗24N50和2颗28N50,成本降了差不多1.5美金,同时MOS的温度降了15-20度.目前该客户已经在大批量生产了.有兴趣请和我联系.许生13332922814,(我们可以提供技术上的支持与交流!)
谢谢!希望能成为朋友,虚心向你学习!
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@pow-fsh
1000W,从拓扑结构的设计阶段就应慎重,转换效率即使很高,哪怕90%,它也有100W的热耗. 铜损,可以靠加粗铜线的代价降低它;铁损,可以用加大磁芯来补偿它;哪开关损耗呢? 同样的拓扑结构,同样的开关管,它的开关损耗不会有大的出入.做1000W,同样的拓扑结构,做出来的结果无非是比250W的散热铝材大一点厚一些,按这种量化差异的方式处理真的可行吗?结果好吗?毕竟半导体的工作环境温度是有极限的. 何不突破外国专用IC给我们设的拓扑框框?有时我都觉得那是个专利陷井. PFC+高频调制+全桥调相,三段论!高频调制和全桥调相环节
我现在也在做HID1000W的电源效率过9功率因数也过9但是我在降压上恒不了压
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