• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

MOS/IGBT 的驱动光耦为什么没有ESD 这个指标呢？

请问下，在MOS/IGBT 的驱动光耦的规格书里，一般没有ESD 这个指标，都是标耐压或者绝缘距离的指标。

那么问题是，对这种芯片的ESD 不做要求还是什么原因？

全部回复(2)
正序查看
倒序查看
再见理想123
LV.6
2
2017-11-23 00:13
沙发
0
回复
qwert123456
LV.6
3
2017-11-23 16:58
芯片内部有防静电电路,只要装上后就不用再考虑静电的问题,只有在安装之前地端悬空时才考虑,功率器件对一般的弱静电天生免疫不用考虑.
0
回复
工程师都在看
【 DigiKey DIY原创大赛】无频闪台灯改装
hellbaron
【 DigiKey DIY原创大赛】基于树莓派5B和CSI摄像头的手势控制---项目实操
北葵依旧菜
国巨集团和Microchip高压解决方案，助力打造坚固可靠的电气化系统
电源网-fqd
【 DigiKey DIY原创大赛】1、开发环境篇
无言的朝圣
【 DigiKey DIY原创大赛】树莓派5的智能家居控制系统(三)控制自己的设备
沈夜
立
即
发
帖