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反激电路中的初级MOSFET的G,D,S两两短路原因

本人接到一客户投:-48V转10V电源模块的初级MOSFET的G,D,S两两短路,本人做了N天实验,没有个较好的结果,请教一下各位朋友,MOSFET的G,S短路可能由什么原因引起?反激时的尖峰能量是如何计算的? 1855371205317545.xls
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roamer.pan
LV.2
2
2008-03-13 09:10
自己顶一下,不知道如果MOSFET的VGS超出SPEC的话,DS会击穿嘛?
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erjizhan
LV.5
3
2008-03-13 09:18
@roamer.pan
自己顶一下,不知道如果MOSFET的VGS超出SPEC的话,DS会击穿嘛?
Vgs过压会引起Vgs短路,从而也会使DS短路.
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roamer.pan
LV.2
4
2008-03-13 10:02
@erjizhan
Vgs过压会引起Vgs短路,从而也会使DS短路.
谢谢!不过可不可分析具体一些?
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399858
LV.4
5
2008-03-14 20:04
@roamer.pan
谢谢!不过可不可分析具体一些?
在G与GND加一个10K的电阻,可能是因为你的尖峰电压击穿的．还可以在变压器初级加吸收回路也有一点好处．
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roamer.pan
LV.2
6
2008-03-17 09:30
@399858
在G与GND加一个10K的电阻,可能是因为你的尖峰电压击穿的．还可以在变压器初级加吸收回路也有一点好处．
这个电阻有加啊,直接有接在GS极上面,
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roamer.pan
LV.2
7
2008-03-29 10:42
这个问题搞定了,在一定的温度及输入电压,负载条件下,开时瞬间,同步整流和初及MOSFET共通,然后持续下去,造成初级MOSFET热死,之前一真在抓电压的问题,没有想到在那么多的特定情况下才会发生.烦了我两个星期.
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erjizhan
LV.5
8
2008-03-31 09:38
@roamer.pan
这个问题搞定了,在一定的温度及输入电压,负载条件下,开时瞬间,同步整流和初及MOSFET共通,然后持续下去,造成初级MOSFET热死,之前一真在抓电压的问题,没有想到在那么多的特定情况下才会发生.烦了我两个星期.
呵呵
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