谁知此IC的型号
DC TO DC 9V-12V 输出为5V,电路如图,请问是什么IC500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/62/404881203517071.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/62/404881203517091.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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@erjizhan
如果不是开关电源,那电感主要起什么作用呢?请教
这是一个失败的设计,从电路看楼主设计目标是做一个简单的BUCK变换器,失败之处如下:
1:电路错误,图中Q1发射极应该接地,不然三极管无法控制MOSFET关闭,且续流二极管也没有形成工作回路;
2:MOSFET驱动失误,由图中所画MOSFET管脚编号结合电路分析,此为N型MOSFET无疑,那么即使使用低GS门限的MOSFET,驱动所使用电压也应该比图中的+12VDC(即Vg)高3V左右,如果按图中使用等于Vg的电压的话,MOSFET将工作于线形状态而不是开关状态;
3:既然是不隔离输出,那么反馈电路中的光偶完全没有必要;
4:图中控制三极管的基极回路中没有对电流进行限制,一旦电路反馈建立,D6、Q1的b-e、IC2的c-e中必然会有一处或多处损坏;
5:......
1:电路错误,图中Q1发射极应该接地,不然三极管无法控制MOSFET关闭,且续流二极管也没有形成工作回路;
2:MOSFET驱动失误,由图中所画MOSFET管脚编号结合电路分析,此为N型MOSFET无疑,那么即使使用低GS门限的MOSFET,驱动所使用电压也应该比图中的+12VDC(即Vg)高3V左右,如果按图中使用等于Vg的电压的话,MOSFET将工作于线形状态而不是开关状态;
3:既然是不隔离输出,那么反馈电路中的光偶完全没有必要;
4:图中控制三极管的基极回路中没有对电流进行限制,一旦电路反馈建立,D6、Q1的b-e、IC2的c-e中必然会有一处或多处损坏;
5:......
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@log1
这是一个失败的设计,从电路看楼主设计目标是做一个简单的BUCK变换器,失败之处如下:1:电路错误,图中Q1发射极应该接地,不然三极管无法控制MOSFET关闭,且续流二极管也没有形成工作回路;2:MOSFET驱动失误,由图中所画MOSFET管脚编号结合电路分析,此为N型MOSFET无疑,那么即使使用低GS门限的MOSFET,驱动所使用电压也应该比图中的+12VDC(即Vg)高3V左右,如果按图中使用等于Vg的电压的话,MOSFET将工作于线形状态而不是开关状态;3:既然是不隔离输出,那么反馈电路中的光偶完全没有必要;4:图中控制三极管的基极回路中没有对电流进行限制,一旦电路反馈建立,D6、Q1的b-e、IC2的c-e中必然会有一处或多处损坏;5:......
对第2条有不解:为什么驱动要比12VDC高3V?
对第4条:Q2从PIN4拉电流,不会产生过流吧,只会关断!
说的不对,请斧正!!
对第4条:Q2从PIN4拉电流,不会产生过流吧,只会关断!
说的不对,请斧正!!
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@poweroffline
Q2B极电流受次级控制,过流,还是没有看出来!按照楼上的推导,那么是这个是LINE式还是BUCK式电路呢VGS应该不会要到17V那么高吧,
关于过流,确实我描述的不够全面,抱歉.
1:在电源完全正常工作的时候,是不会出现过流现象的;
2:如果因某种原因导致输出电压超过设定值,那么光耦合器中的三极管会饱和导通,这时候就会过流;
3:在调试过程中,在环路未稳定前,如果有超调现象,那么过流同样有可能出现.
在此电路中要解决此问题,仅仅需要在Q1 b-e回路中增加1个K级的电阻,我认为在此设计中,控制三极管基极回路没有设计电流限制元件,是设计者基本知识缺乏的一种表现,或者说至少也是粗心.
关于电路形式,我已经很明白的说,这是buck,另有LINE这种电路形式吗?我还真不知道,这是一种应用方式而不是电路拓扑吧?
VGS不需要17V那么高,但VG却需要,因为我们需要MOSFET完全导通,
那么
VS=VD=12V
VG=VS+VGS最小值
1:在电源完全正常工作的时候,是不会出现过流现象的;
2:如果因某种原因导致输出电压超过设定值,那么光耦合器中的三极管会饱和导通,这时候就会过流;
3:在调试过程中,在环路未稳定前,如果有超调现象,那么过流同样有可能出现.
在此电路中要解决此问题,仅仅需要在Q1 b-e回路中增加1个K级的电阻,我认为在此设计中,控制三极管基极回路没有设计电流限制元件,是设计者基本知识缺乏的一种表现,或者说至少也是粗心.
关于电路形式,我已经很明白的说,这是buck,另有LINE这种电路形式吗?我还真不知道,这是一种应用方式而不是电路拓扑吧?
VGS不需要17V那么高,但VG却需要,因为我们需要MOSFET完全导通,
那么
VS=VD=12V
VG=VS+VGS最小值
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@log1
关于过流,确实我描述的不够全面,抱歉.1:在电源完全正常工作的时候,是不会出现过流现象的;2:如果因某种原因导致输出电压超过设定值,那么光耦合器中的三极管会饱和导通,这时候就会过流;3:在调试过程中,在环路未稳定前,如果有超调现象,那么过流同样有可能出现.在此电路中要解决此问题,仅仅需要在Q1b-e回路中增加1个K级的电阻,我认为在此设计中,控制三极管基极回路没有设计电流限制元件,是设计者基本知识缺乏的一种表现,或者说至少也是粗心.关于电路形式,我已经很明白的说,这是buck,另有LINE这种电路形式吗?我还真不知道,这是一种应用方式而不是电路拓扑吧?VGS不需要17V那么高,但VG却需要,因为我们需要MOSFET完全导通,那么VS=VD=12VVG=VS+VGS最小值
那么对于FLYBACK线路在整流后的驱动要多少伏呢?
和这种线路的区别在哪里?
报歉,我对这个电路还是不大理解!
和这种线路的区别在哪里?
报歉,我对这个电路还是不大理解!
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@log1
这是一个失败的设计,从电路看楼主设计目标是做一个简单的BUCK变换器,失败之处如下:1:电路错误,图中Q1发射极应该接地,不然三极管无法控制MOSFET关闭,且续流二极管也没有形成工作回路;2:MOSFET驱动失误,由图中所画MOSFET管脚编号结合电路分析,此为N型MOSFET无疑,那么即使使用低GS门限的MOSFET,驱动所使用电压也应该比图中的+12VDC(即Vg)高3V左右,如果按图中使用等于Vg的电压的话,MOSFET将工作于线形状态而不是开关状态;3:既然是不隔离输出,那么反馈电路中的光偶完全没有必要;4:图中控制三极管的基极回路中没有对电流进行限制,一旦电路反馈建立,D6、Q1的b-e、IC2的c-e中必然会有一处或多处损坏;5:......
我想不是设计失败,是图纸画错了,除了地线的部分外,MOSFET的驱动部位也是有问题的
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