你在使用碳化硅SiC功率器件吗？哪些行业和产品上有应用？

SiC与Si性能对比 SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为: 1、击穿电压强度高（约10倍于Si） 2、更宽的禁带（约3倍于Si） 3、热导率高（约3倍于Si）。  高温工作特性，SiC MOSFET比Si MOSFET更适合应用于高温工作环境，原因在于一方面SiC MOSFET 自身损耗小，发热量小，自身温升相对较小，另一方面，热导率高3倍于Si MOSFET。 

碳化硅是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等特性。相比与传统的硅基功率半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小，工作结温高，导热能力强等显著优势。因此，采用碳化硅半导体器件的电力电子变换器，可以显著提高开关频率，缩小散热器，储能元件和滤波器的体积，从而实现更高的转换效率和功率密度。

碳化硅产品在电动汽车，IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用。