管子irfb4227的驱动电路分析

请问各位大神，为啥驱动电路要串一个电容和稳压管？图中红色圆圈部分。这个是管子irfb4227的驱动电路，上面驱动电路比下面驱动电路多串了一个电容和稳压管，上面和下面后级驱动的管子是一样的。上下波形以互补的方式输出，中间的死区时间大概是80ns。

全部回复(10)

只看楼主

正序查看

倒序查看

weixiu123

LV.1

2018-01-16 09:18

等待大神来回答

电源网-fqd

2018-01-16 10:31

恭喜被添加到社区经典图库，并获得1积分
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

001study

LV.4

2018-01-16 10:49

@weixiu123

等待大神来回答

是挺奇怪的做法，使用了独立的供电并没用自举，图纸测绘错了？

ouyang2253

LV.2

2018-01-16 20:53

图中红色圆圈部分是给irfb4227提供负压，当H0有驱动输出时N管导通时电容充电，左正右负，稳压管限压。当N管截止P管导通时，电容的负压加在管子irfb4227上

ssp3118

LV.1

2018-01-17 18:19

@ouyang2253

请问，提供负压有什么用？为什么下路的不用，需要我测试什么波形数据吗？

ssp3118

LV.1

2018-01-17 18:24

@001study

是挺奇怪的做法，使用了独立的供电并没用自举，图纸测绘错了？

图纸应该没错的，就是这样画的。

solongzeng

LV.1

2018-01-18 21:04

电容用来保护驱动线路的，驱动输出高电压时通过C80为驱动管提供Mosfet结电容充电电流，同时亦为C80充电，如遇到异常大电流，C80充满后驱动线便不提供电流给MOSFET起来限功率的作用。

驱动输出低电压时，Q30是快速放电管，快速为C80 及Mosfet结电容放电

001study

LV.4

2018-01-19 12:26

@solongzeng

电容用来保护驱动线路的，驱动输出高电压时通过C80为驱动管提供Mosfet结电容充电电流，同时亦为C80充电，如遇到异常大电流，C80充满后驱动线便不提供电流给MOSFET起来限功率的作用。驱动输出低电压时，Q30是快速放电管，快速为C80及Mosfet结电容放电

很怪异的用法

juntion

2018-01-19 14:43

@001study

很怪异的用法

這沒有啥好奇怪, 早期IGBT需要加速關斷時, 就必須使用負壓加速關斷, 當砷化鎵場管問世, 負壓使用更是需要, 上述為其中一種, 另一種為上下管驅動獨立供電, 再利用二極體箝位一個負壓於P晶體上作為OFF加速, 且上下都要, 這時操作頻率可以上到200K以上.....

即使現在使用SIC元件, 很多工程師還是會利用負壓加速, 因為不管砷化鎵或碳化硅, 都是標準MOS_PN結的架構

只有一種不需要, 那叫"CasCode" 結構.......

001study

LV.4

2018-01-19 14:49

@juntion

這沒有啥好奇怪,早期IGBT需要加速關斷時,就必須使用負壓加速關斷,當砷化鎵場管問世,負壓使用更是需要,上述為其中一種,另一種為上下管驅動獨立供電,再利用二極體箝位一個負壓於P晶體上作為OFF加速,且上下都要,這時操作頻率可以上到200K以上.....即使現在使用SIC元件,很多工程師還是會利用負壓加速,因為不管砷化鎵或碳化硅,都是標準MOS_PN結的架構只有一種不需要,那叫"CasCode"結構.......

原来如此，还没怎么折腾IGBT

工程师都在看

求偶遇~ 11月16日，电源网深圳年会来啦

电源网-天边