120W适配器温度高!请教各位!

什么拓扑结构啊 变压器大小啊  等等一些你都没讲  不好分析的哦

不好意思!变压器为:PQ32/30,双管反激式!

你要确定是铜损还是铁损   如果是前者就加大线经   如果是后者就加大圈数

适度减少变压器匝数(频率不变,铜损会减小,铁损会增加),同时将开关管或次级整流管的散热片延伸到变压器啊(注意控制好爬电距离)..

加大匝比,是否可以将温度控制下来?

如果可以,降低频率,温度会有很明显的改善

整个效率有多高!MOSFET型号,是否散热器足够．

FULL LOAD时的效率是87%,MOS是18A/500V两颗,RDS=0.32MAX,散热片已加至最大了!

参数可以了,塑壳的?注意要开孔对流!

是塑料壳的,3mm厚,现打算加大匝比,将DMAX由0.47改为0.5,将原来的Bmax:1750G改为1200G,变压器NP由42匝加至49匝,F由100KHZ改为120KHZ,电感由420UH改为365UH,NP的线径由0.25*5改为0.45*2,不知这样更改温度会不会降低?

怎么没有人来?

频率越高会越差．

请问为什么频率越高会越差?我看很多资料上都说频率高功耗会小,效率会高点的啊.

磁损及MOSFET损耗都会增加,你在原机上将频率提高和降低看看就明白了．

100K已经够高的啦,再高的话,开关损耗,铁损都会比较大.你现在是变压器热,可以考虑是变压器总的损耗降至最低,核算一下,频率增加后变压器的总损耗减少了吗?
  还有就是散热条件很重要,如果散热条件很差(比如说外壳比较小),要做到搞效率是比较难的.没有PFC的话,87%的效率是否低了点啊.也许比较合适的公所频率在60-80K左右.个人意见,仅供参考.

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已有发信息给你,

下午我公司会与你联络

请问效率一般要做到多少合适?

刚试了一下,将频率降低为65KHZ,LP改为680UH,NP:42匝,NS:5匝,温度和100KHZ以前一样!请高人指点

我们这边现在做19v/6.3a在90的时候有87%

你可以考虑降初级MOSFET或次级FECTIFIER的散热片延伸到变压器上做能却用途啊,特别是对于PQ,RM型变压器的温升可以有较大帮助.前途书散热片不能太小啊.

个人感觉也许可以达到效率88%——89%,而且可以通过FCC测试.

反射电压为约220V,是吗?
你的初级匝数是怎样算的?我觉得似乎因该是70匝左右啊.

是的,初级匝数如果是70匝,则Bmax太小了,铜损太大,且70匝用PQ32/30也做不下!

搞定没?绕组结构是怎样的?是否可以优化!

没有!其温度仍较高!

你的塑壳到底有多大?个人觉得是热量累积造成的,还是考虑加强热通过塑壳辐射或加孔对流．

LP提高到900UH,应该会好点．

我试过.因频率较高,LP提高后会开不起机,会饱和,使OPP保护,我在开盖后老化温度也只有70度,环境温度为25度!