文章:功率器件并联

好贴, 能不能发表一个阁下的读后感想?

文章很不错,很值得仔细阅读,尤其是对于开关电源设计者.希望大家多上传些好文章,好东西共同分享嘛!先谢谢各位啦!

的確是好文章,需要好好的研讀

我好佩服你的英文水准喔.

总结一下:
1.如果可以采用单个大功率器件, 尽量不要使用多个功率器件并联的方式.
2.如果存在多个负载, 并使用多个功率器件供电, 最好各负载由不同的功率器件供电, 尽量不要并联.
3.Ron特性为正温度系数的器件, 更适合于并联.并联时要求使用同一块散热片.
4.Ron特性为负温度系数的器件, 也可以并联.并联时要求必须使用同一块散热片.
5.多个功率器件并联时, 至少要留有30%以上的通流余量.

其实我看得不是很懂的.
多谢athenchen的总结阿,
现在总算是七七八八了.

平时我听说PT的IGBT并联会有问题,
是怎么一回事呢?
请教各位大侠.

APT文章:在高压高频系统中如何测量VDS(on),VCT(sat)
1106808842.pdf

总结的不错,我也来简单说几句.
首先,多个功率器件并联时,降额使用是必要的,但具体降多少,应该由并联个数、器件一致性以及电路设计等多种因素来共同决定.并联的个数越多,降额应越大.
此外,器件并联时,器件的选择、驱动电路的选择、散热器的选择和安装以及布线等对电路设计都同样重要.以MOSFET并联为例,器件的阈值电压(对高频应用很重要)和导通电阻一致性越高越好;每一器件的驱动电压和驱动电流能力应该相同,而且驱动电路的输出阻抗要足够低(对器件的开通和关断损耗的降低以及提高开关频率很重要);所有器件应共用同一散热器,如果必须使用多个散热器,每一器件芯片到环境的热阻抗都应时相匹配的,并且每一散热器与MOSFET器件的接触都要良好(保证热量能即时散发出去);器件、母线、接线的布局要对称,栅驱动回路的面积要尽可能小,以使源极寄生电感降低(对器件的开通和关断很重要),而且每一开关器件都要使用一单独的栅电阻(均流电阻),不要将各栅极直接相连.
希望大家能多多发言,共同讨论.