在电源设计中，其实缩短开关mos的tr（开启上升时间），tf（关闭下降时间）很简单。复杂的事是怎么抑制mos开通上升斜率或关断下降斜率加快后带来的EMC问题。很多项目工程师在调试样品的时候为了提高效率把tr，tf缩短，但在EMC测试后又不得不把tr，tf加长。

主要是Qg-d，最直观的就tr（开启上升时间），tf（关闭下降时间）。

时代会有进步的。

是的

SiC与Si性能对比SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:1、击穿电压强度高（约10倍于Si）2、更宽的禁带（约3倍于Si）3、热导率高（约3倍于Si）。 高温工作特性，SiCMOSFET比SiMOSFET更适合应用于高温工作环境，原因在于一方面SiCMOSFET自身损耗小，发热量小，自身温升相对较小，另一方面，热导率高3倍于SiMOSFET。  

请问谐振电感怎么实现，怎么控制？

MLCC电容容量根部就做不大吧。

不懂就不要乱说。加了线就一定电感量加大吗？气隙加长点行不？

我实测是100K-165K之间变化的。负载不同，输入电压不同的变化。