反激式开关电源次级整流二极管的另类接法

这种接法实质上和外接是一回事，没有特别之处。

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请问两个绕组是串接还是？

原理上二次侧是串联的话，每个零件的位置就是等效了。

觉得这样接有问题。

如果没特别之处，他这样接，增加了变压器绕制与LAYOUT复杂度，何必呢？

是串接的，从图上可看出来。这是国外一家电源管理IC的厂商发给我的DEMO原理图中的接法。这样接增加了变压器绕制与PCB LAYOUT的复杂度，不知这样接是否对改善EMI有好处！

你这个应该是输出高压的情况,这样接法可以减少层间分布电容

DEMO的输出电压是40V的

能拍个照片看看吗

這是正確的作法, 也符合安規要求, 且也省掉一組二極體, 對EMI也有幫助.......

在安規系統中, 有一項高電壓限制, 當Vrms 超過42V以上時,  則視為高壓, 所以早期48V的作法, 是以兩組

24V整流後再串聯, 達到48V的目的,因為單一組48V則走線要有一個Base 距離, 又因為安規做破壞性測試, 一次只能開路或短路一組, 當你把它區分為兩個單元時, 所測到的Vrms將不會超過42V............

區分為兩個單元繞線也較好繞, 只要使用兩組線同時並繞, 然後末端出線與進線相串即可, 這樣的方式如果Bobbin

繞線面積夠大, 則兩並繞的平行線被原邊磁場切割面積相等, 效率反而比單一條線來的好....

你那作法之所以省掉一組二極體, 是因為兩組出線要兩組二極體整流後再相串, 所以是省掉一組二極體

EMI會較好, 是因為二極體被置中, 當原邊MOSFET_ON時, 二極體所承受的Peak會較小, 從引線散射出去的能量會較低, 這要歸咎於以前的二極體耐壓都不高, 雖然快速二極體可以達成, 但VF偏高, 要兩顆才可以, 現在則不用....

   这是2017年Dialog新出的一款LED电源，请看下面他的此部分电路的PCB走线。我想与Base距离关系不大吧？可能与EMI关系大点，还忘高手解答。

您好，请问下您弄明白了这个二极管的接法的原理吗？？求助

原理与普通接法一样，这样接可改善产品的EMI！