请教:mosfet的电流到底是怎么流的呢?

我也正想详细了解一下,知道以后通知一声,先谢拉!

是啊,我也有点困惑.如果说开关管有体二极管,那么它是不是就能双向导通了??实际电路中开关管两端反并的二极管是不是体二极管?
请懂的人明示!

1.MOSFET沟道形成后,电流想怎么流就怎么流
2.Body Diode是MOSFET工艺产生的,有P区,有N区,自然有PN结,对吧.

当MOSFET D-S导通后,是有你说的意思.第二个问题不一定,有些MOSFET画的DIODE,它是Schottky Diode或UltraFast Diode,寄生的Body Diode一般其反向恢复时间很长的.

源极金属板将N+区和P区连接在一起,因此,源极和漏极间寄生了一个二极管,称为体内二极管

您的意思是不是,在开关管导通的情况下才能电流双向流动,而关断的情况下则不能,是这样吗??

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源极跨在两个半导体区上,N型管箭头向左,表示载流子电子从源极出发EP
型管箭头向右表示载流子空穴从源极出发.无论哪一型管子都是利用多数载流子导电(双极
型晶体管是包含少数载流子导电的),不存在少于导电和多余载流子复合表现出来的存储时
间,因此,动作快,频率高,不存在二次击穿.在有限管子直接并联时,由于具有正温度系数．可
以自动均衡电流(双极型晶体管则是具有负温度系数、所以并联要采取均流措施),不会产生过
热点.这些都是MOSFET管的优点

是的.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109039572.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

关于体二极管的问题倒是清楚了
但是电流的流向还是有点糊涂
是不是在gs有正压时ds之间的电流是可以不通过体二极管而实现双向流动?

是的.

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由于源极金届电极短路了N+区和P区,因此源极与调极形成了寄生的二极管.这就是
与MOSFET管反并联的二极管,称体内二极管.可提供开关电源感性线圈无功电流通路.所以,当源极电位高于漏极时,这个二极管导通.但在谐振式开关电源中不能使用,需要另并超快速二极管.它的正向压降Vf为1伏左右.
    体内二极管在关断过程中与一班二极管一样存在反向恢复电流.此时,二极管一方面承
受着路一源极间急剧上升的电压,另一方面又有反向恢复电流流过,并右可能注入寄生二极管
的基极中.使基区具有更多的过剩载流子,变小的集电极导电区承受过大电流
可能形成类似二次击穿的过热点.
    所以在关断时,调一源极问加的电压变化率守,在
能性必须充分注意到,因为它使安全工作区缩小了.
极管上引起反向恢复电流变大的可

可以把上面的文字在整理一下吗,有的地方看不太明白!谢谢!

由于源极金届电极短路了N+区和P区,因此源极与调极形成了寄生的二极管.这就是与MOSFET管反并联的二极管,称体内二极管.可提供开关电源感性线圈无功电流通路.所以,当源极电位高于漏极时,这个二极管导通.但在谐振式开关电源中不能使用,需要另并超快速二极管.它的正向压降Vf为1伏左右.
    体内二极管在关断过程中与一般二极管一样存在反向恢复电流.此时,二极管一方面承受着漏-源极间急剧上升的电压,另一方面又有反向恢复电流流过,并有可能注入寄生三极管的基极中.使基区具有更多的过剩载流,变小的集电极导电区承受过大电流可能形成类似二次击穿的过热点.
    所以在关断时,漏一源极间加的电压变化率DVds/Dt,在二极管上引起反向恢复电流变大的可能性必须充分注意到,因为它使安全工作区缩小了.