最近在调反激同步整流,想起一个问题,在输入电压较宽和负载变化的情况下,很难保证模块始终处于CCM 模式下,如果到了DCM模式可能会出现副边直通,不能带载,这个时候应该怎么办?希望电源界同仁一起探讨一下.
我大概搜索了一下,一些IC厂商号称他们的ic可以做到DCM或是QR模式的同步整流,方法好像就是通过检测副边整流电流实现,我没有亲见,不敢保证.
不知各位大侠还有什么高见?
DCM模式下的反激同步整流探讨
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用同步整流一般是用在低压大电流输出功率大些的场合,当然用CCM比用DCM要好些.如果用DCM降低了效率再去想用SR 提高效率,那不是兜了一圈,花了钱还没办好事?当然如果确实用DCM就足够了除外,否则理想模式就是首先不要考虑SR电路,尽量先在初级上把效率提高,能用CCM的就用CCM,然后再来考虑SR的问题,而不是为SR而去约束初级工作模式.能用CCM的不用,却为了用SR却去用DCM就是为了拣西瓜而扔了了哈密瓜.理想的方式就是既要拣西瓜也要捡哈密瓜.全电压输入,duty不断变化,如果要高效,要解决在不同输入电压下和负载情况下SR 的Vgs On-time 随duty变化跟随调整的问题,如果On-time是固定的,必然当duty和输入电压变化时效率提升有限.而要解决在CCM下工作的问题,就要解决SR Mosfet的deadtime调整问题,也就是关断的时间问题,如果deadtime无法随负载和工作模式变化进行可靠调整,将导致直通,轻则影响效率,重则炸机.个人认为这也是多数同步整流方案不一定高效但在DCM或者QR下能用,但在全电压输入和CCM下工作很不理想甚至不能用的原因.至于在DCM下直通,个人认为主要是两个原因:一是 deadtime不够,还是关断的问题;二是启动SR的问题,启动SR问题主要原因个人认为有主要是抗干扰能力差,在SR本该关断的时候轻载时因外界干扰串入导致系统信号变化,让SR电路误启动,这一般那种用ZVS原理检测或互感器(互感器还有一个离散性的问题)检测信号来判断启动的方案容易出现.我们的反激同步整流IC SP6013A做的方案就能完全不用互感器独立于初级在DCM/QR/CCM模式下就能工作,因为我们的deadtime 可以根据需要调整,解决关断的问题;启动SR是斜率检测方式,同时SR启动点客户可以根据需要自行灵活设置,可以抑制干扰的影响,同时可以让客户全程用同步整流工作,所以我们的方案同步整流Mosfet不用并联萧特基二极管辅助;同时我们的关断是逐周期检查duty,On-time跟随客户电路自行调整,所以做全电压依然高效.我做销售的,以上一点浅见,不一定全对(要专业回答那得我们FAE),仅做探讨.
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@洪七公
用同步整流一般是用在低压大电流输出功率大些的场合,当然用CCM比用DCM要好些.如果用DCM降低了效率再去想用SR提高效率,那不是兜了一圈,花了钱还没办好事?当然如果确实用DCM就足够了除外,否则理想模式就是首先不要考虑SR电路,尽量先在初级上把效率提高,能用CCM的就用CCM,然后再来考虑SR的问题,而不是为SR而去约束初级工作模式.能用CCM的不用,却为了用SR却去用DCM就是为了拣西瓜而扔了了哈密瓜.理想的方式就是既要拣西瓜也要捡哈密瓜.全电压输入,duty不断变化,如果要高效,要解决在不同输入电压下和负载情况下SR的VgsOn-time随duty变化跟随调整的问题,如果On-time是固定的,必然当duty和输入电压变化时效率提升有限.而要解决在CCM下工作的问题,就要解决SRMosfet的deadtime调整问题,也就是关断的时间问题,如果deadtime无法随负载和工作模式变化进行可靠调整,将导致直通,轻则影响效率,重则炸机.个人认为这也是多数同步整流方案不一定高效但在DCM或者QR下能用,但在全电压输入和CCM下工作很不理想甚至不能用的原因.至于在DCM下直通,个人认为主要是两个原因:一是deadtime不够,还是关断的问题;二是启动SR的问题,启动SR问题主要原因个人认为有主要是抗干扰能力差,在SR本该关断的时候轻载时因外界干扰串入导致系统信号变化,让SR电路误启动,这一般那种用ZVS原理检测或互感器(互感器还有一个离散性的问题)检测信号来判断启动的方案容易出现.我们的反激同步整流ICSP6013A做的方案就能完全不用互感器独立于初级在DCM/QR/CCM模式下就能工作,因为我们的deadtime可以根据需要调整,解决关断的问题;启动SR是斜率检测方式,同时SR启动点客户可以根据需要自行灵活设置,可以抑制干扰的影响,同时可以让客户全程用同步整流工作,所以我们的方案同步整流Mosfet不用并联萧特基二极管辅助;同时我们的关断是逐周期检查duty,On-time跟随客户电路自行调整,所以做全电压依然高效.我做销售的,以上一点浅见,不一定全对(要专业回答那得我们FAE),仅做探讨.
谢谢,先研究一下,正在评估到底用肖特基还是同步整流
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@洪七公
用同步整流一般是用在低压大电流输出功率大些的场合,当然用CCM比用DCM要好些.如果用DCM降低了效率再去想用SR提高效率,那不是兜了一圈,花了钱还没办好事?当然如果确实用DCM就足够了除外,否则理想模式就是首先不要考虑SR电路,尽量先在初级上把效率提高,能用CCM的就用CCM,然后再来考虑SR的问题,而不是为SR而去约束初级工作模式.能用CCM的不用,却为了用SR却去用DCM就是为了拣西瓜而扔了了哈密瓜.理想的方式就是既要拣西瓜也要捡哈密瓜.全电压输入,duty不断变化,如果要高效,要解决在不同输入电压下和负载情况下SR的VgsOn-time随duty变化跟随调整的问题,如果On-time是固定的,必然当duty和输入电压变化时效率提升有限.而要解决在CCM下工作的问题,就要解决SRMosfet的deadtime调整问题,也就是关断的时间问题,如果deadtime无法随负载和工作模式变化进行可靠调整,将导致直通,轻则影响效率,重则炸机.个人认为这也是多数同步整流方案不一定高效但在DCM或者QR下能用,但在全电压输入和CCM下工作很不理想甚至不能用的原因.至于在DCM下直通,个人认为主要是两个原因:一是deadtime不够,还是关断的问题;二是启动SR的问题,启动SR问题主要原因个人认为有主要是抗干扰能力差,在SR本该关断的时候轻载时因外界干扰串入导致系统信号变化,让SR电路误启动,这一般那种用ZVS原理检测或互感器(互感器还有一个离散性的问题)检测信号来判断启动的方案容易出现.我们的反激同步整流ICSP6013A做的方案就能完全不用互感器独立于初级在DCM/QR/CCM模式下就能工作,因为我们的deadtime可以根据需要调整,解决关断的问题;启动SR是斜率检测方式,同时SR启动点客户可以根据需要自行灵活设置,可以抑制干扰的影响,同时可以让客户全程用同步整流工作,所以我们的方案同步整流Mosfet不用并联萧特基二极管辅助;同时我们的关断是逐周期检查duty,On-time跟随客户电路自行调整,所以做全电压依然高效.我做销售的,以上一点浅见,不一定全对(要专业回答那得我们FAE),仅做探讨.
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