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小创意

在使用3842等PWM芯片做开关电源的时候,常常要设计过流保护电路,按照标准设计是通过在mosfet回路上串连一个采样电阻,现在我们可以把这个电阻扔掉,我们可以利用mos的RSon做采样电阻,^_^一定很经典的!大家可以尝试一下哦!
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tired
LV.6
2
2005-02-19 19:08
你做的产品,不同厂家的MOS可以直接替换吗
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well
LV.4
3
2005-02-19 21:23
@tired
你做的产品,不同厂家的MOS可以直接替换吗
怎么做,发个图出来看看
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cm710
LV.6
4
2005-02-19 22:16
哈哈,TOP 系列的就是这么做的,你已经想晚了啊
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rainsun
LV.6
5
2005-02-20 09:52
@cm710
哈哈,TOP系列的就是这么做的,你已经想晚了啊
^o^人家比我聪明呀
不过如果不用top芯片,用其他芯片时我们可以那么做的呀,对不对?
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rainsun
LV.6
6
2005-02-20 09:53
@well
怎么做,发个图出来看看
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1108864423.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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2005-02-20 12:01
@rainsun
^o^人家比我聪明呀不过如果不用top芯片,用其他芯片时我们可以那么做的呀,对不对?
高达700V的峰值压输入,又要采样<5V的电压,速度要高达x00KHz级,做到集成里面倒是方便.
用分立元件来做?恐怕很头痛.
方案有吗?
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老狼
LV.8
8
2005-02-20 12:23
想法很好!可能实现很困难!
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asm
LV.8
9
2005-02-20 14:24
问题很多:
1、MOS管资料一般给出的是最大导通电阻Ron.
2、主管关断期间几百伏的高压与导通时的几百mV电压如何处理.这种处理电路不会比用1只电流检测电阻简单吧.
3、对正激电容谐振复位电路很难实现实际电流检测.
4、我没用过TOP开关,TOP芯片内部电流检测,也许单独用了电阻,只不过集成在内部.
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cmg
LV.9
10
2005-02-20 15:06
@asm
问题很多:1、MOS管资料一般给出的是最大导通电阻Ron.2、主管关断期间几百伏的高压与导通时的几百mV电压如何处理.这种处理电路不会比用1只电流检测电阻简单吧.3、对正激电容谐振复位电路很难实现实际电流检测.4、我没用过TOP开关,TOP芯片内部电流检测,也许单独用了电阻,只不过集成在内部.
目前见到的应用:
1)TOP,做了很好的温度补偿,精度是7个点.
2)低压非隔离DC/DC,未有温度补偿,变化率可达60%.
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rainsun
LV.6
11
2005-02-20 15:09
@asm
问题很多:1、MOS管资料一般给出的是最大导通电阻Ron.2、主管关断期间几百伏的高压与导通时的几百mV电压如何处理.这种处理电路不会比用1只电流检测电阻简单吧.3、对正激电容谐振复位电路很难实现实际电流检测.4、我没用过TOP开关,TOP芯片内部电流检测,也许单独用了电阻,只不过集成在内部.
我看了一下top的芯片 的确他们是那么做的 并且他们可以在功能脚上还使用外部一个电阻做进一步的完善的
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rainsun
LV.6
12
2005-02-20 15:13
@asm
问题很多:1、MOS管资料一般给出的是最大导通电阻Ron.2、主管关断期间几百伏的高压与导通时的几百mV电压如何处理.这种处理电路不会比用1只电流检测电阻简单吧.3、对正激电容谐振复位电路很难实现实际电流检测.4、我没用过TOP开关,TOP芯片内部电流检测,也许单独用了电阻,只不过集成在内部.
我认为在最大导通Ron时,就可以了,另外,你可以选用计算出检流电阻稍大一点Ron的mos管对吗 IR的mos管Ron一般都比较大,很适合用来做检测电阻的
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xiaowang
LV.5
13
2005-02-21 09:08
凌特有的器件就是这样做的.
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xkw1
LV.9
14
2005-02-21 10:08
好主意,只是那二极管有点贵.
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2005-02-21 13:09
@rainsun
[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1108864423.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
这样应用成本太高了.比用电流互感器还要高.
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baggiolhp
LV.4
16
2005-02-21 13:34
@xkw1
好主意,只是那二极管有点贵.
我去年就用这样的电流检测方法做过了
是用在BOOST充电上的.
当时是UPS充电部分,就借用UPS全桥逆变的MOS用来充电. 这样做效果也不错.一般应先放大再比较. 当时限制电流在10A以内的.
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baggiolhp
LV.4
17
2005-02-21 13:40
可以探讨一下?
QQ:9524069
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huzhiyuan0
LV.6
18
2005-02-21 14:01
@rainsun
我认为在最大导通Ron时,就可以了,另外,你可以选用计算出检流电阻稍大一点Ron的mos管对吗IR的mos管Ron一般都比较大,很适合用来做检测电阻的
哈,这点可是开关电源里最“脏”的一点了.
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2005-02-21 14:53
早就有这样做的了,但是Rds(on)随温度的变化太大了,所以不同温度下的差异太大,需要温度补偿.而且必须检测mosfet的温度,外部做温度补偿不是很好做,不光mosfet可以,连buck电路的电感也可以做电流检测的,但也存在同样电阻随温度变化的问题.上传一个关于这方面的资料,希望对你有用.

1108968825.pdf
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hjjwb-power
LV.4
20
2005-02-21 15:48
@电源柯南
早就有这样做的了,但是Rds(on)随温度的变化太大了,所以不同温度下的差异太大,需要温度补偿.而且必须检测mosfet的温度,外部做温度补偿不是很好做,不光mosfet可以,连buck电路的电感也可以做电流检测的,但也存在同样电阻随温度变化的问题.上传一个关于这方面的资料,希望对你有用.1108968825.pdf
用在低压DC/DC就容易做.
用在高压(AC220V--DC310V)呢?3842做的单端反激电路有700V尖峰电压.
TOP系列集成内部好搞,在集成里面做个零件容易,加一百个都不会增加多少硅片面积.
分立元件恐怕难搞多了.
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rainsun
LV.6
21
2005-02-22 08:52
@baggiolhp
我去年就用这样的电流检测方法做过了是用在BOOST充电上的.当时是UPS充电部分,就借用UPS全桥逆变的MOS用来充电.这样做效果也不错.一般应先放大再比较.当时限制电流在10A以内的.
方案贴出来给我们大家瞧瞧吧
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szcqy
LV.3
22
2005-02-22 10:30
@rainsun
[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1108864423.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
Q1关断时采样点电压可有几百伏哟.
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rainsun
LV.6
23
2005-02-22 12:37
@szcqy
Q1关断时采样点电压可有几百伏哟.
那有什么办法呢 下面的同志怎么说做过呢
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2005-02-22 17:44
@hjjwb-power
用在低压DC/DC就容易做.用在高压(AC220V--DC310V)呢?3842做的单端反激电路有700V尖峰电压.TOP系列集成内部好搞,在集成里面做个零件容易,加一百个都不会增加多少硅片面积.分立元件恐怕难搞多了.
高压确实不好做,为什么TOP好做呢?难道芯片内部不需要高压的检测吗?高压检测成本不低.芯片内部应该也有绝缘距离的要求的,不知道它也是内部有电阻呢还是直接从mosfet上检测呢,从它的示意图是从mosfet上取的,但很多的示意图都是和实际有出入的,不知道它是不是真的从mosfet上取电流检测信号的.
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beyonddj
LV.7
25
2005-02-22 18:23
能否這樣考慮呢.......在MOSFET上串個電阻再接個小開關進行取樣.......此開關和主開關管驅動信號相同,那樣我們就可以得到一個比較真實的電壓信號.但此信號不連續.

示意圖如下.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109068570.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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hjjwb-power
LV.4
26
2005-02-22 19:11
@beyonddj
能否這樣考慮呢.......在MOSFET上串個電阻再接個小開關進行取樣.......此開關和主開關管驅動信號相同,那樣我們就可以得到一個比較真實的電壓信號.但此信號不連續.示意圖如下.[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109068570.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
Q2要很高耐压
1  Q2无法关断
2  Q2无法采样---Q1饱和导通压降Vds才xxxmV
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hjjwb-power
LV.4
27
2005-02-22 19:18
@电源柯南
高压确实不好做,为什么TOP好做呢?难道芯片内部不需要高压的检测吗?高压检测成本不低.芯片内部应该也有绝缘距离的要求的,不知道它也是内部有电阻呢还是直接从mosfet上检测呢,从它的示意图是从mosfet上取的,但很多的示意图都是和实际有出入的,不知道它是不是真的从mosfet上取电流检测信号的.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109071109.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
看IR的MOS驱动器(IR2125)的应用电路中,有一种特殊的MOS管----多了一个S极---猜想能1/n 比例于主MOS的电流
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beyonddj
LV.7
28
2005-02-22 19:29
@hjjwb-power
Q2要很高耐压1  Q2无法关断2  Q2无法采样---Q1饱和导通压降Vds才xxxmV
肯定還要加些輔助電路才能實現三.如果這麼簡單就搞定了那早就有人這麼做了.我想這應該是個思路.如果做在芯片內部的話確實要好做得多.
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beyonddj
LV.7
29
2005-02-22 19:37
@hjjwb-power
[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109071109.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">看IR的MOS驱动器(IR2125)的应用电路中,有一种特殊的MOS管----多了一个S极---猜想能1/n比例于主MOS的电流
好多內置mos的芯片都是這種表示法.
下面是仙童的.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109072675.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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hjjwb-power
LV.4
30
2005-02-22 19:43
@beyonddj
好多內置mos的芯片都是這種表示法.下面是仙童的.[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109072675.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
IR2125只是推动电路而已,这是外置的MOSFET管.
很少见,就算能买到,估计选择范围也不宽.
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beyonddj
LV.7
31
2005-02-22 19:47
@hjjwb-power
IR2125只是推动电路而已,这是外置的MOSFET管.很少见,就算能买到,估计选择范围也不宽.
就是,這種管子還沒見過....它會不是就是共用G共用D共用襯底的雙MOS而已啊???
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