我开发NB移动电源遇到的问题-过热,电压低等

我的这个项目已经开发了很久了,现在还不太理想.开始的时候,客户表示可以用铝制外壳,但是我嫌做金属外壳麻烦,想采用PCB大面积敷铜的办法来散热,这个决定让我遇到很多麻烦.一开始的时候因为敷铜面积太小,只加一点点电流电压就掉得厉害,而且升到额定电流不到2秒MOSFET就烧毁了(输出19V 3.5A/16V 4.5A).后来我加大了敷铜面积,而且采用两面散热,温度是降下来了,但是电压还是掉得厉害.打电话给供应商咨询,而且给他们寄送了样品,供应商认为是PCB布局不好.我按照供应商要求重新LAYOUT,这次一路输出(19V 3.5A)ok了,但是16V 4.5A这一路还是不行,电压掉得厉害,不得不进一步改进电路,结果还是不行,这时候我怀疑是MOSFET内阻太大,更换另外一种MOSFET后OK,我测试了一下原来的MOSFET,规格书上是13mohm,我测试了一下有22mohm,真的被供应商害惨了.
这个时候我觉得问题解决的差不多了,就做了外壳手板,当然是ABS料的,我估计加了外壳元件温升会大一些.实际测量结果是80~85度之间,原来没有加外壳的时候是60~70度之间,这个结果不算太坏,但是我还想降低温度,只能增加外壳上的散热孔了,只是这样外壳会显得比较丑,我很犹豫要不要这样干.现在元件温升提高了后,我发现电压掉的比以前大了很多,而且随着放电时间延长而降得越厉害,差不多有1V,而我之前满载只比轻载的时候低0.1V左右,我感觉还是MOSFET内阻大了,当时我设计的余量很小,主要是考虑过载保护,没有考虑到MOSFET温度大了以后内阻也会增大,限流会降低,现在需要CALL新的元件实验.可能明天就有结果了.