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请教变压器方面的专家

我测试的时候发现,我用两个开关电源,其中一个电源对另一个电源造成严重干扰,导致电压有跌落现象,已经证实是电压器产生的干扰,我用的EC42 ,频率是120K,除了布线,变压器怎么自身降低干扰?
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2008-05-14 18:36
變壓器的兩邊是不是有氣隙.或者某個地方存在很大的漏磁存在!!
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贝多芬
LV.7
3
2008-05-14 20:46
@transformer1
變壓器的兩邊是不是有氣隙.或者某個地方存在很大的漏磁存在!!
如果变压器两边有气隙,可以外面焊接一个屏蔽铜片来屏蔽辐射信号.
屏蔽铜片的厚度可以用0.05MM,宽度约为绕线宽度的三分之一.
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2008-05-14 20:49
@贝多芬
如果变压器两边有气隙,可以外面焊接一个屏蔽铜片来屏蔽辐射信号.屏蔽铜片的厚度可以用0.05MM,宽度约为绕线宽度的三分之一.
現在樓主還沒吱聲,目前還不能確定是氣隙引起..
  樓主:
  能不能把你變壓器的規格及結構大概的描述一下..
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2008-05-15 16:24
@transformer1
現在樓主還沒吱聲,目前還不能確定是氣隙引起..  樓主:  能不能把你變壓器的規格及結構大概的描述一下..
我设计的电源是反激的,变压器是开气息的.是在整个变压器外面加上屏蔽罩吗?我已经试过用铜片给罩了起来,还没没有效果.顺便问一下,铜对磁有屏蔽作用吗?好像没有吧.要铁的才能起到屏蔽作用是不是?
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贝多芬
LV.7
6
2008-05-15 17:03
@咸菜篓子
我设计的电源是反激的,变压器是开气息的.是在整个变压器外面加上屏蔽罩吗?我已经试过用铜片给罩了起来,还没没有效果.顺便问一下,铜对磁有屏蔽作用吗?好像没有吧.要铁的才能起到屏蔽作用是不是?
我认为,

金属对电和磁都有屏蔽作用.
屏蔽铜片在这里的工作原理是:辐射的磁信号在通过铜片时候,引起涡流,从而把辐射信号损耗了,也就是“屏蔽”了.当然这对变压器的效率有点小影响.
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2008-05-15 17:22
@贝多芬
我认为,金属对电和磁都有屏蔽作用.屏蔽铜片在这里的工作原理是:辐射的磁信号在通过铜片时候,引起涡流,从而把辐射信号损耗了,也就是“屏蔽”了.当然这对变压器的效率有点小影响.
還有一種辦法就是在變壓器一/二次側之間加一個"Y" 電容...
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2008-05-16 14:08
@transformer1
還有一種辦法就是在變壓器一/二次側之間加一個"Y"電容...
屏蔽主要是反射,吸收只是很小的一部分.还有Y电容我己经加了.
三明治绕法,关于初级绕线,如果初级绕40匝,分两层绕,请问是每层都绕40匝好?还是分绕组一半绕好,也就是说每层绕20匝?都有什么优缺点?
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2008-05-16 14:29
@咸菜篓子
屏蔽主要是反射,吸收只是很小的一部分.还有Y电容我己经加了.三明治绕法,关于初级绕线,如果初级绕40匝,分两层绕,请问是每层都绕40匝好?还是分绕组一半绕好,也就是说每层绕20匝?都有什么优缺点?
當然有優缺點,主要影響就是Lk,現分開來講:
1) 分兩層繞,也就是多每層繞20turns,其中在其之間加上副邊繞組.這樣對你的Lk會有好處的.
2)如是每層繞40Turns,這樣不利于Lk的管控.
但不管怎麼排,要注意的就是:如一層排不下,也就是說每層只能排19turns或者說是每層只能繞39turns,則必須用兩層排時,就要注意咯(也就是說不要刻意一定需要20turns or 40 turns)根據實際情況而定.
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haonan_ren
LV.5
10
2008-05-16 17:28
@transformer1
當然有優缺點,主要影響就是Lk,現分開來講:1)分兩層繞,也就是多每層繞20turns,其中在其之間加上副邊繞組.這樣對你的Lk會有好處的.2)如是每層繞40Turns,這樣不利于Lk的管控.但不管怎麼排,要注意的就是:如一層排不下,也就是說每層只能排19turns或者說是每層只能繞39turns,則必須用兩層排時,就要注意咯(也就是說不要刻意一定需要20turnsor40turns)根據實際情況而定.
谈一点点个人看法:
变压器开气隙后,气隙中储存会储存能量,加大漏磁.而且气隙越大,储存的能量越大,漏磁也越大,对周围产品的干扰范围、干扰强度也会增大.
个人建议:采用分段气隙的方法,将原来的单个气隙高度减小,分成多段气隙,这样每个气隙中储存的能量减小(可能总能量还是相当),对周围产品的干扰范围、干扰强度也会大大减小.
(俺不做电源,只是就是论事,如果不对,还请不要见怪)
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transformer1
LV.10
11
2008-05-16 18:58
@haonan_ren
谈一点点个人看法:变压器开气隙后,气隙中储存会储存能量,加大漏磁.而且气隙越大,储存的能量越大,漏磁也越大,对周围产品的干扰范围、干扰强度也会增大.个人建议:采用分段气隙的方法,将原来的单个气隙高度减小,分成多段气隙,这样每个气隙中储存的能量减小(可能总能量还是相当),对周围产品的干扰范围、干扰强度也会大大减小.(俺不做电源,只是就是论事,如果不对,还请不要见怪)
haonan_ren :
   你這樣的做法會提升其效率,降低了其損耗!
但對對干擾而言,沒有多大的幫助,可能會在某一個點上的效果優越于之前.
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贝多芬
LV.7
12
2008-05-19 08:05
@transformer1
當然有優缺點,主要影響就是Lk,現分開來講:1)分兩層繞,也就是多每層繞20turns,其中在其之間加上副邊繞組.這樣對你的Lk會有好處的.2)如是每層繞40Turns,這樣不利于Lk的管控.但不管怎麼排,要注意的就是:如一層排不下,也就是說每層只能排19turns或者說是每層只能繞39turns,則必須用兩層排時,就要注意咯(也就是說不要刻意一定需要20turnsor40turns)根據實際情況而定.
顶,高手,

其实从磁路原理上来分析,“分兩層繞,也就是多每層繞20turns, ”这种方式漏电感的确是比“每層繞40Turns”漏电感要小.

“分兩層繞,也就是多每層繞20turns”,这种方式,在变压器初级有空PIN的情况下,是很容易实现的.
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2008-05-19 09:00
@transformer1
當然有優缺點,主要影響就是Lk,現分開來講:1)分兩層繞,也就是多每層繞20turns,其中在其之間加上副邊繞組.這樣對你的Lk會有好處的.2)如是每層繞40Turns,這樣不利于Lk的管控.但不管怎麼排,要注意的就是:如一層排不下,也就是說每層只能排19turns或者說是每層只能繞39turns,則必須用兩層排時,就要注意咯(也就是說不要刻意一定需要20turnsor40turns)根據實際情況而定.
能不能讲讲为什么漏感会更大?
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wm4811923
LV.5
14
2008-05-19 09:38
@咸菜篓子
能不能讲讲为什么漏感会更大?
影响漏感主要有三大因素:1,变压器BOBBIN的长宽比 2,绕线顺序 3,耦合电容.
变压器的屏蔽层,在EMI干扰较强的情况下,常在变压器的初次级之间加入一层屏蔽层,通过加入屏蔽层切断了初次级间杂散电容的路径,让其都对地形成电容,其屏蔽效果非常好,可以大为减少EMI,同时对于电网串入的瞬态干扰也有一定的抑制作用.但变压器的制作工艺和成本都上升.屏蔽层有铜层和绕线层两种,铜层的效果最佳.
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transformer1
LV.10
15
2008-05-19 09:42
@wm4811923
影响漏感主要有三大因素:1,变压器BOBBIN的长宽比2,绕线顺序3,耦合电容.变压器的屏蔽层,在EMI干扰较强的情况下,常在变压器的初次级之间加入一层屏蔽层,通过加入屏蔽层切断了初次级间杂散电容的路径,让其都对地形成电容,其屏蔽效果非常好,可以大为减少EMI,同时对于电网串入的瞬态干扰也有一定的抑制作用.但变压器的制作工艺和成本都上升.屏蔽层有铜层和绕线层两种,铜层的效果最佳.
樓上的兄弟分析的不錯.
但是還有一點就是被測繞組與主繞組之間的距離,如距離(也就是中間間隔的繞組越多,則被測繞組Lk就越大),同理如是距離越小,相對Lk就會小些..
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haonan_ren
LV.5
16
2008-05-20 10:37
@transformer1
haonan_ren:  你這樣的做法會提升其效率,降低了其損耗!但對對干擾而言,沒有多大的幫助,可能會在某一個點上的效果優越于之前.
关于干扰问题,俺也没研究过,只是去年赵修科老师到我们公司讲课的时候,提到过这个,就拿来套用了... 见笑
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haonan_ren
LV.5
17
2008-05-20 10:40
@transformer1
樓上的兄弟分析的不錯.但是還有一點就是被測繞組與主繞組之間的距離,如距離(也就是中間間隔的繞組越多,則被測繞組Lk就越大),同理如是距離越小,相對Lk就會小些..
学习
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transformer1
LV.10
18
2008-05-20 10:44
@haonan_ren
学习
好男人愛好學習應該好好學習!!
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haonan_ren
LV.5
19
2008-05-20 10:54
@transformer1
好男人愛好學習應該好好學習!!
继续学习....
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mimosa
LV.4
20
2008-05-20 11:18
@transformer1
樓上的兄弟分析的不錯.但是還有一點就是被測繞組與主繞組之間的距離,如距離(也就是中間間隔的繞組越多,則被測繞組Lk就越大),同理如是距離越小,相對Lk就會小些..
还有之外,还有还有,还有的就是绕组的厚度,越厚Lk越大.
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transformer1
LV.10
21
2008-05-20 11:29
@mimosa
还有之外,还有还有,还有的就是绕组的厚度,越厚Lk越大.
偏離了一個基點,那就是離主圈數的距離越遠或越厚Lk就會越大.
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mimosa
LV.4
22
2008-05-20 11:39
@transformer1
偏離了一個基點,那就是離主圈數的距離越遠或越厚Lk就會越大.
主繞組和次繞組的厚度同样重要.
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xiaofeng131
LV.1
23
2008-05-20 19:07
@haonan_ren
谈一点点个人看法:变压器开气隙后,气隙中储存会储存能量,加大漏磁.而且气隙越大,储存的能量越大,漏磁也越大,对周围产品的干扰范围、干扰强度也会增大.个人建议:采用分段气隙的方法,将原来的单个气隙高度减小,分成多段气隙,这样每个气隙中储存的能量减小(可能总能量还是相当),对周围产品的干扰范围、干扰强度也会大大减小.(俺不做电源,只是就是论事,如果不对,还请不要见怪)
你的观点我不认同.现在来讲变压器受到外来电磁波的干扰,你采作多段GAP,只能是在CORE间垫GAP,那样的话边柱GAP将产生的漏磁,即干扰或被干扰的可能增大啦.
我觉得对于第一贴朋友提出的问题,我应该考虑一下你所使用CORE的材质,再一个绕给采用三明治绕法,初资级间增加屏蔽铜带,且屏蔽接到反馈绕组的接地脚侧,如果不考虑成本的说可次级可采用三层绝缘, 其初次间的安规便可不加MARGIN TAPE,可大大减小漏感啦,再者为减小耦合电容,可以将绕组的绕向作一些更改,如果立式的话,初次绕两层时,每层绕线均为从PIN端绕向顶端, 次级绕组绕线时可采用从顶端绕向PIN端,让初级间产生的自感方向相反,且将初次的电位差减小到最小,以减少耦合电容啦,卧式同之
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temp1234
LV.5
24
2008-05-20 19:12
@咸菜篓子
屏蔽主要是反射,吸收只是很小的一部分.还有Y电容我己经加了.三明治绕法,关于初级绕线,如果初级绕40匝,分两层绕,请问是每层都绕40匝好?还是分绕组一半绕好,也就是说每层绕20匝?都有什么优缺点?
Do you solve your problem? Per your descriptions, it may not just a transformer's issue!
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transformer1
LV.10
25
2008-05-20 19:15
@temp1234
Doyousolveyourproblem?Peryourdescriptions,itmaynotjustatransformer'sissue!
No, wait for your suggestion
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temp1234
LV.5
26
2008-05-21 10:49
@transformer1
No,waitforyoursuggestion
Sorry, need more information! How tow power connectted? how close they are? how much the interfer between?
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transformer1
LV.10
27
2008-05-21 11:18
@temp1234
Sorry,needmoreinformation!Howtowpowerconnectted?howclosetheyare?howmuchtheinterferbetween?
Temp1234 brother :
  The these of yours "? " Number, should ask the"咸菜篓子"to answer oh
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temp1234
LV.5
28
2008-05-21 11:29
@transformer1
Temp1234brother:  Thetheseofyours"?"Number,shouldaskthe"咸菜篓子"toansweroh
Yes! Actually, "咸菜篓子" needs to identify the problem first!
I see a lot of DC/DC modules have a Fly-back circuit to provide power for house-keeping circuits and aux-power for seconday-side controller. their are very close to each-others!
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transformer1
LV.10
29
2008-05-21 13:26
@temp1234
Yes!Actually,"咸菜篓子"needstoidentifytheproblemfirst!IseealotofDC/DCmoduleshaveaFly-backcircuittoprovidepowerforhouse-keepingcircuitsandaux-powerforseconday-sidecontroller.theirareveryclosetoeach-others!
There is fewer Flyback converter main transformer Primary turns, the indirect one says, its Lk will be smaller. But if control with aux-power, all right on performance, but not very desirable in practical application, it is synchronous and whole that we can use! Flow
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2008-05-23 10:45
@transformer1
ThereisfewerFlybackconvertermaintransformerPrimaryturns,theindirectonesays,itsLkwillbesmaller.Butifcontrolwithaux-power,allrightonperformance,butnotverydesirableinpracticalapplication,itissynchronousandwholethatwecanuse!Flow
这个电源峰值功率是240W,我开的气息是1.8毫米.这次新的变压器我就已经在初次级加屏蔽了,变压器还没有回来.
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transformer1
LV.10
31
2008-05-23 11:21
@咸菜篓子
这个电源峰值功率是240W,我开的气息是1.8毫米.这次新的变压器我就已经在初次级加屏蔽了,变压器还没有回来.
這麼大一個氣隙,是中柱還是兩邊?
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